用于增加来自安瓿的通量的设备制造技术

描述了用于半导体制造前驱物的安瓿和使用方法。安瓿包括具有入口端口和出口端口的容器。入口端口在容器内的端部具有喷头。喷头具有至少两个成角度的喷嘴，以引导空腔内的气流，使得气流不垂直于安瓿内的液体的表面。使得气流不垂直于安瓿内的液体的表面。使得气流不垂直于安瓿内的液体的表面。

【技术实现步骤摘要】
用于增加来自安瓿的通量的设备
[0001]本申请是申请日为2018年3月2日、申请号为201880020038.1、专利技术名称为“用于增加来自安瓿的通量的设备”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开内容一般涉及形成半导体装置的接点的方法。特别地，本公开内容关于用于形成具有临界尺寸控制的自对准接点的处理。

技术介绍

[0003]半导体工业正在使用越来越多种的用于化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)处理的液体或固体形式的化学品。前驱物通常在具有单个入口和单个出口的密闭容器或安瓿内。
[0004]具有低蒸气压的前驱物通常使用载气将蒸汽从安瓿运送到处理反应器。对于这些类型的处理，通常使用两种类型的安瓿：起泡器，其中入口载气进入浸入到前驱物中的管中；及交叉流安瓿(cross
‑
flow ampoule)，其中载气吹扫安瓿中的顶部空间。有些情况下，由于夹带有前驱物，不能使用起泡器，或因为前驱物的通量不符合处理参数，因此不能使用交叉流安瓿。
[0005]因此，本领域存在有用于提供比交叉流安瓿更高的前驱物通量的安瓿和方法的需求。

技术实现思路

[0006]本公开内容的一个或多个实施方式涉及一种用于半导体制造前驱物的安瓿。安瓿包含容器，容器具有封闭空腔的底部、侧壁和盖。入口端口与空腔流体连通。入口端口在位于空腔内的入口端口的端部上具有喷头。喷头包含至少两个成角度的喷嘴，以引导气流，使得当液体存在于容器中时。气流不垂直于液体的表面。出口端口与空腔流体连通。<br/>[0007]本公开内容的另外的实施方式涉及一种用于半导体制造前驱物的安瓿。安瓿包含容器，容器具有封闭空腔的底部、侧壁和盖。入口端口与空腔流体连通。入口端口在位于空腔内的入口端口的端部上具有喷头。喷头包含三个成角度的喷嘴，以引导气流，使得当液体存在于容器中时，来自每个喷嘴的气流独立地在相对于与液体的表面正交的线而测量的约5
°
至约7
°
的范围中。出口端口与空腔流体连通。
[0008]本公开内容的其他实施方式涉及一种提供前驱物流的方法。使载气流动通过其中具有液体前驱物的前驱物安瓿的入口端口。在安瓿内使用在入口端口的端部处的喷头引导安瓿内的载气流。喷头包含至少两个成角度的喷嘴，以便以不垂直于液体前驱物的表面的角度引导气流。使载气和前驱物通过出口端口流出安瓿。
附图说明
[0009]为了能够详细理解本专利技术的上述特征的方式，可通过参考实施方式获得上面简要
总结的本专利技术的更具体的描述，其中一些实施方式显示在附图中。然而，应注意附图仅绘示了本专利技术的典型实施方式，且因此不应被视为限制其范围，因为本专利技术可允许其他等效的实施方式。
[0010]图1显示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的安瓿的剖视图；
[0011]图2显示了图1的放大区域2；
[0012]图3显示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的安瓿的局部横截面；及
[0013]图4显示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的安瓿和管道的示意图。
[0014]在附图中，类似的部件及/或特征可具有相同的附图标记。此外，相同类型的各种部件可使用在附图标记之后用在类似部件之间进行区分的破折号和第二符号来区分。若在说明书中仅使用第一附图标记，则实施方式适用于具有相同第一附图标记的任何一个相似部件，而不管第二附图标记如何。附图中部件的交叉影线阴影意欲帮助不同的部件的可视化，且不一定指示不同的构造材料。
具体实施方式
[0015]在描述本专利技术的若干示例性实施方式之前，应该理解本专利技术不限于以下的实施方式中阐述的构造或处理步骤的细节。本专利技术能够具有其他实施方式并能够以各种方式实施或执行。
[0016]本公开内容的一些实施方式有利地提供具有比交叉流安瓿高的通量的安瓿。一些实施方式有利地为安瓿提供通过液体前驱物而不会起泡的气流。一些实施方式有利地提供了不与前驱物表面正交的气流。
[0017]在一些实施方式中，喷头设置在安瓿的入口上，具有在其内的液体上成角度的多个喷嘴。液体的水平与喷头之间的距离被保持，使得喷头不浸没在液体中。
[0018]图1显示了用于半导体制造试剂的安瓿100。术语“前驱物”用以描述安瓿100的内容物，且指示流到处理环境中的任何试剂。
[0019]安瓿100包括容器110，容器110具有封闭空腔118的底部112、侧壁114和盖116。入口端口120和出口端口130与空腔118流体连通。
[0020]入口端口120通常构造成允许连接到气体源且可具有合适的螺纹或密封连接。如第1和2图所示，入口端口120具有通道121，通道121具有界定通道121的横截面宽度的内径。通道121具有可被弯曲、渐缩、或达到平坦端的底端125。
[0021]入口端口120在位于空腔118内的入口端口120的端部123上具有喷头122。喷头122是入口端口120的位于通道121的底端125与入口端口120的端部123之间的部分。喷头122包含至少两个成角度的喷嘴140，以引导气流141。喷头122中的喷嘴140的数量可在约2个到约24个的范围中，或在约2个至约18个的范围中，或在约2个至约1个2的范围中，或在约2个至约10个的范围中，或在约2个至约8个的范围中，或在约2个至约6个的范围中，或在约2个至约4个的范围中。在一些实施方式中，在喷头122中有三个喷嘴140。
[0022]喷嘴140被配置为提供成角度的气流141，成角度的气流141是相对于与安瓿100内的液体150的表面151正交的线而测量的。参照图2和图3，每个喷嘴140具有相对于与表面151正交145的线成角度θ的轴线144。
[0023]角度θ可为不垂直于液体150的表面151的任何合适的角度。每个喷嘴140可具有与
任何其他喷嘴140不同的角度θ。在一些实施方式中，相对于与表面151正交145的线，角度θ大于1
°
、2
°
、3
°
或4
°
。在一些实施方式中，角度θ在约2
°
至约25
°
的范围中，或在约2.5
°
至约15
°
的范围中，或在约3
°
至约12
°
的范围中，或在约4
°
至约10
°
的范围中，或在约5
°
至约7
°
的范围中。在一些实施方式中，离开喷嘴的气流不垂直于容器110内的液体150的表面151。
[0024]出口端口130也与容器110中的空腔118流体连通。出口端口130通常被配置为能够连接到管线，以允许离开容器110的气体流动到处理腔室(或其他部件)。出口端口130可具有螺纹连接，以允许气体管线连接。
[0025]在一些实施方式中，如图1所示，盖116是与底部112和侧壁114分开的部件。盖11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体制造前驱物的安瓿，所述安瓿包含：容器，所述容器封闭有空腔，所述空腔与气体源处于固定构造；入口端口，所述入口端口限定气体通道，所述气体通道具有与所述空腔流体连通的底端，所述入口端口具有喷头，所述喷头在位于所述空腔内的所述入口端口的所述底端处，所述喷头包含至少两个成角度的喷嘴，以引导气体的流动，使得当包含前驱物的液体存在于所述容器中时，来自任何喷嘴的所述气体的所述流动不垂直于所述液体的表面；及出口端口，与所述空腔流体连通，以将气态前驱物和所述载气引导出所述容器。2.根据权利要求1所述的安瓿，其中当存在液体时，所述喷嘴在相对于与所述液体的所述表面正交的线而测量的约2
°
至约25
°
的范围中独立地成角度。3.根据权利要求1所述的安瓿，其中当存在液体时，所述喷嘴在相对于与所述液体的所述表面正交的线而测量的约5
°
至约7
°
的范围中独立地成角度。4.根据权利要求1所述的安瓿，其中存在有在两个至四个范围中的喷嘴。5.根据权利要求1所述的安瓿，其中所述喷嘴的所有喷嘴与所述气体通道的所述底端直接流体连通。6.根据权利要求1所述的安瓿，其中所述容器包含底部、多个侧壁和盖。7.根据权利要求6所述的安瓿，其中所述盖是与所述底部和所述侧壁分离的分离部件。8.根据权利要求7所述的安瓿，其中所述盖使用多个可移除的螺栓而连接到所述容器的所述侧壁。9.根据权利要求8所述的安瓿，其中所述入口端口的所述底端位于与所述盖相距第一正交距离处，并且所述出口端口位于与所述盖相距第二正交距离处，并且所述第一正交距离大于所述第二正交距离。10.根据权利要求1所述的安瓿，进一步包含在所述空腔内的所述前驱物。11.根据权利要求10所述的安瓿，其中所述前驱物包含二钴六羰基叔丁基乙炔。12.根据权利要求1所述的安瓿，其中所述流动由来自所述气体源的所述气体组成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯尼克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：