具有改进的选择性和流导性的金属氧化物预清洁腔室制造技术

本文提供了用于在处理腔室中使用的处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于处理腔室的处理配件包括：腔室衬垫，腔室衬垫具有管状主体，管状主体具有上部和下部；限制板，限制板耦接至腔室衬垫的下部并从腔室衬垫径向向内延伸，其中限制板包括多个狭槽；屏蔽环，屏蔽环设置在腔室衬垫内并可在腔室衬垫的上部和腔室衬垫的下部之间移动；和多个接地带，多个接地带在多个接地带中的每个接地带的第一端处耦接至屏蔽环，并在每个接地带的第二端处耦接至限制板，以在屏蔽环移动时保持屏蔽环与腔室衬垫之间的电连接。环与腔室衬垫之间的电连接。环与腔室衬垫之间的电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改进的选择性和流导性的金属氧化物预清洁腔室


[0001]本公开内容的实施方式总体而言涉及一种基板处理设备。

技术介绍

[0002]被配置以实行预清洁处理的处理腔室是已知的。例如，此类腔室被配置为在物理气相沉积(PVD)之前去除基板的金属接触垫上的原生氧化物，以在基板上沉积一个或多个阻挡层，例如钛(Ti)、铜(Cu)等，并去除其他材料。预清洁腔室通常使用离子轰击(由RF等离子体引起)来去除金属接触垫上的原生氧化物和其他材料。例如，预清洁处理可以从基板蚀刻原生氧化物和材料。预清洁处理被配置以降低基板上金属触点之间的接触电阻，以改善基板上集成电路的性能和功耗，并促进粘着。
[0003]为了实行等离子体清洁处理，将集成电路放置在等离子体腔室中，然后泵将大部分空气从腔室中排出。将电磁能(例如，射频)施加到注入的气体，诸如氩气，以将注入的气体激发到等离子体状态。等离子体释放离子，离子轰击基板表面以从基板去除污染物和/或材料。污染物和/或基板材料的原子或分子从基板上蚀刻掉，并且大部分被泵出腔室。然而，一些污染物和/或蚀刻材料可能沉积在腔室的表面上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理腔室的处理配件，包括：腔室衬垫，所述腔室衬垫具有管状主体，所述管状主体具有上部和下部；限制板，所述限制板耦接至所述腔室衬垫的所述下部并从所述腔室衬垫径向向内延伸，其中所述限制板包括多个狭槽；屏蔽环，所述屏蔽环设置在所述腔室衬垫内并可在所述腔室衬垫的所述上部和所述腔室衬垫的所述下部之间移动；和多个接地带，所述多个接地带在所述多个接地带中的每个接地带的第一端处耦接至所述屏蔽环，并且在每个接地带的第二端处耦接至所述限制板，以在所述屏蔽环移动时保持所述屏蔽环与所述腔室衬垫之间的电连接。2.如权利要求1所述的处理配件，其中所述多个接地带中的每一个接地带包括上板、下板、和其间的金属带。3.如权利要求2所述的处理配件，其中所述上板耦接至所述屏蔽环并且所述下板耦接至所述限制板。4.如权利要求1所述的处理配件，其中所述屏蔽环包括内壁、从所述内壁径向向外延伸的壁架、和从所述壁架向上延伸的外壁，其中气流路径在所述屏蔽环的所述外壁和所述腔室衬垫之间围绕所述屏蔽环延伸，而不延伸穿过所述屏蔽环。5.如权利要求4所述的处理配件，进一步包括设置在所述屏蔽环的所述壁架上的由陶瓷材料制成的屏蔽环盖。6.如权利要求1至5中任一项所述的处理配件，其中所述限制板包括耦接至外板的内板，其中所述多个狭槽包括设置在所述内板中的多个内径狭槽和设置在所述外板中的多个外径狭槽。7.如权利要求6所述的处理配件，其中所述多个外径狭槽具有不同的长度并且所述多个内径狭槽具有均匀的长度。8.如权利要求6所述的处理配件，其中所述多个内径狭槽的每一者的长度大于所述多个外径狭槽的每一者的长度。9.如权利要求6所述的处理配件，其中所述内板包括耦接至所述外板的多个内板段。10.如权利要求1至5中任一项所述的处理配件，其中所述腔室衬垫的所述下部包括从所述下部的下表面径向向内延伸的下壁架。11.如权利要求1至5中任一项所述的处理配件，进一步包括等离子体限制环，所述等离子体限制环耦接至或置放在所述腔室衬垫的所述上部上。12.如权利要求11所述的处理配件，其中所述等离子体限制环包括管状主体和从所述管状主体的上表面径向向外延伸的上凸缘，并且其中所述上凸缘置放在所述腔室...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德鲁，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：