本公开内容之实施方式包括裸片系统与比较对准向量的方法。该裸片系统包括以期望图案排列的多个裸片。能够从该裸片的边缘特征确定对准向量，诸如裸片向量。这些对准向量能够与相同系统中的其他裸片或裸片图案比较。一种比较裸片与裸片图案的方法包括：比较...

本文描述的示例提供了一种用于在单程中写入多个色调的光刻工艺的系统、软件应用和方法。一种系统包括工作台和光刻系统。所述光刻系统包括图像投影系统、控制器和存储器。所述控制器耦接到所述存储器，所述存储器存储指令代码。所述控制器对所述指令代码的...

在本文中提供了用于基板处理腔室中的对称的流量阀的实施例。在一些实施例中，一种对称的流量阀包括：阀体，所述阀体具有侧壁、底板和顶板，所述侧壁、所述底板和所述顶板一起界定内部空间，其中所述顶板包括：一个或多个轴对称地设置的开口；提升阀，设置...

于此公开的实施方式关于光刻系统和制造图案的方法。光刻系统包括用于产生掩模、图案化基板、在图案化的基板上执行计量以及将计量值与掩模进行比较的各种部件。形成图案的方法包括以下步骤：将图案化的基板与掩模进行比较；及确定新的掩模，新的掩模结合了...

本公开内容的实施方式涉及一种光刻工艺的系统、软件应用程序及方法，利用光刻环境的每个部件可读取的文档来更新掩模图案、无掩模光刻装置参数、光刻工艺参数之中的一者或多者。光刻环境的每个部件可读取的文档储存并共享文本资料，并促进光刻环境的各个部...

本文披露了一种声波清洁插入件。在一个实例中，声波清洁插入件包括被配置为围绕中心轴旋转的转盘。转盘还包括具有外周边的平台。平台围绕中心轴径向地设置。转盘具有内环和包围内环的外环。多个隔板将内环和外环耦接至平台。多个隔板围绕中心轴以预定角度...

一种使存储器结构的位线金属的顶表面平滑以降低位线堆叠的电阻的工艺。该工艺包括在基板上的多晶硅层上沉积约至的钛层，在钛层上沉积约至约的第一氮化钛层，在约700℃至约850℃的温度下对基板进行退火，退火后在第一氮化钛层上沉积约至约的第二氮化...

示例性电镀方法可以包括：将来自电源的电流传送流过电镀腔室的镀敷浴槽达第一时间周期。所传送的电流可以是或者可以包括脉冲电流，占空因数小于或者大约是50％，这些方法可以包括：在镀敷浴槽内将第一数量的金属镀敷在基板上。该基板可以界定过孔，该过...

电镀系统可包括电镀腔室。这些系统也可包括与所述电镀腔室流体耦接的补给组件。所述补给组件可包括容纳阳极材料的第一隔室。所述第一隔室可包括在其中容纳有所述阳极材料的第一隔室区段和通过间隔物与所述第一隔室区段分离的第二隔室区段。所述补给组件可...

本公开内容的实施方式大体上涉及在航空部件上的保护涂层和用于沉积所述保护涂层的方法。所述保护涂层可以是抗焦化涂层，用于在所述航空部件在存在燃料的情况下被加热时减少或抑制生焦。在一个或多实施方式中，用于在航空部件上沉积保护涂层的方法包括在所...

示例性半导体处理系统可包含被配置为支撑半导体基板的基座。基座可以作为第一等离子体产生电极操作。系统可包含限定径向容积的盖板。系统可包含用盖板支撑的面板。面板可以作为第二等离子体产生电极操作。等离子体处理区域可以在由面板限定的径向容积内被...

本文中提出的实施例涉及处理腔室中的射频(RF)接地。在一个实施例中，介电板设置在处理腔室的腔室主体与盖之间。介电板横向延伸到由腔室主体和盖界定的容积中。基板支撑件设置在与盖相对的容积中。基板支撑件包括设置在杆上的支撑主体。支撑主体包括中...

用于抛光垫的增材制造的配方、系统与方法。配方包括单体、分散剂与纳米颗粒。制备配方的方法包括以下步骤：将是聚酯衍生物的分散剂添加至单体、将金属

本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。装置包括：基板；相邻像素限定层(PDL)结构，所述相邻PDL结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素；无机悬垂结构，所...

本案说明一种制造环绕式栅极电子装置的方法。此方法包括以下步骤：通过增强原位蒸汽产生处理并结合低K层的原子层沉积来形成热氧化物层。薄热氧化物层钝化环绕式栅极(GAA)的硅层与介电层之间的界面。在低K层的沉积之后的钝化处理降低本体缺陷(bu...

校准电子处理系统的对准器站的方法。通过传送腔室的第一机械臂从连接传送腔室的处理腔室取回校准。校准物体在处理腔室具有目标取向。通过第一机械臂将校准放置在连接传送腔室的装载锁定。通过连接装载锁定的工厂接口的第二机械臂从装载锁定取回校准。通过...

本文公开的实施方式包括用于源阵列的外壳。在一个实施方式中，外壳包括导电体，其中导电体包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。在一个实施方式中，穿过导电体形成多个开口，并且在导电体的第二表面中设置通道。在一个实施方式中，盖在通道之上，并且...

本案公开的实施方式包括用于源组件的壳体。在一个实施方式中，壳体包括导电体与多个开口，导电体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，多个开口穿过第一表面和第二表面之间的导电体的厚度。在一个实施方式中，壳体进一步包括进入导电体的第一表面的通...

本公开内容的实施方式涉及光刻模拟和光学邻近校正。场引导曝光后烘烤工艺使得能够改善光刻性能，并且这样的工艺的各种参数包括于根据本文所述的实施方式产生的光学邻近校正模型中。光学邻近校正模型包括以下一个或多个参数：各向异性酸蚀刻特性、离子产生...

本文描述的实施方式涉及在半导体工艺内进行调谐以改善等离子体稳定性的方法。在这些实施方式中，提供多个匹配网络。所述匹配网络中的每一个匹配网络将射频(RF)源耦接到位于电极上的多个连接点中的一个连接点。基于调谐参数信息和物理几何信息，控制器...