具有集成温度控制的单片式模块化微波源制造技术

本案公开的实施方式包括用于源组件的壳体。在一个实施方式中，壳体包括导电体与多个开口，导电体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，多个开口穿过第一表面和第二表面之间的导电体的厚度。在一个实施方式中，壳体进一步包括进入导电体的第一表面的通道以及在所述通道之上的盖件。在一个实施方式中，盖件之上的第一杆远离第一表面延伸，以及盖件之上的第二杆远离第一表面延伸。在一个实施方式中，第一杆和第二杆通向通道。第一杆和第二杆通向通道。第一杆和第二杆通向通道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有集成温度控制的单片式模块化微波源
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年9月27日递交的美国非临时申请No.16/586,548的优先权，通过引用的方式将所述申请的全部内容结合在此。


[0003]实施方式与半导体制造的领域相关，且详细而言与用于高频源的具有集成温度控制的单片式(monolithic)源阵列相关。
[0004]现有技术的描述
[0005]一些高频等离子体源包括穿过介电板中的开口的施加器。通过介电板的开口允许施加器(例如介电腔谐振器)暴露于等离子体环境。然而，已经显示，等离子体也产生在环绕施加器的空间中的介电板中的开口中。这有可能在处理腔室内产生等离子体不均匀性。并且，将施加器暴露于等离子体环境可能导致施加器更快速地劣化。
[0006]在一些实施方式中，将施加器定位在介电板之上或定位在进入(但不通过)介电板的空腔内。此类配置减少了与腔室的内部的耦合，且因此并不提供最佳的等离子体产生。高频电磁辐射与腔室的内部的耦合部分地由于介电板与施加器之间的额外界面而减少，高频电磁辐射需要跨所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种壳体，包括：导电体，所述导电体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个开口，所述多个开口穿过所述第一表面和所述第二表面之间的所述导电体的厚度；通道，所述通道进入所述导电体的所述第一表面；盖件，所述盖件在所述通道之上；第一杆，所述第一杆在所述盖件之上并远离所述第一表面延伸，其中所述第一杆通向所述通道；及第二杆，所述第二杆在所述盖件之上并远离所述第一表面延伸，其中所述第二杆通向所述通道。2.如权利要求1所述的壳体，其中所述通道围绕所述多个开口中的至少一个。3.如权利要求1所述的壳体，其中所述第一杆在所述盖件的第一端处，且所述第二杆在所述盖件的第二端处。4.如权利要求1所述的壳体，其中所述开口的每个的直径为约15mm或更大。5.如权利要求1所述的壳体，所述壳体进一步包括：盖板，所述盖板在所述导电体的所述第一表面之上。6.如权利要求5所述的壳体，其中所述盖板包括：第一孔，所述第一孔穿过所述盖板的厚度；及第二孔，所述第二孔穿过所述盖板的厚度。7.如权利要求6所述的壳体，其中所述第一杆延伸穿过所述第一孔，及其中所述第二杆延伸穿过所述第二孔。8.如权利要求5所述的壳体，其中所述盖板包括：加热元件。9.如权利要求8所述的壳体，其中所述加热元件被埋入沟槽中，所述沟槽进入所述盖板的第一表面中，所述盖板的所述第一表面背离所述导电体。10.如权利要求1所述的壳体，所述壳体进一步包括：多个通道；及多个盖件，其中每个盖件在所述通道中的不同通道之上。11.一种组件，包括：单片式源阵列，包含：介电板，所述介电板具有第一表面和第二表面；多个凸部，所述多个凸部从所述介电板的所述第一表面延伸出；及壳体，包含：导电体，所述导电体具有第三表面和第四表面；多个开口，所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：