用以防止HDP-CVD腔室电弧放电的先进涂层方法及材料技术

本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP

【技术实现步骤摘要】
用以防止HDP
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CVD腔室电弧放电的先进涂层方法及材料
[0001]本申请是申请日为2016年10月26日、申请号为201680025485.7、专利技术名称为“用以防止HDP
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CVD腔室电弧放电的先进涂层方法及材料”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开内容的实施方式大体上涉及用以减少HDP
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CVD腔室电弧放电的装置及涂层方法。

技术介绍

[0003]高密度等离子体化学气相沉积(HDP
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CVD)采用电感耦合等离子体源以供在低真空压力下产生较高密度的等离子体。较高密度的等离子体造成优越的间隙填充性能、较低温度下的高品质膜沉积、高产量及简单的操作特性。HDP
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CVD的反应器设计及处理技术允许针对范围广泛的应用沉积未经掺杂的及经掺杂的膜两者，包括浅沟隔离(shallow trench isolation)(STI)、金属前介电层(pre
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metal dielectric layer)(PMD)、层间介电(ILD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种环形气体分配器，所述环形气体分配器用于在等离子体处理腔室的基板支撑件下方在所述等离子体处理腔室的下部分中分配陈化处理气体，所述环形气体分配器包括：环形主体，所述环形主体具有带有第一部分和第二部分的半环形形状，所述第一部分具有第一直径，所述第二部分具有第二直径，所述第一直径大于所述第二直径，所述环形主体具有平面和弯曲面，所述平面和所述弯曲面限定在所述环形主体中的空间，所述平面从所述第一部分延伸到所述第二部分；至少一个气体进口，所述至少一个气体进口通过所述环形主体的所述弯曲面而形成；及多个气体分配口，所述多个气体分配口通过所述环形主体的所述弯曲面而形成，所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中，其中所述多个均匀分布的行的第一行中的所述多个气体分配口被调适为以与所述多个均匀分布的行的第二行中的所述多个气体分配口的出口角不同的出口角引导气体，并且所述气体分配口中的至少一个气体分配口被配置为相对于所述环形气体分配器的中心线向外引导气体。2.如权利要求1所述的环形气体分配器，其中所述多个气体分配口从所述平面径向向内分配所述气体。3.如权利要求1所述的环形气体分配器，其中所述多个均匀分布的行是跨所述弯曲面均匀地分布的。4.如权利要求1所述的环形气体分配器，其中所述至少一个气体进口通过相邻于所述平面的所述弯曲面而形成，以将所述气体平行于所述平面注射到所述空间中。5.如权利要求1所述的环形气体分配器，其中所述环形主体包括选自由以下项组成的群组的材料：铝、氧化铝及氮化铝。6.如权利要求1所述的环形气体分配器，其中所述多个气体分配口中的每一个气体分配口具有在约0.5毫米与约3毫米之间的直径。7.如权利要求1所述的环形气体分配器，其中从所述第一部分到所述第二部分的所述平面的长度在约5mm与约30mm之间。8.一种环形气体分配器，所述环形气体分配器用于在等离子体处理腔室的基板支撑件下方在所述等离子体处理腔室的下部分中分配气体，所述环形气体分配器包括：环形主体，所述环形主体具有带有第一部分和第二部分的半环形形状，所述第一部分具有第一直径，所述第二部分具有第二直径，所述第一直径大于所述第二直径，所述环形主体具有平面和弯曲面，所述平面和所述弯曲面限定在所述环形主体中的空间，所述平面从所述第一部分延伸到所述第二部分，所述空间具有半圆形横截面；至少一个气体进口，所述至少一个气体进口通过所述环形主体的所述弯曲面而形成；及多个气体分配口，所述多个气体分配口通过所述环形主体的所述弯曲面而形成，其中所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中，并且其中所述多个均匀分布的行的第一行中的所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：琳，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：