【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板处理的斜面剥离及缺陷解决方案
背景领域
[0001]本文描述的实施例总体涉及半导体器件制造领域。相关技术说明
[0002]集成电路已发展成可在单个芯片上包括数百万个晶体管、电容器和电阻器的复杂器件。芯片设计的发展不断涉及更快的电路系统和更大的电路密度。对具有更大电路密度的更快电路的需求对用于制造此类集成电路的材料施加了相应的需求。具体来说，随着集成电路部件的尺寸减小到亚微米级，低电阻率的导电材料以及低介电常数的绝缘材料被用于从此类部件获得合适的电性能。
[0003]对更大的集成电路密度的需求也对在集成电路部件的制造中使用的工艺顺序施加了要求。例如，在使用常规光刻技术的工艺顺序中，在沉积在基板上的材料层的堆叠之上形成能量敏感抗蚀剂层。将能量敏感抗蚀剂层暴露于图案的图像以形成光抗蚀剂掩模。此后，使用蚀刻工艺来将掩模图案转移到堆叠的材料层中的一个或多个材料层。在蚀刻工艺中使用的化学蚀刻剂被选择为对堆叠的材料层具有比对能量敏感抗蚀剂的掩模更大的蚀刻选择性。即，化学蚀刻剂以比能量敏感抗蚀剂快得多的速率蚀刻材料堆叠的一个或多个层。对堆叠的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理基板的方法，包括以下步骤：将基板定位在基板支撑组件上，所述基板支撑组件设置在处理腔室的处理容积中；将所述基板暴露于处理等离子体，其中所述处理等离子体由基本上不含碳、硅和金属沉积前驱物的处理气体形成；在将所述基板暴露于所述处理等离子体之后，向嵌入在所述基板支撑件的介电材料中的电极施加吸附电压以将所述基板吸附到所述基板支撑件的表面；以及将非晶碳层沉积到所述基板的表面上。2.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板暴露于所述处理等离子体包括以下步骤：将靠近所述基板的周向边缘的硅表面暴露于所述处理等离子体。3.如权利要求2所述的方法，进一步包括形成所述处理等离子体，所述形成所述处理等离子体包括以下步骤：使所述处理气体流入所述处理容积，所述处理气体包括He、Ar、NH3、N2、O2或上述各项的组合；以及通过向设置在所述处理容积中的喷淋头施加第一RF功率来点燃和维持所述处理等离子体，其中所述第一RF功率为约1.42瓦特每平方厘米基板表面(W/cm2)或更小。4.如权利要求3所述的方法，其中将所述非晶碳层沉积到所述基板的所述表面上包括以下步骤：使一种或多种沉积材料前驱物流入所述处理容积；通过向所述喷淋头施加第二RF功率来点燃和维持所述一种或多种沉积材料前驱物的沉积等离子体，其中所述第二RF功率为约2.12瓦特每平方厘米基板表面(W/cm2)或更高；以及将所述基板的所述表面暴露于所述沉积等离子体。5.如权利要求4所述的方法，其中所述基板支撑组件包括基板支撑部分和从所述基板支撑部分向上延伸的环形部分，其中将所述环形部分设置在所述基板支撑部分的径向外侧，并且其中所述环形部分的径向面向内的表面被尺寸设计成与所述基板的周向边缘间隔开约5mm或更小的距离。6.如权利要求5所述的方法，其中所述环形部分的所述径向面向内的表面的至少一部分向上倾斜并远离与所述基板支撑部分的表面平行的平面，以与所述平面形成在约5度与约60度之间的角度。7.一种处理基板的方法，包括以下步骤：将基板定位在基板支撑组件上，所述基板支撑组件设置在处理腔室的处理容积中；将所述基板加热到约300℃或更高的温度；以及在将所述基板保持在约300℃或更高达至少约60秒之后，在所述基板的表面上沉积非晶碳层，包括以下步骤：使一种或多种沉积材料前驱物流入所述处理容积；通过向设置在所述处理容积中的喷淋头施加RF功率来点燃和维持所述一种或多种沉积材料前驱物的沉积等离子体，其中所述RF功率为约2.12瓦特每平方厘米基板表面(W/cm2)或更高；以及将所述基板的表面暴露于所述沉积等离子体。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述基板支撑组件包括基板支撑部分和从所述基板支撑部分向上延伸的环形部分，其中所述环形部分设置在所述基板支撑部分的径向外侧...
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