减少腔室残留物的方法技术

本公开涉及用于在处理腔室中的基板处理期间减少硬件残留物的形成并最小化二次等离子体形成的系统和方法。处理腔室可包含气体分配构件，所述气体分配构件被配置成使第一气体流入处理容积并从第一气体产生等离子体。第二气体被供应到处理容积的下部区域中。此外，排气端口设置在下部区域中以在处理期间或之后从处理容积移除过量的气体或副产物。从处理容积移除过量的气体或副产物。从处理容积移除过量的气体或副产物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】减少腔室残留物的方法
背景领域
[0001]本公开的实施例总体涉及用于最小化在基板沉积工艺期间在腔室壁和硬件部件上(诸如在半导体基板上沉积薄膜期间在处理腔室的硬件部件上)的残留物的形成的方法和设备。相关技术说明
[0002]可使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)以在用于半导体器件制造的基板上形成一个或多个薄膜。随着半导体器件由于它们不断减小的尺寸和多堆叠结构的利用而需要更高的存储器密度，对半导体器件的膜性质的控制越来越受到关注。膜形成工艺中缺陷的主要原因是在沉积腔室中存在残留物，特别是在诸如腔室底部和狭缝阀区域之类的不期望的区域中沉积的残留物。腔室中此类残留物的存在不仅导致半导体器件的缺陷，还增加了沉积循环之间的清洁时间，从而减少了整体良率产量并增加了制造成本。导致腔室残留物堆积的因素包含整个腔室中等离子体的错误分散以及不期望的寄生等离子体的形成。
[0003]因此，在本领域中需要用于最小化残留物在腔室部件上的沉积和堆积的改进的方法和设备。

技术实现思路

[0004]在一个实施例中，一种用于形成膜的方法包括以下步骤：以第一流率将第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成膜的方法，所述方法包括以下步骤：以第一流率将第一气体引入处理腔室的处理容积；从所述第一气体产生等离子体以在设置在基板支撑组件上的基板上形成膜；以及以第二流率将第二气体引入所述处理容积，所述第二气体经由设置在所述基板支撑组件下方的气体引导端口被引入所述处理容积的下部区域，其中所述第一流率与所述第二流率的比率在约0.5与约3之间。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二气体由具有的解离能等于或大于双原子氩的解离能的物质形成。3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二气体选自由氩气、氨气、氦气、氢气和氧气组成的群组。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二气体提供用于防止所述等离子体在所述基板支撑组件下方的分散的阻挡层。5.如权利要求1所述的方法，其中与所述处理容积的下部区域中的所述第一气体反应以形成反应副产物，并且从所述处理腔室排出所述反应副产物。6.如权利要求5所述的方法，其中所述第二气体促进自燃反应以消耗所述基板支撑组件下方分散的未反应的C3H6。7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二气体与所述第一气体同时被引入所述处理容积，并且所述第二气体占所述处理容积中的总气体流量的25％以上。8.如权利要求1所述的方法，其中所述第二气体以约500sccm与约4000sccm之间的流率流入所述处理容积。9.一种用于形成膜的方法，所述方法包括以下步骤：以第一流率将第一气体引入处理腔室的处理容积；从所述第一气体产生等离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡良发，P，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：