沉积设备和沉积系统技术方案

描述了沉积设备和沉积系统。所述沉积设备包括：真空腔室，所述真空腔室定大小为适于容纳GEN 2代或更高世代的矩形大面积基板；和沉积源阵列，所述沉积源阵列具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，所述第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源具有在第一方向上的靶节距，所述沉积源阵列被构造为在静态沉积工艺中在真空腔室中的处理区域中沉积材料，其中在所述第一方向上沉积源节距与沉积源尺寸的比率为1.8或更大。比率为1.8或更大。比率为1.8或更大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】沉积设备和沉积系统


[0001]本公开内容的实施方式涉及层沉积，具体地涉及通过物理气相沉积(例如溅射)进行层沉积。此外，实施方式涉及沉积系统，所述沉积系统沉积不同厚度的层，例如籽晶层或粘附促进层和厚层。本公开内容的实施方式尤其涉及沉积设备和沉积系统。

技术介绍

[0002]已知用于在基板上沉积材料的若干方法。例如，可以通过物理气相沉积 (physical vapor deposition,PVD)工艺、化学气相沉积(chemical vapordeposition,CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition,PECVD)工艺等来涂覆基板。通常，在要涂覆的基板所位于的工艺设备或工艺腔室中执行所述工艺。在所述设备中提供沉积材料。在执行PVD工艺的情况下，可以例如从靶溅射出沉积材料。多种材料可以用于在基板上沉积。在所述多种材料中，可以使用许多不同的金属，但是也可以使用氧化物、氮化物或碳化物。通常，PVD工艺适用于薄膜涂覆。
[0003]经涂覆的材料可用于若干应用和若本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种沉积设备，其特征在于：真空腔室，所述真空腔室定大小以容纳GEN 2代或更高世代的矩形大面积基板；和沉积源阵列，所述沉积源阵列具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，所述第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源具有在第一方向上的靶节距，所述沉积源阵列被构造为在静态沉积工艺中在所述真空腔室中的沉积区域中沉积材料，其中在所述第一方向上沉积源节距与沉积源尺寸的比率为1.8或更大。2.根据权利要求1所述的沉积设备，其中沿着所述第一方向的基板尺寸与沉积源数量的比率为280mm或更大。3.根据权利要求1所述的沉积设备，其中在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第二沉积源之间的第一距离与所述沉积源尺寸的比率为1.7或更大，所述第二沉积源与所述沉积源阵列的中心相邻。4.根据权利要求2所述的沉积设备，其中在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第二沉积源之间的第一距离与所述沉积源尺寸的比率为1.7或更大，所述第二沉积源与所述沉积源阵列的中心相邻。5.根据权利要求1所述的沉积设备，其中在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第一沉积源之间的第二距离与所述沉积源尺寸的比率为1.3或更大，所述第一沉积源位于所述沉积源阵列的一侧处。6.根据权利要求2所述的沉积设备，其中在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第一沉积源之间的第二距离与所述沉积源尺寸的比率为1.3或更大，所述第一沉积源位于所述沉积源阵列的一侧处。7.根据权利要求3所述的沉积设备，其中在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第一沉积源之间的第二距离与所述沉积源尺寸的比率为1.3或更大，所述第一沉积源位于所述沉积源阵列的一侧处。8.根据权利要求1至7中任一项所述的沉积设备，其中所述第一沉积源在垂直于所述第一方向的长度方向上延伸，并且其中所述第一沉积源在所述长度方向上比所述沉积源的在高度方向上的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉尔夫，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：