射频功率返回路径制造技术

本文中提出的实施例涉及处理腔室中的射频(RF)接地。在一个实施例中，介电板设置在处理腔室的腔室主体与盖之间。介电板横向延伸到由腔室主体和盖界定的容积中。基板支撑件设置在与盖相对的容积中。基板支撑件包括设置在杆上的支撑主体。支撑主体包括中心区域和周边区域。周边区域在中心区域的径向外侧。中心区域的厚度小于周边区域的厚度。凸缘设置为与周边区域的底表面相邻。凸缘从周边区域的外边缘径向向外延伸。波纹管设置在凸缘上并配置成密封地耦接到介电板。地耦接到介电板。地耦接到介电板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】射频功率返回路径


[0001]本公开的实施例大体上涉及一种装置，并且更具体地，涉及一种用于促进在基板上沉积均匀厚度的膜的装置。相关技术说明
[0002]化学气相沉积(CVD)和等离子体增强CVD(PECVD)是用于在基板(诸如半导体基板)上沉积膜的工艺。通常通过将处理气体引入其中包含基板的处理腔室中来实现CVD。处理气体被引导通过气体分配组件并进入处理腔室中的处理容积。气体分配组件设置在与位于基座上的基板相对的处理容积中。
[0003]射频(RF)功率可用于激活处理腔室中的处理气体。射频功率有返回源的趋势。在某些情况下，处理腔室中的RF功率可能会产生电弧，这可能会损坏处理腔室及其部件。提供了接地路径，以引导RF功率远离处理腔室的部件，以防止对处理腔室的部件造成损坏并尝试减少处理腔室中电弧的发生。然而，当前的接地路径设计很复杂，并且使得在处理腔室中产生电弧。
[0004]因此，需要改进的RF返回路径设计。

技术实现思路

[0005]在一个实施例中，提供了一种装置，所述装置包括界定其中的容积的腔室主体和盖。介电板设置在腔室主体与盖之间。介电板横向延伸到容积中。基板支撑件设置容积中、在与盖相对。基板支撑件包括设置在杆上的支撑主体。支撑主体包括中心区域和在中心区域的径向外侧的周边区域。中心区域的厚度小于周边区域的厚度。基板支撑件还包括与周边区域的底表面相邻的凸缘。凸缘从周边区域的外边缘径向向外延伸。波纹管设置在凸缘上并配置成密封地耦接到介电板。
[0006]在另一个实施例中，提供了一种装置，所述装置包括界定其中容积的腔室主体和盖。介电板设置在腔室主体与盖之间。介电板横向延伸到容积中。通道穿过与介电板相邻的盖形成。通道围绕容积的至少一部分。基板支撑件设置在容积中、与盖相对。基板支撑件包括设置在杆上的支撑主体。支撑主体包括中心区域和在中心区域的径向外侧的周边区域。中心区域的厚度小于周边区域的厚度。凸缘设置为与周边区域的底表面相邻。凸缘从周边区域的外边缘径向向外延伸。波纹管设置在凸缘上并配置成将凸缘密封地耦接到介电板。
[0007]在又一个实施例中，提供了一种装置，所述装置包括界定其中容积的腔室主体和盖。介电板设置在腔室主体与盖之间。介电板横向延伸到容积中。通道穿过与介电板相邻的盖形成。通道围绕容积的至少一部分。基板支撑件设置在容积中、与盖相对。基板支撑件包括设置在杆上的支撑主体。支撑主体包括中心区域和在中心区域的径向外侧的周边区域。中心区域的厚度小于周边区域的厚度。凸缘设置为与周边区域的底表面相邻。凸缘从周边区域的外边缘径向向外延伸。波纹管设置在凸缘上。波纹管耦接到凸缘和板。开口穿过波纹管形成。当波纹管被压缩时，开口被密封闭合。附图简述
[0008]为了可详细地理解本公开的上述特征的方式，可通过参考实施例来获得上面简要概述的本公开的更详细的描述，其中一些实施例在附随的附图中显示。然而，应注意，附随的附图中仅显示了示例性实施例，且因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开可允许其他等效实施例。
[0009]图1显示了根据一个实施例的处理腔室的示意性横截面视图。
[0010]图2A显示了根据一个实施例的接地布置的示意性俯视图。
[0011]图2B显示了根据一个实施例的接地布置的示意性侧视图。
[0012]图3A显示了根据一个实施例的波纹管的示意性横截面视图。
[0013]图3B显示了根据一个实施例的波纹管布置的示意性横截面视图。
[0014]图4显示了根据一个实施例的处理腔室的示意性横截面视图。
[0015]图5A显示了根据一个实施例的处理腔室的示意性横截面视图。
[0016]图5B显示了根据一个实施例的接地片的示意性俯视图。
[0017]图5C显示了根据一个实施例的接地片的示意性俯视图。
[0018]图6显示了根据一个实施例的处理腔室的示意性横截面视图。
[0019]为促进理解，在可能的情况下使用了相同的附图标记来表示附图中共有的相同元件。可预期的是，一个实施例的元件和特征可有益地并入其他实施例中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
[0020]本文中提出的实施例涉及处理腔室中的射频(RF)接地。在一个实施例中，介电板设置在处理腔室的腔室主体与盖之间。介电板横向延伸到由腔室主体和盖界定的容积中。基板支撑件设置在容积中、与盖相对。基板支撑件包括设置在杆上的支撑主体。支撑主体包括中心区域和周边区域。周边区域在中心区域的径向外侧。中心区域的厚度小于周边区域的厚度。凸缘设置为与周边区域的底表面相邻。凸缘从周边区域的外边缘径向向外延伸。波纹管设置在凸缘上并配置成密封地耦接到介电板。
[0021]图1显示了根据一个实施例的处理腔室100的示意性横截面视图。处理腔室100包括腔室主体102和设置在腔室主体102上的盖104。腔室主体102和盖104界定了其中的容积110。腔室主体102的底部148面对盖104。
[0022]盖104包括面板106，面板106具有穿过其中形成的多个孔134。气源130耦接到盖104。来自气源130的气体流入至少部分地由盖104和面板106界定的气室132中。气室132经由多个孔134与容积110流体连通。穿过面板106的多个孔134使得气体基本均匀地分布到容积110中。
[0023]基板支撑件105(例如，基座)设置在与盖104相对的容积110中。基板支撑件105包括支撑主体112和杆108。杆108横向延伸穿过腔室主体108的底部148。杆108基本法向于底部148。支撑主体112的支撑表面150面对盖104。底部148基本平行于面板106。
[0024]支撑主体112设置在杆108上。支撑主体112包括第一部分151和第二部分152。第一部分151与杆108基本上同轴，并且包括支撑表面150。第一部分151基本上平行于面板106和底部148。第二部分152耦接到第一部分151，并且从第一部分151朝向底部148横向地延伸。第二部分152是圆柱形的并且基本上垂直于第一部分151，从而围绕杆108的至少一部分。
[0025]第一部分151的底表面156面对腔室主体102的底部148。第二部分152的内表面158面对杆108。第二部分152的底表面154面对腔室主体102的底部148。第二部分152的底表面154比第一部分151的底表面156更靠近腔室主体102的底部148。在一些实施例中，支撑主体112是整体构件。
[0026]支撑主体112的外表面144是支撑主体112的径向外表面，并且面对腔室主体102。外表面144背离杆108，并且基本上垂直于腔室主体102的底部148和支撑表面150。接地板146耦接到第一部分151的底表面156和第二部分152的内表面158。也就是说，接地板146设置在支撑主体112和杆108之间。接地板146由导电材料制成。在另一个示例中，接地板146包括中央开口，杆108穿过中心开口设置，从而允许在杆108与第一部分1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和盖在其中界定容积；介电板，设置在所述腔室主体与所述盖之间，所述介电板横向延伸到所述容积中；基板支撑件，设置在所述容积中、与所述盖相对，所述基板支撑件包括：支撑主体，设置在杆上，所述支撑主体包括中心区域和在所述中心区域的径向外侧的周边区域，所述中心区域的厚度小于所述周边区域的厚度；以及凸缘，与所述周边区域的底表面相邻，所述凸缘从所述周边区域的外边缘径向向外延伸；以及2.如权利要求1所述的装置，进一步包括波纹管，所述波纹管设置在所述凸缘上并且配置成密封地耦合到所述介电板。3.如权利要求1所述的装置，进一步包括导电棒，所述导电棒延伸穿过所述杆。4.如权利要求3所述的装置，其中所述导电棒能够耦接到地面。5.如权利要求1所述的装置，进一步包括接地板，所述接地板设置在所述支撑主体与所述杆之间，所述接地板耦接至所述凸缘。6.如权利要求5所述的装置，进一步包含：一个或多个接地块，位于所述容积中并设置在所述腔室主体上；以及一个或多个接地带，耦接到所述一个或多个接地块和所述接地板。7.如权利要求1所述的装置，进一步包括接地布置，所述接地布置包括围绕所述支撑主体设置的多个导电回路。8.一种装置，包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和盖在其中界定容积；介电板，设置在所述腔室主体与所述盖之间，所述介电板横向延伸到所述容积中；通道，穿过所述盖形成、与所述介电板相邻，所述通道围绕所述容积的至少一部分；以及基板支撑件，设置在所述容积中、与所述盖相对，所述基板支撑件包括：支撑主体，设置在杆上，所述支撑主体包括中心区域和在所述中心区域的径向外侧的周边区域，所述中心区域的厚度小于所述周边区域的厚度；凸缘，设置为与所述周边区域的底表面相邻，所述凸缘从所述周边区域的外边缘径向向外延伸；以及波纹管，设置在所述凸缘上并配置成将所述凸缘密封地耦接到所述介电板。9.如权利要求8所述的装置，进一步包括导电棒，所述导电棒延伸穿过所述杆。10.如权利要求9所述的装置，其中所述导电棒能够耦合至地面。11.如权利要求8所述的装置，进一步包括接地板，所述接地板设置在所述支撑主体与所述杆之间，所述接地板耦接至所述凸缘。12.如权利要求11所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：L，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：