【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成用于薄膜晶体管结构的电感耦合高密度等离子体膜的方法
[0001]背景
[0002]领域
[0003]本公开内容的实施方式一般涉及制造薄膜晶体管(TFT)的方法。更具体地，本文描述的实施方式涉及在具有高电子迁移率的薄膜晶体管中沉积层的方法。
[0004]现有技术描述
[0005]薄膜晶体管(TFT)是用于集成电路和显示器中以控制像素操作的金属氧化物层半导体器件。由于TFT具有高分辨率、低功耗和用于LCD和OLED显示器的高速操作，因此在显示应用中引起了极大的兴趣。由于相对于彼此和相对于TFT的金属氧化物层沉积层的方法，在构成TFT的层中使用的当前材料通常具有有限的电子迁移率。
[0006]因此，本领域需要改进的TFT和制造TFT的方法。特别地，需要绝缘层，诸如用于具有较低氢含量、较高密度、较低湿蚀刻速率和较低等离子体损伤的TFT的钝化层和蚀刻停止层。
技术实现思路
[0007]在一个实施方式中，提供了一种形成薄膜晶体管的方法，包括在基板之上沉积缓冲层和在缓冲层之上形成栅极层。蚀刻栅极层的一部分以形成栅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：在基板之上沉积缓冲层；在所述缓冲层之上形成栅极层；蚀刻所述栅极层的至少一部分以形成栅极电极；在所述缓冲层和所述栅极电极之上沉积栅极绝缘(GI)层；在所述GI层之上形成金属氧化物沟道层；和通过使用电感耦合等离子体(ICP)的高密度等离子体化学气相沉积(HDP CVD)来沉积钝化层，其中高密度等离子体包括大于1.0E11/cm3的电子或离子等离子体密度。2.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述钝化层包括通过使用电容耦合等离子体(CCP)的化学气相沉积来沉积界面钝化层以及通过使用ICP的HDP CVD来沉积上钝化层。3.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括在沉积所述钝化层之前预处理所述金属氧化物沟道层，其中所述预处理所述金属氧化物沟道层包括将所述金属氧化物沟道层暴露于电感耦合等离子体。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述电感耦合等离子体由一氧化二氮(N2O)、Ar或它们的组合形成。5.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述钝化层包括激发N2O气体和硅烷(SiH4)气体以形成所述电感耦合等离子体并将所述电感耦合等离子体暴露于所述金属氧化物沟道层。6.一种形成薄膜晶体管的方法，包括：在基板之上沉积缓冲层；至少部分地在所述缓冲层之上形成栅极层；在所述缓冲层和所述栅极层之上沉积栅极绝缘(GI)层；在所述GI层之上形成金属氧化物沟道层；通过使用电感耦合等离子体(ICP)的高密度等离子体化学气相沉积(HDP CVD)来沉积蚀刻停止层，其中高密度等离子体包括大于1.0E11/cm3的电子或离子等离子体密度；在所述蚀刻停止层中形成源极电极和漏极电极；和沉积钝化层。7.根据权利要求6所述的方法，其中沉积所述蚀刻停止层包括通过使用电容耦合等离子体(CCP)的化学气相沉积来沉积界面蚀刻停止层以及利用使用ICP的HDP CVD来沉积上蚀刻停止层。8.根据权利要求6所述的方法，其中通过HDP CVD沉积蚀刻停止层包括以约5:1至约40:1的N2O气体和SiH4气体比率将N2O气体和SiH4气体引入处理空间，其中所述基板设置在所述处理空间内。9.根据权利要求8所述的方法，其中通过HDP CVD沉积蚀刻停止层包括以约1MHz至约15MHz的频率设置ICP线圈能量。10.根据权利要求6所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：以约0.3sccm/cm2至约0.7sccm/cm2的N2O气体流速将N2O气体引入处理腔室的处理空间，其中所述基板设置在所述处理空间中；以约2.3W/cm2至约5.3W/cm2的功率密度激发所述N2O气体；和
以约0.02sccm/cm2至约0.09sccm/cm2的SiH4气体流速引入SiH4气体。11.根据权利要求10所述的方法，其中将N2O气...
【专利技术属性】
技术研发人员：元泰景，崔寿永，任东吉，吴宗凯，李永东，桑杰，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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