公开了一种用于使用抛光浆料抛光基板的抛光站。抛光站包括：基板载体，所述基板载体具有基板接收表面；以及可旋转台板，所述可旋转台板具有设置在台板表面上的抛光垫，其中抛光垫具有面向基板接收表面的抛光表面。抛光站包括设置在台板表面之上的电磁组件...

一种水平预清洁模块包括：腔室，所述腔室包括共同地限定处理区域的盆和盖；可旋转真空台，所述可旋转真空台设置在所述处理区域中，所述可旋转真空台包括基板接收表面；垫调节站，所述垫调节站靠近所述可旋转真空台；垫载体定位臂，所述垫载体定位臂具有第...

提供了一种用沉积设备(100)在基板(10)上沉积已蒸发源材料的方法。方法包括：从蒸气源(20)的一个或多个喷嘴(22)朝向基板(10)引导已蒸发源材料穿过布置在一个或多个喷嘴(22)与基板之间的屏蔽装置(30)；将沉积设备从沉积位置(...

本文公开的实施方式包括用于在等离子体处理工具中使用的光学传感器系统。在一实施方式中，光学传感器系统包括：光学透明主体，具有第一表面和面向离开第一表面的方向的第二表面。在一实施方式中，光学透明主体进一步包括从第二表面凹陷的第三表面。在一实...

一种蒸发方法，包括：在坩埚中提供要蒸发的源材料；在所述坩埚中产生第一温度分布，来蒸发布置在所述坩埚的第一子容积中的所述源材料的第一部分；以及在所述坩埚中产生与所述第一温度分布不同的至少第二温度分布，来蒸发布置在所述坩埚的第二子容积中的所...

本文提供用于处理基板的方法和设备。例如，用于处理基板的方法可包括：使用工艺气体离子和从PVD腔室的靶材形成的金属离子两者，从设置在PVD腔室中的基板选择性地蚀刻暴露的第一材料层，所述暴露的第一材料层覆盖下方的第二材料层且与暴露的第三材料...

一种化学机械抛光的方法包括：使基板的导电层与抛光垫接触；将抛光液供应到抛光垫；使基板与抛光垫之间产生相对运动；在抛光导电层时用原位电磁感应监测系统监测基板以产生取决于导电层的厚度的信号值序列；以及基于信号值序列来确定导电层的厚度值序列。...

本案的实施方式包括一种用于图案化层状结构的光刻设备、图案化系统及方法。图案化系统包括图像形成装置及反应层。图案化系统允许在单一操作中创建光刻图案。光刻设备包括图案化系统和光学系统。光刻设备与图像形成装置一起使用多个波长的光，以在反应层上...

描述了一种用于在辊子运输轨道(200a、200b)上沿运输方向(X)运输的载体(100)，所述载体(100)包括：第一轨道(120)，所述第一轨道具有第一辊子接触面，所述第一轨道配置用于在所述辊子运输轨道(200a、200b)上的至少一...

本文所述的实施方式包括用于在控制基板的弓形弯曲和材料层的表面粗糙度的同时在基板上沉积材料层的方法。调整当沉积材料层时施加至基板的偏压以控制基板的弓形弯曲。在材料层上执行轰击工艺以改善材料层的表面粗糙度。偏压和轰击工艺改善材料层的均匀性，...

本文的多个实施方式涉及使用基于无掩模平板印刷术来形成层的方法。在这些实施方式中，该方法实现了剂量变化的阶梯，将几何形状划分为覆盖部分。覆盖部分可包括各部分的不同剂量以实现控制渐缩部。渐缩部可以通过将几何“掩模数据”操作成由像素融合(PB...

描述一种用于屏蔽具有真空腔室的沉积设备的沉积源的材料的屏蔽件。所述屏蔽件包括：框架，所述框架被配置成被安装到所述沉积设备上；屏蔽组件，所述屏蔽组件与所述框架耦接，所述屏蔽组件包括：第一侧屏蔽部分、第二侧屏蔽部分、和在所述第一侧屏蔽部分与...

提供一种用于在基板上沉积材料的真空处理设备(110)。真空处理设备(110)包括：真空腔室，真空腔室包括处理区域(111)；在真空腔室的处理区域(111)内的沉积设备(112)；在真空腔室内部的冷却表面(113)；和在冷却表面(113)...

提供了一种制造图案化层堆叠物的方法。所述方法包括沉积层堆叠物。沉积层堆叠物包括：在包括惰性气体和氢的处理气体气氛中在基板上沉积第一透明导电氧化物层；在所述第一透明导电氧化物层上沉积金属层；以及在所述金属层上沉积第二透明导电氧化物层。所述...

提供了用于形成设置在基板上的有机发光二极管(OLED)结构的方法和设备。在一个实施方式中，提供了一种用于形成有机发光二极管(OLED)基板的方法，所述方法包括：在第一方向上在基板上形成第一导电层；在所述第一导电层的一部分上形成介电层，其...

一种用于抛光垫的抛光层的增材制造的系统、配方和方法。所述配方包括基于双官能多元醇或双官能多硫醇的聚氨酯丙烯酸酯低聚物。所述技术包括选择所述双官能多元醇或所述双官能多硫醇以影响所述抛光层的性质。所述配方还包括单体和光敏引发剂。所述配方的黏...

本文的实施例包括可用于在抛光基板之前有益地去除粘附到所述基板的倾斜边缘的纳米级和/或微米级颗粒的载体装载站和与其相关的方法。通过从所述倾斜边缘去除此类污染物(例如松散地粘附的介电材料颗粒)，可避免抛光界面的污染，由此防止和/或实质上减少...

公开金属栅极堆叠结构和形成金属栅极堆叠结构的整合的方法。一些实施方式包含MoN作为PMOS功函数材料。一些实施方式包含TiSiN作为高κ覆盖层。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能伴随减小的...

描述水平全环绕式栅极装置及制造其的方法。所述hGAA装置包含位于该装置的源极区域与漏极区域之间的经掺杂半导体材料。所述方法包括：掺杂位于电子装置的源极区域与漏极区域之间的半导体材料层。间的半导体材料层。间的半导体材料层。

一种用于验证用于数字光刻的设计文档的验证设备，包括存储器及控制器。存储器包括设计文档。控制器被配置为访问设计文档，及向设计文档应用一个或多个合规性规则，以确定设计文档的合规性。合规性规则包括以下项目中的至少一者：检测设计文档内的非正交边...