不受噪声和变化影响的窄范围读出放大器制造技术

一种存储电路包括存储阵列，存储阵列具有提供参考信号的一个或多个参考行和在由读取操作选择时提供数据信号的数据行。存储电路还包括：第一电路，第一电路从参考信号中和从数据信号中去除共同信号分量；以及第二电路，第二电路将参考信号调整为在逻辑1信号电平和逻辑0信号电平之间。存储电路还包含读出放大器，读出放大器确定数据信号代表逻辑1还是逻辑0，这是使用在去除共同信号分量且在被调整之后的参考信号、以及在去除共同信号分量之后的数据信号来实现的。据信号来实现的。据信号来实现的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】不受噪声和变化影响的窄范围读出放大器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有2019年6月11日提交的第16/438,090号美国专利申请的优先权，出于所有目的，通过引用将该美国专利申请的全部内容并入本文。

技术介绍

[0003]现代计算机存储器使用读出放大器(sense amplifier)作为用于从存储器读取数据的电路系统的一部分。读出放大器的作用是感测来自位线(bit line)的低功率信号，位线代表存储在存储单元(memory cell)中的单个数据位(1或0)。随后，读出放大器将较小的电压摆幅(voltage swing)放大到能够被与存储器以接口方式连接(interface with)的数字逻辑适当识别和解释(interpret)的逻辑电平。通常，通过存储阵列中的行多任务器(column multiplexor)，把读出放大器包括在内用于多行存储单元。高性能存储器需要以低功耗最小化读出延迟(sense delay)同时最大化电压差放大电平的读出放大器。

技术实现思路

[0004]在一些具体实施方式中，存储电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储电路，包含：存储阵列，所述存储阵列包含：一个或多个参考行，提供参考信号；多个数据行，其中所述多个数据行包含在由读取操作选择时提供数据信号的数据行；第一电路，从所述参考信号中和从所述数据信号中去除共同信号分量；第二电路，将所述参考信号调整为在逻辑1信号电平和逻辑0信号电平之间；以及读出放大器，使用以下信号来确定所述数据信号是代表逻辑1还是逻辑0：在由所述第一电路去除所述共同信号分量之后且在由所述第二电路调整之后的所述参考信号；以及在由所述第一电路去除所述共同信号分量之后的所述数据信号。2.如权利要求1所述的存储电路，其中所述读出放大器包含锁存放大器。3.如权利要求1所述的存储电路，其中所述存储阵列包含磁性随机存取存储(MRAM)阵列。4.如权利要求1所述的存储电路，其中所述一个或多个参考行包含位于所述存储阵列的大略中心处的参考行。5.如权利要求1所述的存储电路，其中所述一个或多个参考行包含第一参考行与第二参考行，所述第一参考行提供所述参考信号，且所述第二参考行作为所述第一参考行的备份。6.如权利要求1所述的存储电路，其中所述存储阵列中的所述多个数据行包含被构造为输出所储存的逻辑电平的多个位单元，且所述一个或多个参考行包含被构造为输出所述逻辑0信号电平的多个位单元。7.如权利要求1所述的存储电路，其中通过将所述参考信号减小至所述逻辑1信号电平与所述逻辑0信号电平之间的大略中心信号电平，而调整所述参考信号。8.如权利要求1所述的存储电路，其中通过将一种信号注入所述参考信号与所述数据信号而从所述参考信号和从所述数据信号去除所述共同信号分量，其中注入所述参考信号与所述数据信号的所述一种信号的量是由多个共源共栅晶体管对控制的。9.一种从存储电路读取数据的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：