热控制的盖堆叠部件制造技术

示例性基板处理系统可以包括限定传送区域的腔室主体。所述系统可包括安置在腔室主体上的盖板。盖板可限定穿过盖板的第一多个孔和穿过盖板的第二多个孔。所述系统可包括与穿过盖板限定的第一多个孔中的孔数量相等的多个盖堆叠。多个盖堆叠中的每个盖堆叠可包括沿着阻流板的第一表面安置在盖板上的阻流板。阻流板可限定与第一多个孔中的相关联的孔轴向对准的第一孔。阻流板可限定与第二多个孔中的相关联的孔轴向对准的第二孔。关联的孔轴向对准的第二孔。关联的孔轴向对准的第二孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热控制的盖堆叠部件
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求对于2020年4月14日提交的题为“THERMALLY CONTROLLED LID STACK COMPONENTS(热控制的盖堆叠部件)”的美国专利申请第16/847,955号的权益和优先权，所述申请通过引用以其整体结合于此。


[0002]本技术涉及半导体处理装备。更具体地，本技术涉及用于提供受控的热分布的半导体腔室部件。

技术介绍

[0003]半导体处理系统通常利用群集工具将多个处理腔室整合在一起。此配置可以促进执行几个循序处理操作而无需从受控的处理环境中移除基板，或者它可以允许在变化的腔室中一次在多个基板上执行类似的处理。这些腔室可包括例如脱气腔室、预处理腔室、传送腔室、化学气相沉积腔室、物理气相沉积腔室、蚀刻腔室、计量腔室和其他腔室。选择群集工具中的腔室的组合，以及运行这些腔室的操作条件和参数，以使用特定的处理配方和处理流程来制造特定的结构。
[0004]处理系统可以使用一个或多个部件将前驱物或流体分配到处理区域中，这可以改善分配的均匀性。这些部件中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理系统，包含：腔室主体，所述腔室主体限定传送区域；盖板，所述盖板安置在所述腔室主体上，其中所述盖板限定穿过所述盖板的第一多个孔和穿过所述盖板的第二多个孔；以及多个盖堆叠，所述多个盖堆叠等于穿过所述盖板限定的所述第一多个孔的孔数量，其中所述多个盖堆叠至少部分地限定了从所述传送区域垂直偏移的多个处理区域，并且其中所述多个盖堆叠中的每个盖堆叠包括：阻流板，所述阻流板沿着所述阻流板的第一表面安置在所述盖板上，其中所述阻流板限定第一孔，所述第一孔与所述第一多个孔中的相关联的孔轴向对准，并且其中所述阻流板限定第二孔，所述第二孔与所述第二多个孔中的相关联的孔轴向对准，泵送衬套，所述泵送衬套安置在所述阻流板的第二表面上，所述第二表面与所述阻流板的所述第一表面相对，以及面板，所述面板安置在所述泵送衬套上。2.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述阻流板包括限定所述第一孔的边缘，其中所述边缘沿着所述盖板的侧壁延伸，所述侧壁限定所述第一多个孔中的所述相关联的孔。3.如权利要求1所述的基板处理系统，其中穿过所述盖板限定的所述第二多个孔中的所述相关联的孔和穿过所述阻流板限定的所述第二孔形成从所述泵送衬套延伸的流动通道。4.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述传送区域包含传送设备，所述传送设备围绕中心轴线可旋转并被配置成接合基板，并在所述传送区域内的多个基板支撑件之间传送基板。5.如权利要求1所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包含：区隔板，所述区隔板安置在所述面板上。6.如权利要求5所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包含：面板加热器，所述面板加热器安置在所述面板上并位于所述区隔板的径向外侧。7.如权利要求5所述的基板处理系统，其中所述区隔板限定从所述区隔板的第一表面垂直延伸的第一多个突起，并且其中所述区隔板在所述第一多个突起上安置在所述面板上。8.如权利要求7所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包含：气箱，所述气箱安置在所述区隔板上，其中所述区隔板限定从所述区隔板的第二表面垂直延伸的第二多个突起，所述第二表面与所述区隔板的所述第一表面相对，并且其中所述气箱在所述第二多个突起上安置在所述区隔板上。9.如权利要求8所述的基板处理系统，其中所述第二多个突起中的每个突起与所述第一多个突起中的突起垂直对准。10.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述阻流板限定从所述阻流板的第一表面延伸的第一组突起，其中所述阻流板在所述第一组突起上安置在所述盖板上，其中所述阻流板限定从所述阻流板的第二表面延伸的第二组突起，并且其中所述泵...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：