【技术实现步骤摘要】
区控制的稀土氧化物ALD和CVD涂层
[0001]本申请是申请日为2019年4月4日、申请号为201910274732.2、专利技术名称为“区控制的稀土氧化物ALD和CVD涂层”专利技术专利申请的分案申请。
[0002]本文公开的实施方式总的来说涉及用于制品的具有中断层的稀土涂层，并具体地涉及具有用于控制氧化钇晶粒生长的一个或多个中断层的氧化钇涂层。
技术介绍
[0003]各种制造工艺使半导体工艺腔室部件暴露于高温、高能等离子体、腐蚀性气体的混合物、高应力及其组合。这些极端条件可能侵蚀和/或腐蚀腔室部件，以使腔室部件易受缺陷影响。
[0004]用于减少因苛刻处理条件造成的腔室部件上的缺陷的保护涂层通常沉积在腔室部件上。可以通过各种技术沉积保护涂层，包括但不限于热喷涂、溅射、离子辅助沉积(IAD)、等离子体喷涂、蒸发技术、原子层沉积、化学气相沉积等。这些技术中的一些可能产生具有异常大的晶粒的保护涂层。异常大的晶粒可能增加保护涂层的表面粗糙度并提供用于化学物质通过晶粒之间的可能的裂缝或通过晶界来扩散的途径。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于工艺腔室的盖，在所述盖上生长或沉积耐等离子体保护涂层，所述盖包括：至少一个表面，所述至少一个表面包括第一陶瓷材料，其中所述第一陶瓷材料包括Y3Al5O
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；以及在所述至少一个表面之下的内部区域，所述内部区域包括第二陶瓷材料，其中所述第二陶瓷材料包括Al2O3和ZrO2的组合。2.如权利要求1所述的盖，其中所述第二陶瓷材料包括由所述Al2O3和所述ZrO2形成的固溶体。3.如权利要求1所述的盖，其中所述第二陶瓷材料是由所述Al2O3和所述ZrO2形成的结晶单相材料。4.如权利要求1所述的盖，其中所述第二陶瓷材料是由所述Al2O3和所述ZrO2形成的结晶多相材料。5.如权利要求1所述的盖，其中所述第二陶瓷材料是具有一个或多个晶相的结晶材料，所述晶相选自由六方相、四方相、立方相和单斜相组成的组。6.如权利要求1所述的盖，其中所述第一陶瓷材料是结晶单相材料。7.如权利要求1所述的盖，其中所述第一陶瓷材料是结晶多相材料。8.如权利要求1所述的盖，其中所述第一陶瓷材料的第一晶格结构与所述第二陶瓷材料的第二晶格结构不同。9.如权利要求1所述的盖，其中所述盖包括多个层，所述多个层包括所述第一陶瓷材料。10.如权利要求1所述的盖，其中所述盖包括多个层，所述多个层包括所述第二陶瓷材料。11.如权利要求1所述的盖，其中包括所述第一陶瓷材料的所述至少一个表面具有小...
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