【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】排斥网和沉积方法
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2019年9月12日提交的美国临时专利申请第62/899,351号的优先权权益，所述临时专利申请的内容出于所有目的以其整体结合于此。
[0002]本技术涉及半导体工艺和腔室部件。更具体地，本技术涉及修改的部件和沉积方法。
技术介绍
[0003]通过在基板表面上产生错综复杂地图案化的材料层的工艺使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化的材料需要受控的形成和移除暴露材料的方法。随着器件尺寸不断缩小，颗粒污染可能成为越来越大的挑战。在沉积方法期间，可将材料沉积在腔室部件上，并且此材料可能在沉积之后掉落到基板上，这可能影响器件质量。
[0004]因此，需要可以用来生产高质量的器件和结构的改善的系统和方法。本技术解决了这些和其他的需要。
技术实现思路
[0005]示例性沉积方法可以包括以下步骤：以第一电压将半导体基板静电地卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括以下步骤：执行沉积工艺。所述沉积工艺可以包括以下步骤：在半导体处...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种沉积方法，包括以下步骤：以第一电压将半导体基板静电地卡紧在半导体处理腔室的处理区域内；执行沉积工艺，其中所述沉积工艺包括以下步骤：在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成等离子体；停止在所述半导体处理腔室内形成所述等离子体；与所述停止步骤同时，将静电卡紧的所述第一电压增加到第二电压；以及净化所述半导体处理腔室的所述处理区域。2.如权利要求1所述的沉积方法，其中所述第一电压为200V或更小，并且其中所述第二电压为500V或更大。3.如权利要求1所述的沉积方法，其中将所述半导体基板静电地卡紧到基板支撑件，其中所述半导体处理腔室包括喷头，并且其中所述沉积工艺在所述半导体基板定位在与所述喷头相距第一距离的情况下发生。4.如权利要求3所述的沉积方法，其中所述基板支撑件包括设置在所述基板支撑件内的网，并且其中所述网由在所述网的内部位置处的第一网密度来表征，并且其中所述网由在所述网的外部位置处的第二网密度来表征，所述网的所述外部位置环绕所述网的所述内部位置。5.如权利要求3所述的沉积方法，进一步包括以下步骤：在将所述第一电压增加到所述第二电压时，将所述半导体基板重新定位到与所述喷头相距第二距离，其中所述第二距离比所述第一距离大25％以上。6.如权利要求1所述的沉积方法，其中所述沉积工艺包括以下步骤：使用正硅酸四乙酯来沉积氧化硅。7.一种半导体处理腔室，包括：底座，所述底座被配置为支撑半导体基板；以及导电网，所述导电网结合在所述底座内，其中所述导电网由在所述导电网的中心区域处的第一网密度来表征，并且其中所述导电网由在所述导电网的外部区域处的第二网密度来表征，所述第二网密度大于所述第一网密度。8.如权利要求7所述...
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