用于有机发光二极管显示结构的方法和设备技术

提供了用于形成设置在基板上的有机发光二极管(OLED)结构的方法和设备。在一个实施方式中，提供了一种用于形成有机发光二极管(OLED)基板的方法，所述方法包括：在第一方向上在基板上形成第一导电层；在所述第一导电层的一部分上形成介电层，其中所述介电层包括使所述第一导电层的一部分暴露的阱；在第二方向上且在两个汇流条之间将有机材料连续地沉积在所述阱中和所述介电层上；以及在与所述第一方向正交的第二方向上且在两个汇流条之间在所述有机材料上连续地形成第二导电层，其中所述第二导电层在所述第二导电层的相对侧上与所述汇流条直接接触；以及在所述第二方向上在所述第二导电层上连续地沉积封装层并完全地覆盖所述第二导电层。覆盖所述第二导电层。覆盖所述第二导电层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机发光二极管显示结构的方法和设备

技术介绍


[0001]本公开内容的实施方式总体上涉及用于形成有机发光二极管(OLED)显示结构的方法和设备，并且更具体地，涉及使用线型光刻图案化形成OLED显示结构。
[0002]相关技术的描述
[0003]与液晶显示器(LCD)相比，使用有机发光二极管(OLED)的显示器最近在显示器应用中获得了极大的关注，因为它们具有更快的响应时间、更大的视角、更高的对比度、更轻的重量、低功率以及易于形成在柔性基板上。然而，常规地，红色、绿色、蓝色子像素的形成要求多次精细金属掩模工艺，这限制了像素密度，并且很难用于大尺寸显示器。提出了光刻图案化以克服来自精细金属掩模工艺的限制。在常规的光刻图案化中，具有全OLED堆叠沉积和像素化封装的“点”型图案化用于形成红色、绿色和蓝色子像素，并且要求附加的阴极接触工艺步骤来提供公共总线和每个子像素的阴极。例如，在常规的“点”型图案化中，单独的子像素的部分被掩蔽，使得每个子像素的阴极与其他子像素阴极隔离，并且要求附加的阴极接触工艺来将阴极连接到公共总线。
[0004]因此，需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机发光二极管(OLED)显示结构的形成方法，包括：在第一方向上在基板上沉积两个汇流条；在相对于所述第一方向的第二方向上在所述基板上沉积第一导电层作为多个离散岛状物；在所述第一导电层的一部分上沉积介电层，其中所述介电层包括使所述第一导电层的一部分暴露的阱；在所述第二方向上且在所述两个汇流条之间将有机发光材料沉积到所述阱中和所述介电层上；在所述第二方向上且在所述两个汇流条之间在所述有机发光材料上沉积第二导电层，其中所述第二导电层在所述述第二导电层的相对侧上与所述汇流条中的每一者直接接触；以及在所述第二方向上在所述第二导电层上沉积封装层以覆盖所述第二导电层的边界。2.如权利要求1所述的方法，其中在所述沉积所述有机发光材料期间使用敞开掩模，使得所述有机发光材料与所述汇流条电隔离。3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电层中的每一者与相应的子像素相关联。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电层中的每一者包围相应的阱。5.如权利要求1所述的方法，其中所述有机发光材料在所述第二方向上连续地沉积在所述阱中，并且所述封装层在所述第二方向上连续地沉积在所述第二导电层上以完全地覆盖所述第二导电层的所述边界。6.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括多个第三导电层，所述多个第三导电层在所述第一方向上形成在所述两个汇流条之间，其中所述阱中的所述有机发光材料包括限定像素列的多个子像素中的子像素，并且所述多个第三导电层中的每一者包括耦接到所述第二导电层并定位在两个像素列之间的一个或多个第一电触点。7.如权利要求6所述的方法，其中所述一个或多个第一电触点中的每一者经由透明导电层与所述两个汇流条电连通。8.如权利要求6所述的方法，其中所述第二导电层包括一个或多个第二电触点，所述一个或多个第二电触点电耦接到所述第三导电层并定位在所述像素列的两个子像素之间。9.如权利要求8所述的方法，其中在所述一个或多个第一电触点和第二电触点之上形成透明导电层。10.一种有机发光二极管基板，包括：第一导电层，所述第一导电层在第一方向上形成在基板上；介电层，所述介电层设置在所述第一导电层的一部分上，其中所述介电层包括阱；有机材料，所述有机材料在相对于所述第一方向的第二方向上且在两个汇流条之间在所述阱中和所述介电层上，并且与所述第一导电层接触；第二导电层，所述第二导电层在所述第二方向上且在所述两个汇流条之间设置在所述有机材料上，其中所述第二导电层在所述第二导电层的相对侧上与...

【专利技术属性】
技术研发人员：林裕新，金时经，李汀珉，迪特尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：