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描述了具有环绕式栅极非I/O装置和I/O装置的鳍状结构的电子装置和形成方法。蚀刻多个虚拟栅极，以暴露出包括第一材料和第二材料交替层的鳍片。第二材料层被移除以产生开口，而剩下的第一材料层经外延生长以形成鳍状结构。剩下的第一材料层经外延生长以形...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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