含钌材料的选择性移除制造技术

示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括：使容纳在处理区域中的基板与含氧前驱物接触。基板可包括暴露的钌区域，并且所述接触可产生四氧化钌。所述方法可包括：使四氧化钌从暴露的钌区域的表面汽化。可保留一定量的氧化的钌。所述方法可包括：使氧化的钌与含氢前驱物接触。所述方法可包括：去除氧化的钌。去除氧化的钌。去除氧化的钌。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含钌材料的选择性移除
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2021年4月26日提交的名称为“SELECTIVE REMOVAL OF RUTHENIUM
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CONTAINING MATERIALS(含钌材料的选择性移除)”的美国非临时申请第17/240,149号的优先权权益，出于所有的目的，所述美国非临时申请的内容通过引用以其整体而并入本文中。


[0002]本技术涉及半导体工艺和设备。更具体而言，本技术涉及选择性蚀刻含钌结构。

技术介绍

[0003]通过在基板表面上产生交错(intricately)图案化的材料层的工艺使得可以制成集成电路。在基板上产生图案化材料需要用于去除暴露材料的受控方法。化学蚀刻用于各种目的，包括将光刻胶中的图案转移到下方层、减薄层或减薄表面上已存在的特征的横向尺寸。通常希望具有蚀刻一种材料比另一种材料更快的蚀刻工艺，例如，图案转移工艺。据说这样的蚀刻工艺对第一种材料具有选择性。由于材料、电路和工艺的多样性，已经发展出具有对各种材料的选择性的蚀刻工艺。
[0004]基于工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻方法，包括：使含氧前驱物流入半导体处理腔室的处理区域中；使容纳在所述处理区域中的基板与所述含氧前驱物接触，其中所述基板包括暴露的钌区域，并且其中所述接触产生四氧化钌；使所述四氧化钌从所述暴露的钌区域的表面汽化，其中保留一定量的氧化的钌；使所述氧化的钌与含氢前驱物接触；以及去除所述氧化的钌。2.如权利要求1所述的蚀刻方法，进一步包括：形成所述含氧前驱物的等离子体，其中等离子体流出物流入所述处理区域中。3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述处理区域内的温度维持在大于或约为100℃。4.如权利要求3所述的蚀刻方法，其中所述处理区域内的温度维持在小于或约为150℃。5.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述含氢前驱物包括双原子氢。6.如权利要求1所述的蚀刻方法，进一步包括以下额外操作：在使所述含氧前驱物流动之前，使所述基板与所述含氢前驱物接触，其中所述含氢前驱物暴露所述钌区域。7.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中在整个所述蚀刻方法中所述处理区域维持无等离子体。8.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中去除所述氧化的钌暴露额外的钌，并且其中所述方法重复额外的循环。9.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中相对于氧化硅、氧化钛或氧化钨的暴露区域选择性地去除所述钌。10.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述半导体处理腔室内的压力维持在大于或约为1托。11.一种蚀刻方法，包括：使含氧前驱物流入半导体处理腔室的处理区域中；使容纳在所述处理区域中的基板与所述含氧前驱物接触，其中所述基板包括暴露的钌区域，并且其中所述接触产生四氧化钌；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王柏玮，X，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：