用于V-NAND字线堆叠的衬里制造技术

讨论了形成存储器结构的方法。具体地，讨论了形成3D NAND器件的方法。一些实施方式形成具有金属氮化物阻挡层、α

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于V
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NAND字线堆叠的衬里


[0001]本公开内容的实施方式涉及电子器件以及用于制造该电子器件的方法和设备的领域。更特别地，本公开内容的实施方式提供了在堆叠中具有金属氮化物膜和α
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钨层的竖直NAND存储器器件。

技术介绍

[0002]半导体技术已经迅速地发展，并且随着技术进步，器件尺寸已经缩小，以提供每单位空间的更快速的处理和存储。随着半导体技术进步，市场需要越来越小而每单位面积的结构越来越多的芯片。在小型化方面取得了许多进步的一类器件是存储器器件。随着对更高密度的需求的增加，3D NAND器件的典型方法是堆叠更多层。然而，附加层造成因增大的深宽比而越来越难蚀刻的更厚的堆叠。
[0003]目前，氮化钛(TiN)用作3D NAND器件的衬里。然而，为了维持F阻挡性能，氮化钛衬里的厚度需要为至少随着存储器结构变得更密集和复杂，这种厚衬里减少了可用于钨填充的空间，从而不利地影响堆叠电阻率。
[0004]因此，需要降低堆叠电阻率，同时提供良好的阻挡性能。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器结构，包括：硅材料和金属栅极的多个交替层，所述金属栅极包括共形阻挡层、共形α
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钨(W)层和体钨层；和存储器孔沟道，所述存储器孔沟道穿过所述多个交替层形成并且具有沉积在所述存储器孔沟道的第一表面、第二表面、第三表面上的共形多晶硅材料层。2.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述阻挡层包括具有化学式TiXN或TaXN的金属氮化物。3.如权利要求2所述的存储器结构，其中所述X选自铝(Al)、硅(Si)、钨(W)、镧(La)、钇(Yt)、锶(Sr)或镁(Mg)中的一种或多种。4.如权利要求2所述的存储器结构，其中所述金属氮化物材料选自氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛硅(TiSiN)、氮化钛钨(TiWN)、氮化钽(TaN)、氮化硅钽(TaSiN)、氮化钽铝(TaAlN)、氮化钽钨(TaWN)、氮化钽(TaN)、氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)或氮化钛镁(TiMgN)中的一种或多种。5.如权利要求2所述的存储器结构，其中所述阻挡层具有在约至约的范围内的较小的厚度。6.如权利要求4所述的存储器结构，其中X以约5％至约50％的量存在于所述阻挡层中。7.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述α
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钨(W)层具有在约至约的范围内的厚度。8.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述金属栅极进一步包括高K层。9.一种3D NAND存储器单元，包括多个如权利要求1所述的存储器结构，所述多个存储器结构以三维配置围绕所述存储器孔沟道布置。10.如权利要求8所述的3D NAND存储器单元，进一步包括位线，所述位线在所述存储器孔沟道中，与所述共形多晶硅材料层接触。11.一种形成存储器结构的方法，所述方法包括：沉积氮化物材料和氧化物材料的多个交替层；穿过所述多个交替层蚀刻存储器孔以形成所述交替层的第一暴露表面和第二暴露表面，所述存储器孔具有宽度；将共形多晶硅层沉积在所述存储器孔中；去除所述氮化物材料以形成开口并且暴露所述氧化物材料；将高K层共形地沉积在所述开口中；将...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰奎琳，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：