使用表面封端化学性质的薄膜电介质的选择性沉积制造技术

相对于第二基板表面选择性地沉积膜到第一基板表面上的方法。方法包括使用甲硅烷基胺浸泡包含羟基终端的基板表面以形成甲硅烷基醚终端以及沉积膜到该甲硅烷基醚终端表面以外的表面上。外的表面上。外的表面上。

【技术实现步骤摘要】
使用表面封端化学性质的薄膜电介质的选择性沉积
本申请是申请日为2016年4月29日、申请号为201680025233.4、名称为“使用表面封端化学性质的薄膜电介质的选择性沉积”的中国专利申请(PCT申请号为PCT/US2016/030057)的分案申请。


[0001]本公开的实施例大体而言是关于选择性沉积膜的方法。更具体言之，本公开的实施例是针对使用醇选择性还原和选择性保护选择性沉积膜的方法。

技术介绍

[0002]选择性沉积工艺正获得极大的动力主要是因为半导体需要图案化的应用。传统上，微电子工业中的图案化已使用各种光刻和蚀刻工艺来完成。然而，由于光刻正以指数的方式变得复杂和昂贵，所以使用选择性沉积来沉积特征正变得更具吸引力。选择性沉积的另一种潜在应用是缝隙填充。在缝隙填充中，填充膜是从沟槽的底部朝向顶部选择性生长的。选择性沉积可被用于其他的应用，例如膜被生长在鳍片的侧边上的选择性侧壁沉积。这将能够在不需要复杂的图案化步骤之下沉积侧壁间隔物。
[0003]因此，所属
中需要有选择性地优先于不同的表面将膜选择性地沉积到一个表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：使基板暴露于甲硅烷基酰胺，以与羟基终端第一基板表面反应，而形成甲硅烷基醚终端表面，所述基板具有氢终端第二基板表面，所述第一表面和所述第二表面中的一者或更多者包含电介质；以及通过使所述基板暴露于一种或更多种沉积气体来优先于所述第一表面选择性地在所述第二表面上形成膜。2.如权利要求1所述的方法，其中所述甲硅烷基酰胺包含有机甲硅烷基酰胺。3.如权利要求2所述的方法，其中所述有机甲硅烷基酰胺包含硅原子，所述硅原子大体上仅键结到碳和/或氮原子。4.如权利要求2所述的方法，其中所述有机甲硅烷基酰胺大体上不含Si
‑
H或Si
‑
OH键。5.如权利要求2所述的方法，其中所述有机甲硅烷基酰胺包含三甲基甲硅烷基酰胺、三乙基甲硅烷基酰胺、乙基二甲基甲硅烷基酰胺、和/或二乙基甲基甲硅烷基酰胺中的一者或更多者。6.如权利要求1所述的方法，其中所述甲硅烷基酰胺包括酰胺，所述酰胺包含吡咯烷、吡咯、吡唑、二甲胺、二乙胺、乙基甲基胺、环状二级胺、饱和环胺和/或不饱和环胺中的一者或更多者。7.如权利要求1所述的方法，其中所述甲硅烷基酰胺包含1
‑
三甲基甲硅烷基吡咯烷、1
‑
三甲基甲硅烷基吡咯和/或3,5
‑
二甲基
‑1‑
三甲基甲硅烷基吡唑中的一者或更多者。8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一基板表面包含电介质。9.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述第二表面上形成预定量的膜之后蚀刻所述甲硅烷基醚终端表面，之后再次暴露于甲硅烷基酰胺，以再次形成所述甲硅烷基醚终端表面和另外的膜形成。10.如权利要求9所述的方法，其中在不超过300个原子层沉积循环之后蚀刻并再次形成所述甲硅烷基醚终端表面。11.如权利要求1所述的方法，其中使所述基板暴露于所述甲硅烷基酰胺持续在约10秒至约60分钟的范围中的时间。12.如权利要求1所述的方法，其中所述膜包含SiN。13.如权利要求12所述的方法，其中所述膜是通过原子层沉积所沉积的，所述原子层沉积包含依次暴露于含硅气体和含氮气体。14.如权利要求13所述的方法，其中所述含硅气体包含硅烷、乙硅烷、丙硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅、六氯乙硅烷(HCDS)、卤化碳硅烷中的一者或更多者。15.如权利要求13所述的方法，其中所述含氮气体包含含氮等离子体、氨、胺、肼和/或碳氮化物中的一者或更多者。16....

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：