用于3DNAND的修改的堆叠制造技术

形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。交替层的堆叠。交替层的堆叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于3D NAND的修改的堆叠
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2019年8月7日申请的美国临时专利申请第62/884,034号的优先权权益，为了所有目的该临时申请的内容以其全文引用方式并入本文。


[0002]本技术关于半导体工艺及材料。更具体而言，本技术关于形成交替层膜堆叠。

技术介绍

[0003]通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的处理使集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要受控的形成及移除暴露材料的方法。堆叠内存(stacked memory)，如垂直或3D NAND，可包含形成一系列介电材料的交替层，穿过介电材料的交替层可蚀刻多个内存孔(hole)或孔径(aperture)。材料的层的材料特性以及蚀刻的处理条件和材料可影响所形成的结构的均匀性。材料缺陷可能导致图案化不一致，这可能进一步影响所形成的结构的均匀性。
[0004]因此，需要可用于产生高质量装置和结构的改进的系统及方法。通过本技术解决这些及其他需求。

技术实现思路

[0005]形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层；由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层，其中所述氮化硅层的特征在于氧浓度大于或约为5原子％；以及重复所述形成氧化硅层和所述形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。2.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述形成氧化硅层的所述含氧前驱物与所述形成氮化硅层的所述含氧前驱物为相同的前驱物。3.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述交替层的堆叠包括所述堆叠的第一部分和覆盖在所述堆叠的所述第一部分上方的所述堆叠的第二部分，所述堆叠的所述第一部分包含所述氧化硅层和所述氮化硅层，并且其中产生所述堆叠的所述第二部分包括：由所述含硅前驱物和所述含氮前驱物以及含氧前驱物形成氮化硅层，其中所述氮化硅层的特征在于氧浓度与在所述堆叠的所述第一部分中的所述氮化硅层的所述氧浓度不同。4.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述氮化硅层的所述氧浓度在约10原子％与约30原子％之间，并且其中氮原子百分比大于或约为30原子％。5.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中形成所述氮化硅层包括：使所述含硅前驱物和所述含氮前驱物流入基板处理区域中，形成一定量的氮化硅，以及在继续形成氮化硅的同时添加所述含氧前驱物。6.如权利要求5所述的形成半导体结构的方法，其中所述含氧前驱物以恒定的流动速率流动，并且其中形成的所述氮化硅层包括基本上不含氧的氮化硅与其特征在于氧浓度大于或约为5原子％的氮化硅的双层。7.如权利要求5所述的形成半导体结构的方法，其中在添加所述含氧前驱物期间，使所述含氧前驱物以增加的流动速率流动，并且其中形成的所述氮化硅层包括贯穿所述氮化硅层的氧浓度的梯度。8.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，进一步包括：穿过所述氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠形成一个或多个特征，其中在所述氮化硅层与覆盖的氧化硅层的界面处的所述氮化硅层的横向移除延伸一距离，所述距离小于或约为对应于所述氮化硅层的厚度的距离的50％。9.一种半导体结构，包括：覆盖半导体基板的层的堆叠，所述层的堆叠包...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩新海，H，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：