在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜制造技术

描述了选择性沉积方法。钝化膜在沉积介电材料之前沉积在金属表面上。所述方法包括在处理腔室中，将包括金属表面和介电表面的基板表面暴露于包括头基和尾基的杂环反应物；并且选择性地将杂环反应物沉积在金属表面上以形成钝化层，其中杂环头基选择性地与金属表面反应并结合。并结合。并结合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在金属表面上选择性沉积杂环钝化膜


[0001]本公开内容的实施方式涉及用于选择性沉积钝化膜的方法。具体地，本公开内容的实施方式涉及在金属表面上选择性地沉积钝化膜的方法。

技术介绍

[0002]半导体行业在追求涉及纳米级特征快速缩放的装置小型化方面面临许多挑战。这些问题包括引入复杂的制造步骤，诸如多个光刻步骤和高性能材料的集成。为了保持装置小型化的节奏，选择性沉积已显示出有效前景，因为它有可能通过简化集成方案来消除高成本的光刻步骤。
[0003]材料的选择性沉积可以多种方式实现。相对于另一个表面(例如，金属和电介质)，化学前驱物可以选择性地与一个表面反应。可调节诸如压力、基板温度、前驱物分压和/或气流之类的工艺参数以调节特定表面反应的化学动力学。另一种可能的方案涉及表面预处理，所述表面预处理可用于活化或去活化对引入的膜沉积前驱物感兴趣的表面。
[0004]为了实现下一代半导体装置的复杂图案化架构，由多个光刻和蚀刻步骤组成的传统自顶向下(top
‑
down)方法导致成本高昂，并且面临技术节点缩放的挑战。在本领域中持本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在基板上选择性沉积膜的方法，所述方法包括：在处理腔室中，将包括金属表面和介电表面的基板表面暴露于包括头基和尾基的杂环反应物；和选择性地将所述杂环反应物沉积在所述金属表面上以形成钝化层，其中所述杂环头基选择性地与所述金属表面反应并结合。2.如权利要求1所述的方法，其中所述杂环头基包括N、O、S、Se和P原子中的一个或多个。3.如权利要求1所述的方法，其中所述杂环头基包括吡咯、吡咯烷、吡唑、咪唑、呋喃、联咪唑、噻吩、噻唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、喹喔啉、吲唑、噻嗪、膦、磷啉和磷酰中的一个或多个。4.如权利要求1所述的方法，其中所述尾基包括苯基和碳链中的一个或多个。5.如权利要求4所述的方法，其中所述碳链的长度在1至50个碳原子的范围内。6.如权利要求4所述的方法，其中所述尾基的长度在至的范围内。7.如权利要求4所述的方法，其中所述尾基具有在1至50个范围内的一个或多个取代R基团。8.如权利要求7所述的方法，其中所述取代R基团包括烷基、环烷基、芳基中的一个或多个，所述基团可以是直链或支链的并且含有以下键：碳碳单键/双键/三键。9.如权利要求1所述的方法，其中所述金属表面包括铜、钴、镍、钨、钒、钌、铬、铁、铂、金、银、钼、镓、铟、氧化铟锡、掺氟氧化锡和掺铝氧化锌中的一种或多种。10.如权利要求9所述的方法，其中所述杂环反应物在较高温度下保持与所述金属表面结合，其中所述较高温度在50℃至350℃的范围内。11.如权利要求4所述的方法，其中所述碳链具有长度并且所述尾基具有取代，以使得碳链长度和尾基取代的总和不大于50个碳原子。12.如权利要求1所述的方法，其中所述钝化膜的密度在1x10
13
至1x10
14
分子/平方厘米的范围内。13.如权利要求1所述的方法，其中所述钝化膜的厚度在自至的范围内。14.如权利要求1所述的方法，其中所述介电表面包括SiO
x
、Si
x
N
y
、Si、SiON、AlO
x
、Al2O3、HfO
x
、ZrO2、TiO
x
、TiN、Ta
x
O5、Ta2O5、Y2O3、La2O3、A1N、MgO、CaF2、LiF、SrO、SiC、BaO、HfSiO4、...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，多琳，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：