【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理基板的方法和设备
[0001]本公开的实施例大体上是涉及用于处理基板的方法和设备，并且更具体地是涉及用于高性能芯片级热传导界面形成的方法和设备。相关技术说明
[0002]已知用于将冷却系统连接至诸如大功率芯片、片上系统(system on chip；SoC)或小芯片的芯片(集成芯片(integrated chip；IC))的方法和设备。例如，在芯片的封装级装配期间，可使用若干层诸如焊锡或铟基材料、散热体、冷却板(散热器(heat sink))和/或隔片(金属)的一种或多种合适的热界面材料(thermal interface material；TIM)将热量自芯片传导至冷却系统。常规的冷却系统可包括，例如，诸如热电冷却IC或微机电系统(microelectromechanical system；MEMS)微流体管道的远程冷却芯片，以提高热耗散能力。
[0003]然而，专利技术者已发现在基板(晶片)装配期间用于高性能芯片级热传导界面形成的方法和设备可提高从芯片至冷却系统的导热性。
技术实现思路
[0004...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理基板的方法，包含以下步骤：在第一基板上沉积第一金属层；在所述第一金属层顶上沉积第二金属层；在第二基板上沉积第三金属层；在所述第三金属层顶上沉积第四金属层；以及在足以通过扩散层使所述第一基板接合至所述第二基板的条件下，使所述第二金属层与所述第四金属层接触，所述扩散层由所述第一金属层的扩散穿过所述第二金属层中的部分和所述第三金属层的扩散穿过所述第四金属层中的部分形成。2.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在所述第一基板上沉积所述第一金属层且在所述第二基板上沉积所述第三金属层之前，在所述第一基板和所述第二基板上沉积介电材料层，所述介电材料层包含氧化硅、氮化硅或碳氮化硅中的至少一者。3.如权利要求1或2中任一项所述的方法，其中使用化学气相沉积或原子层沉积中的一者执行所述介电材料层的沉积。4.如权利要求1或2中任一项所述的方法，其中使用物理气相沉积、化学气相沉积、电子束沉积或电镀、无电沉积中的一者执行所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层的沉积。5.如权利要求1所述的方法，进一步包含：其中所述第一金属层和所述第三金属层为铜或镍中的至少一者；以及其中所述第二金属层和所述第四金属层为银、钯、铂或金中的至少一者。6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一基板和所述第二基板由硅、玻璃、铜、不锈钢或铝中的至少一者制成。7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一基板包含其上沉积有所述第一金属层的冷却模块，其中所述第二基板包含其上沉积有所述第三金属层的集成芯片或片上系统中的至少一者，并且其中所述方法进一步包含：在所述第二基板上沉积所述第三金属层之前，将所述集成芯片或片上系统中的所述至少一者从所述第二基板移送至载体基板；以及在将所述第一基板接合至所述第二基板之后，从所述冷却模块移除所述第一基板，以及从所述集成芯片或片上系统中的所述至少一者移除所述载体基板。8.如权利要求1、2或5至7中任一项所述的方法，其中使用氢气或隐形激光处理、向量场映射(VFM)基板切割、化学机械研磨或蚀刻中的至少一者来执行从所述冷却模块移除所述第一基板和从所述集成芯片或片上系统中的所述至少一者移除所述第二基板，并且其中使用激光和刀片切割或等离子体切割中的至少一者执行从所述集成芯片或片上系统中的所述至少一者移除所述载体基板。9.一种非瞬态计算机可读存储介质，其上存储有指令，当由处理器执行时，所述指令执行用于处理基板的方法，所述方法包含：在第一基板上沉积第一金属层；在所述第一金属层顶上沉积第二金属层；在第二基板上沉积第三金属层；在所述第三金属层顶上沉积第四金属层；以及
在足以通过扩散层使所述第一基板接合至所述第二基板的条件下，使所述第二金属层与所述第四金属层接触，所述扩散层由所述第一金属层的扩散穿过所述第二金属层中的部分和所述第三金属层的扩散穿过所述第四金属层中的部分形成。10.如权利要求9所述的非瞬态计算机可读存储介质，进一步包含：在所述第一基板上沉积所...
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