【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抛光流体收集设备及与其相关的基板抛光方法
[0001]背景
[0002]领域
[0003]本文描述的实施方式大体涉及用于收集和再利用抛光流体的方法和设备,更特定地,涉及用于收集在用于制造电子装置的化学机械抛光(CMP)工艺期间使用的抛光流体以对该抛光流体再利用的方法和设备。
技术介绍
[0004]化学机械抛光(CMP)常用于高密度集成电路(例如半导体装置)的制造中以平坦化或抛光沉积在基板上的材料层。典型的CMP工艺包括使待被平坦化的基板材料层与抛光垫接触,并且在存在抛光流体的情况下移动抛光垫、基板或两者,由此产生材料层表面和抛光垫之间的相对运动。通过至少部分由抛光流体提供的化学和机械活动的组合,横跨与抛光垫接触的材料层表面移除材料。常用的抛光流体包括含有磨粒的浆料(例如胶体或悬浮液)、反应性液体(无磨料)浆料和与其中设置有磨粒的固定研磨抛光垫结合使用的无磨料或磨料减少的抛光流体。
[0005]通常,抛光流体和其中包含的磨粒中的一者或两者被高度地设计以提供期望的化学及机械抛光性能特性并在胶体或相对稳定的悬浮液中分散及保持 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种抛光流体捕集池组件,包括:捕集池,所述捕集池经设定尺寸以围绕抛光台的至少一部分且与所述抛光台间隔开,所述捕集池包括:内壁;外壁,所述外壁设置在所述内壁的径向外侧,所述外壁具有穿过所述外壁设置的多个开口;和基部部分,所述基部部分将所述内壁连接至所述外壁,其中所述外壁、所述内壁和所述基部部分共同界定槽,所述内壁的面向径向内侧的表面由圆弧半径界定,所述圆弧半径大于所述捕集池经设定尺寸所围绕的所述抛光台的半径,并且所述多个开口形成在所述外的一部分中,所述外的所述部分与所述内壁的上表面相比从所述基部部分延伸得更远。2.如权利要求1所述的抛光流体捕集池组件,其中所述捕集池包括环形环,所述环形环经设定尺寸以围绕抛光台且与所述抛光台间隔约5cm或更小的间隙。3.如权利要求1所述的抛光流体捕集池组件,其中所述外壁、所述内壁和所述基部部分的面向槽的表面是疏水的。4.如权利要求1所述的抛光流体捕集池组件,进一步包括分别穿过所述多个开口设置的多个喷嘴,所述多个喷嘴从所述外壁面向内侧。5.如权利要求1所述的抛光流体捕集池组件,其中各个开口所述多个开口经设定尺寸以接收多个喷嘴的相应喷嘴。6.如权利要求5所述的抛光流体捕集池组件,其中当将所述捕集池安装在抛光系统上时,具有穿过所述外壁的所述部分设置的所述开口的所述外壁的所述部分将位于抛光台的上表面或安装在抛光台上的抛光垫的上表面的平面之下。7.一种抛光系统,包括:可旋转的抛光台,所述抛光台具有至少部分设置于所述抛光台之下的排放池;基板载体,所述基板载体设置在所述抛光台上方且面向所述抛光台;和抛光流体捕集池组件,所述抛光流体捕集池组件包括流体捕集池,所述流体捕集池经设定尺寸以围绕所述抛光台的至少一部分且与所述抛光台间隔一间隙,所述间隙允许所述抛光台相对于所述流体捕集池移动,所述流体捕集池包括:外壁;多个喷嘴,所述多个喷嘴穿过多个开口设置且从所述外壁面向内侧,所述多个开口穿过所述外壁形成;内壁,所述内壁设置在所述外壁的径向内侧;和基部部分,所述基部部分将所述内壁连接至所述外壁,其中所述外壁、所述内壁和所述基部部分共同界定槽。8.如权利要求7所述的抛光系统,其中所述捕集池形成环形环,所述环形环经设定尺寸以围绕抛光台且与所述抛光台间隔约5cm或更小的间隙。9.如权利要求7所述的抛光系统,进一步...
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