用于基板处理腔室的隔离器设备和方法技术

本公开的方面总体上涉及用于基板处理腔室的隔离器装置、隔离器装置的组件以及与隔离器装置相关联的方法。在一种实施方式中，基板处理腔室包括设置在底座和泵送衬里之间的隔离器环。隔离器环包含第一表面，第一表面面向底座，第一表面设置在与底座的外周表面相距一间隙处。隔离器环包括第二表面与突出部，第二表面面向泵送衬里，突出部从隔离器环的第一表面朝向底座的外周表面突出。突出部限定底座与隔离器环之间的间隙的颈缩部分。隔离器环之间的间隙的颈缩部分。隔离器环之间的间隙的颈缩部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板处理腔室的隔离器设备和方法


[0001]本公开的方面总体上涉及用于基板处理腔室的隔离器装置、隔离器装置的组件以及与隔离器装置相关联的方法。

技术介绍

[0002]在诸如化学气相沉积(CVD)操作的基板处理操作期间，处理气体可扩散到底座的顶表面下方。扩散的处理气体导致材料沉积到底座的外表面和/或不是基板的基板处理腔室的其他部件或表面上。沉积会延迟基板处理操作，导致基板处理腔室的生产停工时间，导致清洁时间增加，生产率降低，导致基板上沉积不均匀和/或导致基板缺陷。
[0003]因此，需要一种减少处理气体在底座的顶表面下方扩散的装置。

技术实现思路

[0004]本公开内容的方面总体上涉及用于基板处理腔室的隔离器装置、隔离器装置的组件以及与隔离器装置相关联的方法。
[0005]在一种实施方式中，基板处理腔室包括：腔室主体；喷淋头，喷淋头具有形成在喷淋头的下表面中的一个或多个气体开口；以及底座，底座设置在腔室主体中。底座具有支撑表面与外周表面。支撑表面面向喷淋头。基板处理腔室还包括围绕底座设置并环绕底座的泵送衬里。泵本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理腔室，包含：腔室主体；喷淋头，所述喷淋头具有形成在所述喷淋头的下表面中的一个或多个气体开口；底座，所述底座设置在所述腔室主体中，所述底座具有支撑表面与外周表面，所述支撑表面面向所述喷淋头；泵送衬里，所述泵送衬里设置在所述底座周围并环绕所述底座，所述泵送衬里具有面对所述底座的所述外周表面的第一外表面和面对所述腔室主体的第二外表面；以及隔离器环，所述隔离器环设置在所述底座与所述泵送衬垫之间，所述隔离器环包含：第一表面，所述第一表面面向所述底座，所述第一表面设置在与所述底座的所述外周表面相距的一间隙处，第二表面，所述第二表面面向所述泵送衬里，以及突出部，所述突出部从所述隔离器环的所述第一表面突出并朝向所述底座的所述外周表面突出，所述突出部限定所述底座与所述隔离器环之间的所述间隙的颈缩部分。2.如权利要求1所述的基板处理腔室，其中所述隔离器环包含电绝缘材料。3.如权利要求1所述的基板处理腔室，进一步包含净化气体入口，所述净化气体入口设置在所述腔室主体的底部，其中所述隔离器环与所述间隔设置在所述净化气体入口与所述喷淋头之间。4.如权利要求3所述的基板处理腔室，其中所述间隙是净化气体流路的一部分，并且所述突出部限定设置在所述净化气体流路中的流动边缘。5.如权利要求1所述的基板处理腔室，其中：所述突出部限定所述隔离器环的阶梯表面；所述隔离器环的所述第一表面和所述底座的所述外周表面之间的所述间隙具有第一宽度；以及在所述隔离器环的所述阶梯表面与所述底座的所述外周表面之间的所述颈缩部分具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。6.如权利要求5所述的基板处理腔室，其中所述第二宽度是所述第一宽度的一比率，并且所述比率在0.25至0.75的范围内。7.如权利要求5所述的基板处理腔室，其中所述第二宽度是所述第一宽度的一比率，并且所述比率在0.23至0.27的范围内。8.一种基板处理腔室，包含：腔室主体；喷淋头，所述喷淋头具有形成在所述喷淋头的下表面中的一个或多个气体开口；底座，所述底座设置在所述腔室主体中，所述底座具有支撑表面与外周表面，所述支撑表面面向所述喷淋头；泵送衬里，所述泵送衬里设置在所述底座周围并环绕所述底座，所述泵送衬里具有面对所述底座的所述外周表面的第一外表面和面对所述腔室主体的第二外表面；以及隔离器环，所述隔离器环设置在所述底座与所述泵送衬垫之间，所述隔离器环包含：第一表面，所述第一表面面向所述底座，第二表面，所述第二表面面向所述泵送衬里，以及
锥形上表面，所述锥形上表面限定所述隔离器环的上边缘，所述隔离器环的所述上边缘设置在所述底座的所述支撑表面上方。9.如权利要求8所述的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：N，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：