用于远程等离子体工艺的对称中空阴极电极和放电模式的方法和设备技术

用于减少远程等离子体源(RPS)中的粒子产生的方法和设备，包括RPS，RPS具有第一等离子体源，第一等离子体源具有第一电极和第二电极，其中第一电极和第二电极关于中空腔对称，第一电极和第二电极经配置以在中空腔内引发中空阴极效应，并且其中RPS经配置以提供自由基或离子进入处理空间内；以及射频(RF)功率源，射频(RF)功率源经配置以在第一电极和第二电极上提供对称驱动波形，以产生RPS的阳极周期和阴极周期，其中阳极周期和阴极周期在中空阴极效应模式中操作。阴极效应模式中操作。阴极效应模式中操作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于远程等离子体工艺的对称中空阴极电极和放电模式的方法和设备


[0001]本原理的实施例总体而言涉及在半导体工艺中使用的半导体腔室。

技术介绍

[0002]一些工艺腔室可包括远程等离子体源(RPS)以用于形成远离工艺腔室的等离子体，自由基和/或电离物质将被传送到此工艺腔室中。常规地，RPS通过混合容器连接到处理腔室，以在输送到腔室之前将由RPS提供的工艺气流和稀释剂(或载体)气体或其他流体混合。然后可以将离子或自由基分散到工艺腔室的处理空间中，以执行诸如蚀刻或清洁之类的工艺。RPS可以包括具有中空腔的RF电极和由平坦接地板构成的接地电极。带有中空腔的RF电极产生了一种中空阴极模式，所述中空阴极模式可增强中空腔内的电子碰撞电离。带有平坦接地板的接地电极产生辉光放电(glow discharge)模式。专利技术人已经观察到，如果将正弦驱动系统用于这种RPS，则在辉光放电模式期间可能会产生粒子，从而在正在处理的晶片上产生缺陷。
[0003]因此，专利技术人提供了改进的方法和设备以产生远程等离子体而不产生粒子。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理基板的设备，包括：工艺腔室，所述工艺腔室具有腔室主体，所述腔室主体包围处理空间；远程等离子体源(RPS)，所述远程等离子体源(RPS)具有第一等离子体源，所述第一等离子体源具有第一电极和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极关于中空腔对称，所述第一电极和所述第二电极经配置以在所述中空腔内引发中空阴极效应，并且其中所述RPS经配置以提供自由基或离子进入所述处理空间内；以及射频(RF)功率源，所述射频(RF)功率源经配置以在所述第一电极和所述第二电极上提供对称驱动波形，以产生所述RPS的阳极周期和阴极周期，所述阳极周期和所述阴极周期在中空阴极效应模式中操作。2.如权利要求1所述的设备，其中所述对称驱动波形为正弦波形或方波波形。3.如权利要求1所述的设备，所述设备进一步包括：隔离器，所述隔离器在所述第一电极和所述第二电极之间。4.如权利要求3所述的设备，其中所述隔离器具有环形形状。5.如权利要求4所述的设备，其中所述隔离器在所述环形形状的径向内侧上具有至少一个凹槽，所述至少一个凹槽经配置为暴露于来自所述第一电极和所述第二电极的所产生等离子体。6.如权利要求3所述的设备，其中所述隔离器由陶瓷材料形成。7.如权利要求1所述的设备，其中所述第一电极和所述第二电极具有中空腔，所述中空腔具有锥形形状，所述锥形形状具有第一端和第二端，所述第一端具有一第一直径开口，所述第二端具有第二直径开口，其中所述第二直径开口大于所述第一直径开口。8.如权利要求7所述的设备，其中所述第一电极的所述第二直径开口经配置为面向所述第二电极的所述第二直径开口。9.如权利要求1所述的设备，所述设备进一步包括：混合容器，所述混合容器在所述第一等离子体源和所述处理空间之间。10.如权利要求1所述的设备，所述设备进一步包括：第二等离子体源，所述第二等离子体源具有第三电极和第四电极，其中所述第三电极和所述第四电极关于中空腔对称，所述第三电极和所述第四电极经配置以在所述中空腔内引发中空阴极效应。11.如权利要求10所述的设备，其中所述第一等离子体源和所述第二等离子体源提供自由基或离子进入混合容器中，所述混合容器流体连接至所述处理空间。12.一种用于处理基板的设备，包括：远程等离子体源(RPS)，所述远程等离子体源(RPS)具有第一等离子体源，所述第一等离子体源具有第一电极和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极关于中空腔对称，所述第一电极和所述第二电极经配置以在所述中空腔内引发中空阴极效应；...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：