使用水蒸汽制造用于显示器制造的层的方法和所述方法的设备技术

本发明专利技术描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2，和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含量是从2.2％至20.0％，且其中惰性气体的含量是从55.0％至96.3％。设备(200)包括：真空腔室(210)；一或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，在真空腔室内部用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，用于在真空腔室之内提供处理气体；和控制器(240)，连接至气体分配系统并被配置为执行用于进行本方法的程序代码。方法的程序代码。方法的程序代码。

【技术实现步骤摘要】
使用水蒸汽制造用于显示器制造的层的方法和所述方法的设备
[0001]本申请是申请日为2015年5月8日、申请号为201580078939.2、专利技术名称为“使用水蒸汽制造用于显示器制造的层的方法和所述方法的设备”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开内容涉及用于在真空处理腔室中涂布基板的方法和设备。特别地，本公开内容涉及在用于显示器制造的基板上形成至少一层溅射材料的设备和方法。

技术介绍

[0003]在许多应用中，需要在基板，例如在玻璃基板上沉积薄层。通常，在涂布设备的不同腔室中涂布基板。对于一些应用，使用气相沉积技术在真空中涂布基板。已知用于在基板上沉积材料的若干方法。例如，可通过物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺等涂布基板。通常，所述工艺是在待涂布的基板所在的工艺设备或工艺腔室中执行。
[0004]电子装置，特别是光电装置在过去的几年中显示了成本的显著降低。此外，显示器中的像素密度不断增大。对于TFT显示器，需要一种高密度TFT集成。然而，尽管在装置之内的薄膜晶体管(TFT)的数目增加，仍试图增加产量且试图降低制造成本。
[0005]因此，持续需要提供用于在制造期间调整TFT显示器性质(特别关于高质量和低成本)的方法和设备。

技术实现思路

[0006]鉴于上文，提供了一种根据独立权利要求的制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。此外，提供一种包括由根据本文所述的实施方式的制造层的方法所制造的层的电子装置。进一步的优点、特征、方面和细节将从从属权利要求、说明书和附图中显而易见。
[0007]根据本公开内容的一个方面，提供一种制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。所述处理气体氛围包括水蒸汽、H2、和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含量是从2.2％至20.0％，且其中惰性气体的含量是从70.0％至96.8％。
[0008]根据本公开内容的进一步的方面，提供一种电子装置，所述电子装置包括由根据本文所述的实施方式的制造多个薄膜晶体管的层的方法所制造的层。
[0009]根据本公开内容的进一步的方面，提供一种沉积用于显示器制造的层的设备。所述设备包括：真空腔室；一或多个含氧化铟的靶，在真空腔室之内用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统，用于在真空腔室之内提供处理气体，其中所述真空腔室在用于水蒸汽的第一进气口和用于H2的第二进气口处连接至气体分配系统，特别地其中所述真空腔室进一步在用于O2的第三进气口处连接至气体分配系统；和控制器，连接至气体分配系统并被配
置为执行程序代码，其中在执行程序代码时，进行根据本文所述的实施方式的制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法。
附图说明
[0010]为了能详细理解本文所述的本公开内容的上述特征，可通过参考实施方式获得以上简要概述的更特定描述。附图涉及本公开内容的实施方式且被描述于下：
[0011]图1示出根据本文所述的实施方式的用于沉积用于显示器制造的层的设备的示意图；
[0012]图2示出根据本文所述的实施方式的用于沉积用于显示器制造的层的设备的示意图；
[0013]图3示出说明根据本文所述的实施方式的制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法的方块图；
[0014]图4示出说明根据本文所述的实施方式的制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法的方块图。
具体实施方式
[0015]现将详细参考本公开内容的各种实施方式，所述实施方式的一或多个实例在附图中示出。在附图的以下描述中，相同的标号指代相同的部件。在下文中，仅描述关于各个实施方式的差异。各实例是通过解释本公开内容的方式提供的且不意味作为本公开内容的限制。此外，示出或描述为一个实施方式的一部分的特征可用于其他实施方式，或与其他实施方式结合使用以产生更进一步的实施方式。本描述意图包括这些修改和变化。
[0016]在本公开内容中，表达“处理气体氛围”可被理解为处理腔室内部，特别地用于沉积层的设备的真空处理腔室内部的氛围。“处理气体氛围”可具有由处理腔室内部的容积所指定的体积。
[0017]在本公开内容中，缩写“H
2”代表氢，特别地代表气态氢。
[0018]此外，在本公开内容中，缩写“O
2”代表氧，特别地代表气态氧。
[0019]在本公开内容中，表达“无定形结构的程度”可理解为固态中无定形结构与非无定形结构的比率。非无定形结构可以是结晶结构。无定形结构可以是玻璃状结构。
[0020]在本公开内容中，表达“薄层电阻”可理解为由根据本文所述的实施方式的方法制造的层的电阻。特别地，“薄层电阻”可代表其中所述层被视为二维实体的情况。应可以理解，表达“薄层电阻”意指电流沿着层的平面(即，电流不垂直于层)。进一步，薄层电阻可表示均匀层厚度的电阻率的情况。
[0021]在图1中，示出根据本文所述的实施方式的用于沉积用于显示器制造的层的设备200的示意图。根据本文所述的实施方式，用于沉积用于显示器制造的层的设备包括：真空腔室210；一或多个含氧化铟，特别地含氧化铟锡(ITO)的靶220a、220b，在真空腔室之内用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统230，用于在真空腔室之内提供处理气体；和控制器240，连接至气体分配系统230并被配置为执行程序代码。在执行程序代码时，进行如本文所述的制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法。
[0022]如图1中示例性地示出，根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，真空
腔室210由腔室壁211限制且可在用于水蒸汽的第一进气口231和用于H2的第二进气口232处连接至气体分配系统230。如图1中所示，第一进气口231可经由具有第一质量流量控制器234(例如，第一阀)的第一导管连接至气体分配系统230，所述第一质量流量控制器被配置为用于控制提供至处理气体氛围222的水蒸汽的量。第二进气口232可经由具有第二质量流量控制器235(例如，第二阀)的第二导管连接至气体分配系统230，所述第二质量流量控制器被配置为用于控制提供至处理气体氛围的H2的量。
[0023]根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，气体分配系统可包括用于提供水蒸汽的第一气源和用于提供H2的第二气源。因此，本文所述的设备可被配置为用于彼此独立地提供水蒸汽和H2，以使得在真空腔室210之内的处理气体氛围222的水蒸汽含量和/或H2含量能被独立地控制。此外，气体分配系统可包括用于提供惰性气体的第三气源。根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，气体分配系统可包括惰性气体流量控制器(未示出)，所述惰性气体流量控制器被配置为用于控制提供至处理气体氛围的惰性气体的量。
[0024]根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，气体分配系统可包括用于提供惰性气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法(100)，包含：在处理气体氛围(222)中从含氧化铟的靶溅射(101)透明导电氧化物层，其中所述处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2、O2和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含量是从2.2％至20.0％，其中O2的含量是从0.5％至15.0％，其中在所述处理气体氛围(222)中的O2的分压是从0.001Pa至0.12Pa，其中惰性气体的含量是从55.0％至96.8％，其中所述处理气体氛围(222)的总压力是从0.2Pa至0.8Pa，其中所述处理气体氛围的成分总计达100％，其中所述方法进一步包括利用所述处理气体氛围(222)中的O2的含量控制所述氧化物层的薄层电阻(104)，并且其中所述电阻率是从100μOhm cm至400μOhm cm。2.如权利要求1所述的方法(100)，其中水蒸汽与H2的比率是从4∶1至1∶4。3.如权利要求1所述的方法(100)，其中在所述处理气体氛围(222)中的水蒸汽的分压是从0.002Pa至0.08Pa。4.如权利要求2所述的方法(100)，其中在所述处理气体氛围(222)中的水蒸汽的分压是从0.002Pa至0.08Pa。5.如权利要求1所述的方法(100)，其中在所述处理气体氛围(222)中的H2的分压是从0.0044Pa至0.16Pa。6.如权利要求2所述的方法(100)，其中在所述处理气体氛围(222)中的H2的分压是从0.0044Pa至0.16Pa。7.如权利要求3所述的方法(100)，其中在所述处理气体氛围(222)中的H2的分压是从0.0044Pa至0.16Pa。8.如权利要求4所述的方法(100)，其中在所述处理气体氛围(222)中的H2的分压是从0.0044Pa至0.16Pa。9.如权利要求1所述的方法(100)，其中在所述处理气体氛围(222)中的惰性气体的分压是从0.11Pa至0.7704Pa。10.如权利要求1所述的方法(100)，进一步包含利用所述处理气体氛围(222)中的水蒸汽的含量和/或所述处理气体氛围(222)中的H2的含量控制所述氧化物层的无定形结构(103)的程度。11.如权利要求1所述的方法(100)，进一步包含利用所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：