通过选择性外延再生长的环绕式栅极输入/输出的形成方法技术

描述了具有环绕式栅极非I/O装置和I/O装置的鳍状结构的电子装置和形成方法。蚀刻多个虚拟栅极，以暴露出包括第一材料和第二材料交替层的鳍片。第二材料层被移除以产生开口，而剩下的第一材料层经外延生长以形成鳍状结构。剩下的第一材料层经外延生长以形成鳍状结构。剩下的第一材料层经外延生长以形成鳍状结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过选择性外延再生长的环绕式栅极输入/输出的形成方法


[0001]本公开内容的实施方式大体涉及半导体装置，更特定言之涉及水平环绕式栅极装置结构和形成水平环绕式栅极装置结构的方法和设备。

技术介绍

[0002]晶体管是大多数集成电路的关键部件。由于晶体管的驱动电流以及因此速度与晶体管的栅极宽度成正比，因此较快的晶体管通常需要较大的栅极宽度。因此，晶体管的大小和速度之间存在有妥协，且已经开发出“鳍式”场效应晶体管(finFET)来解决晶体管具有最大驱动电流和最小尺寸的矛盾目标。finFET的特点是在不显著增加晶体管的占地面积的情况下，通过鳍片形沟道区域大大增加了晶体管的尺寸，目前已在许多集成电路中得到应用。然而，finFET也有其自身的缺点。
[0003]由于晶体管装置的特征尺寸不断缩小，以达到更大的电路密度和更高的性能，因此需要改善晶体管装置的结构，以改善静电耦合，减少寄生电容和截止状态漏电等负面效应。晶体管装置结构的实例包括平坦结构、鳍式场效应晶体管(finFET)结构和水平环绕式栅极(hGAA)结构。hGAA装置结构包括多个以堆叠方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成半导体装置的方法，包括以下步骤：从基板表面蚀刻多个鳍片上方的多个虚拟栅极以提供沿第二方向延伸的多个沟槽，所述多个鳍片沿第一方向延伸且所述第二方向与所述第一方向交叉，以暴露所述多个鳍片的数个部分，使所述基板表面上的所述鳍片的数个部分被所述虚拟栅极覆盖，而所述鳍片的数个部分暴露出来，所述鳍片包括第一材料和第二材料的交替层；移除穿过所述沟槽暴露的栅极氧化物；穿过所述沟槽自所述多个鳍片上蚀刻所述第二材料层，使得所述第一材料层和开口交替出现；和外延生长所述第一材料层穿过所述沟槽，以将所述第一材料层合并成第一材料接点。2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：图案化基板表面上的多个鳍片。3.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述基板表面上形成栅极氧化物覆盖所述多个鳍片，通过蚀刻所述虚拟栅极而形成的所述沟槽暴露上方具有所述栅极氧化物的所述鳍片的数个部分。4.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述多个鳍片上形成沿所述第二方向延伸的所述多个虚拟栅极，使得所述鳍片的数个部分被所述虚拟栅极覆盖，而所述鳍片的数个部分暴露出来。5.如权利要求4所述的方法，进一步包括以下步骤：蚀刻所述鳍片暴露在所述虚拟栅极之间的数个部分。6.如权利要求5所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述虚拟栅极与所述虚拟栅极之间的暴露基板表面上沉积氧化物层。7.如权利要求6所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述基板上沉积非晶硅层，所述非晶硅层允许所述虚拟栅极的顶部被暴露出来。8.如权利要求7所述的方法，其中形成所述非晶硅层的步骤包括覆盖沉积工艺，接着为化学
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机械平坦化以暴露所述虚拟栅极的所述顶部。9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括至少一种III
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V族材料而所述第二材料包括至少一种III
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V族材料，所述第一材料与所述第二材料包括不同的材料。10.如权利要求9所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：本杰明，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：