用于光刻拼接的系统、软件应用程序及方法技术方案

本公开内容的实施方式关于用于在光源的传播方向上定位掩模的方法。掩模对应于待写入基板的光刻胶层中的图案。通过拼接第一掩模和第二掩模来定位掩模。第一掩模包括一组第一特征，第一特征具有在第一特征界面处从第一特征延伸的第一特征延伸部分。第二掩模包括一组第二特征，第二特征具有在第二特征界面处从第二特征延伸的第二特征延伸部分。每个第一特征延伸部分与每个对应的第二特征延伸部分拼接，以形成第一对掩模的第一拼接部分的每个拼接部分。第一对掩模的拼接部分限定了要写入光刻胶层中的图案的一部分。层中的图案的一部分。层中的图案的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于光刻拼接的系统、软件应用程序及方法


[0001]本公开内容的实施方式大体上关于光刻系统。更具体地，本公开内容的实施方式关于用于掩模之间的界面的拼接的系统、软件应用程序和方法。

技术介绍

[0002]光刻技术广泛用于半导体装置的制造中(诸如用于半导体装置的后端处理)及显示设备(诸如用于液晶显示器(LCD))。例如，大面积的基板通常用于显示设备的制造中，诸如在增强现实或虚拟现实(AR/VR)装置中使用的光学芯片。光刻系统具有投影单元，投影单元沿一个或多个掩模的方向投影写入光束。一个或多个掩模具有与要写入基板的表面上的光刻胶层中的图案相对应的图案。然而，由光刻系统转移的单个掩模图案可能不会覆盖基板的整个区域。此外，虽然可将多个掩模图案彼此相邻地转移以覆盖大面积，但是在掩模之间的界面处的拼接区域可能在要写入光刻胶层的图案中形成间隙。要写入光刻胶的图案中的间隙形成图案缺陷，从而导致显示设备的质量降低。因此，在本领域中存在用于掩模的光刻拼接的改进方法的需求。

技术实现思路

[0003]在一个实施方式中，提供了一种方法。方法包括以下步骤：在光源的传播方向上定位两个或更多个掩模，掩模对应于将被写入到设置在掩模下方的基板的光刻胶层中的图案。定位掩模包括拼接一对掩模。这对中的第一掩模包括一组第一特征，第一特征具有在第一特征界面处从第一特征延伸的第一特征延伸部分(extension)，且这对中的第二掩模包括一组第二特征，第二特征具有在第二特征界面处从第二特征延伸的第二特征延伸部分。每个第一特征延伸部分与每个对应的第二特征延伸部分拼接，以形成第一对掩模的第一拼接部分的每个拼接部分，第一对掩模的拼接部分限定了要写入光刻胶层中的图案的一部分。
[0004]在另一个实施方式中，提供了一种非暂时性计算机可读介质。非暂时性计算机可读介质包括一组指令，当这组指令由处理器执行时，使计算机系统创建具有要写入光刻胶层中的图案的设计文档。计算机系统接着在两个或更多个掩模图案之间划分设计文档，并为掩模图案的每一个生成多个特征。每个掩模图案的特征包括第一特征延伸部分，第一特征延伸部分要与相邻掩模图案的第二特征延伸部分拼接，并且要与第二特征延伸部分拼接的第一特征延伸部分限定要在由两个或更多个掩模图案形成的两个或更多个掩模的界面处写入光刻胶层中的图案的部分。
[0005]在另一个实施方式中，提供了一种非暂时性计算机可读介质。非暂时性计算机可读介质包括一组指令，当这组指令由处理器执行时，使计算机系统在两个或更多个掩模图案之间划分设计文档。计算机系统接着使用θ1＝f(L1,λ1,Δ)、Δ＝f(L1,λ1,θ1)、θ2＝f(L2,λ2,Δ)和Δ＝f(L2,λ2,θ2)的一个或多个来生成两个或更多个掩模图案的拼接部分的模型。拼接部分包括第一特征及对应的第二特征，第一特征在第一特征界面处具有从第一
特征延伸的第一特征延伸部分，对应的第二特征在第二特征界面处具有从第二特征延伸的第二特征延伸部分。第一特征末端位置(θ1)是在每个拼接部分中从每个第二特征界面到每个对应的第一特征延伸部分的相对端的距离。拼接位移(Δ)是从每个拼接部分的每个第一特征界面到每个对应的第二特征界面的距离的一半。第一特征宽度(L1)是每个拼接部分的第一特征界面的每一个处的第一特征宽度。第一特征延伸部分长度(λ1)是每个第一特征延伸部分的长度。第二特征末端位置(θ2)是在每个拼接部分中从每个第一特征界面到每个对应的第二特征延伸部分的相对端的距离。第二特征宽度(L2)是在每个拼接部分的第二特征界面的每一个处的第二特征宽度。第二特征延伸部分长度(λ2)是每个第二特征延伸部分的长度。
附图说明
[0006]因此，为了可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式来获得以上简要概述的本公开内容的更详细的描述，一些实施方式显示在附图中。然而，应当注意，附图仅显示了本公开内容的典型实施方式，并且因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。
[0007]图1A是根据一个实施方式的光刻系统的示意图。
[0008]图1B是暴露于光刻处理的基板的示意性平面图。
[0009]图2是根据一个实施方式的光刻环境的示意图。
[0010]图3是根据一个实施方式的光刻处理的流程图。
[0011]图4A和图4B是根据一个实施方式的掩模图案文档的说明视图。
[0012]图4C是根据一个实施方式的拼接部分的示意图。
[0013]图4D和图4E是根据一个实施方式的掩模图案文档的说明视图。
[0014]图4F
‑
图4I是根据实施方式的特征延伸部分的示意图。
[0015]为了便于理解，在可能的情况下使用了相同的附图标记来表示附图中共有的相同元件。可预期，一个实施方式中公开的元件可有益地用于其他实施方式而无需赘述。
具体实施方式
[0016]本公开内容的实施方式关于用于光刻拼接的系统、软件应用程序和方法。方法的一些实施方式包括在光源的传播方向上定位两个或更多个掩模。掩模对应于待写入设置在掩模下方的基板的光刻胶层中的图案。定位掩模包括拼接一对掩模。这对中的第一掩模包括一组第一特征，第一特征具有在第一特征界面处从第一特征延伸的第一特征延伸部分，且这对中的第二掩模包括一组第二特征，第二特征具有在第二特征界面处从第二特征延伸的第二特征延伸部分。每个第一特征延伸部分与每个对应的第二特征延伸部分拼接，以形成第一对掩模的第一拼接部分的每个拼接部分，第一对掩模的拼接部分限定了要写入光刻胶层中的图案的一部分。
[0017]图1A是光刻系统100的示意图。图1B是暴露于光刻处理的基板106的示意性平面图。应当理解，光刻系统100是示例性系统，并且可与其他系统(包括来自其他制造商的系统)一起使用或修改其他系统，以完成本公开内容的多个方面。系统包括投影单元102，投影单元102包括一个或多个光源(诸如发光二极管(LED)或激光)，一个或多个光源能够在两个
或更多个掩模104a、104b、104c...104(n
‑
1)、104n(统称为“两个或更多个掩模104”)的方向上投影写入光束。掩模设置在基板106上方。两个或更多个掩模104可具有掩模图案405a、405b、405c...405(n
‑
1)、405n(统称为在图4A和图4B中所示的“掩模图案405”)。
[0018]基板106包含用作平板显示器的一部分的任何合适的材料，例如玻璃。在可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式中，基板106由能够用作平板显示器的一部分的其他材料制成。在可与本文描述的其他实施方式结合的其他实施方式中，基板可具有从约5mm至约70mm的表面宽度，诸如从约5mm至约100mm、诸如从约5mm至约20mm，替代地从约50mm至60mm。在可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式中，基板可具有从约5mm至约100mm的表面长度，诸如从约5mm至约60mm、诸如从约5mm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包含以下步骤：在光源的传播方向上定位两个或更多个掩模，所述掩模对应于将被写入到设置在所述掩模下方的基板的光刻胶层中的图案，定位所述掩模的步骤包含以下步骤：拼接第一对掩模，所述第一对掩模包含第一掩模和第二掩模，其中：所述第一掩模包含一组第一特征，所述第一特征具有在多个第一特征界面处从所述第一特征延伸的多个第一特征延伸部分；所述第二掩模包括一组第二特征，所述第二特征具有在多个第二特征界面处从所述第二特征延伸的多个第二特征延伸部分；及每个第一特征延伸部分与每个对应的第二特征延伸部分拼接，以形成所述第一对掩模的第一拼接部分的每个拼接部分，所述第一对掩模的所述拼接部分限定了要写入所述光刻胶层中的所述图案的一部分。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：确定第一特征末端位置(θ1)，所述第一特征末端位置(θ1)限定为在所述第一拼接部分中从每个第二特征界面到每个对应的第一特征延伸部分的相对端的距离。3.根据权利要求2所述的方法，其中确定每个θ1是基于：第一特征宽度(L1)，所述第一特征宽度(L1)限定为在每个拼接部分的所述第一特征界面的每一个处的第一特征宽度；及拼接位移(Δ)，所述拼接位移(Δ)限定为从所述拼接部分的每个第一特征界面到每个对应的第二特征界面的距离的一半。4.根据权利要求2所述的方法，其中确定θ1是基于：第一特征宽度(L1)，所述第一特征宽度(L1)限定为每个拼接部分的所述第一特征界面的每一个处的第一特征宽度；及第一特征延伸部分长度(λ1)，所述第一特征延伸部分长度(λ1)限定为每个第一特征延伸部分的长度。5.根据权利要求2所述的方法，进一步包含以下步骤：基于所述第一掩模的相邻特征之间的间距确定θ1，其中所述间距是每个相邻特征的第一前缘之间的距离。6.根据权利要求1所述的方法，其中每个第一特征界面包含第一特征宽度(L1)，所述第一特征宽度(L1)限定为每个第一特征界面的宽度，每个L1大于在所述第一特征延伸部分的每个对应的相对端处的宽度；及其中每个第二特征界面包含第二特征宽度(L2)，所述第二特征宽度(L2)限定为每个第二特征界面的宽度，每个L2大于在所述第二特征延伸部分的每个对应的相对端处的宽度。7.根据权利要求6所述的方法，其中L1基本上等于L2。8.根据权利要求6所述的方法，其中L1不等于L2。9.根据权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：基于第一特征末端位置(θ1)来确定第一特征延伸部分的形状，所述第一特征末端位置限定为在每个拼接部分中从每个第二特征界面到每个对应的第一特征延伸部分的相对端的距离。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一特征延伸部分的形状具有三角形形状、凸出形状和凹入形状。
11.根据权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：通过求解θ1＝f(L1,λ1,Δ)或Δ＝f(L1,λ1,θ1)来确定所述拼接部分的尺寸；其中第一特征末端位置(θ1)限定为在每个拼接部分中从每个第二特征界面到每个对应的第一特征延伸部分的相对端的距离；其中拼接位移(Δ)限定为从每个拼接部分的每个第一特征界面到每个对应的第二特征界面的距离的一半；其中第一特征宽度(L1)限定为每个拼接部分的所述第一特征界面的每一个处的第一特征宽度；及其中第一特征延伸部分长度(λ1)限定为每个第一特征延伸部分的长度。12.根据权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：将所述第一掩模和第三掩模拼接以形成第二拼接部分，所述第二拼接部分限定将被写入所述光刻胶层中的所述图案的第二部分。13.根据权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：形成所述掩模，包含以下步骤：创建设计文档，所述设计文档具有将要写入光刻胶层中的所述图案；在两个或更多个掩模图案之间划分所述设计文档；及为所述掩模图案的每一个生成多个特征，其中：所述掩模图案的每一个的多个拼接特征包括将与相邻的掩模图案的多个第二特征延伸部分拼接的多个第一特征延伸部分；及将与所述多个第二特征延伸部分拼接的所述多个第一特征延伸部分限定了在由所述掩模图案形成的所述掩模的拼接处将被写入...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐永安，克里斯多弗，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：