气体分配组件制造技术

本公开内容提供了一种气体分配组件，所述气体分配组件包括框架，所述框架具有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分彼此平行且相对。歧管被设置成与所述第一部分和所述第二部分平行并在所述第一部分与所述第二部分之间。每个歧管具有第一面和第二面。第一面具有气体入口，并且第二面具有出口。所述气体分配组件包括喷嘴。每个喷嘴耦接到所述第二面的出口的一个出口，并且每个喷嘴包括从每个喷嘴的出口延伸的喷嘴针孔。所述气体分配组件包括管，其中每个管具有耦接到所述歧管的第一歧管的第一端部和耦接到所述歧管的第二歧管的第二端部。所述管的每一个管彼此平行地设置。置。置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气体分配组件
[0001]背景
[0002]领域
[0003]本公开内容的多个实施方式一般关于用于在处理腔室中分配气体的气体分配组件。
[0004]相关技术描述
[0005]化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)用于在某些应用(诸如显示器)中使用的基板上沉积薄膜。CVD涉及将前驱物气体或气体混合物引入容纳基板的腔室中。前驱物气体或气体混合物典型地被向下导引通过分配组件(诸如来自腔室的顶部分的分配板)。在等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)中，通过从一个或多个RF功率源向腔室或分配板施加射频(ratio frequency，RF)功率，将腔室中的前驱物气体或气体混合物激励成等离子体。所激发的气体或气体混合物反应以在定位在基板支撑件上的基板的表面上形成材料层。某些基板(诸如通过PECVD处理的用于平板显示器中的那些基板)是大的。因此，用于在平板上方提供均匀处理气体流动的气体分布板很大。随着基板大小的不断增长，诸如在液晶显示器(liquid crystal display，LCD)和发光二极管(light emitting diode,LED)工业中，用于大面积等离子体增强化学沉积的膜厚度和膜性质均匀性控制提出了另外的考虑。
[0006]因此，需要一种用于对大基板的膜厚度和均匀性控制的气体分配组件。

技术实现思路

[0007]在一些实施方式中，提供了一种气体分配组件，该气体分配组件包括框架，该框架具有第一部分和与该第一部分平行且相对的第二部分。多个歧管被设置成与第一部分和第二部分平行并在第一部分与第二部分之间，并且每个歧管彼此平行地设置。每个歧管具有第一面和第二面。第一面具有气体入口，并且第二面具有多个出口。气体分配组件包括多个喷嘴。每个喷嘴可移除地耦接到第二面的多个出口的一个出口，并且每个喷嘴包括从每个喷嘴的出口延伸的喷嘴针孔。气体分配组件包括多个管。每个管包括耦接到多个歧管的第一歧管的第一端部和耦接到多个歧管的第二歧管的第二端部。
[0008]在一些实施方式中，提供了一种气体分配组件，该体分配组件包括多个歧管，该多个歧管彼此相邻地设置。每个歧管包括第一面和第二面，第一面具有气体入口，并且第二面具有多个出口。气体分配组件包括多个喷嘴，每个喷嘴可移除地耦接到第二面的多个出口的一个或多个出口。每个喷嘴具有从每个喷嘴的出口延伸的喷嘴针孔。气体分配组件包括多个管。每个管包括耦接到多个歧管的第一歧管的第一端部和耦接到多个歧管的第二歧管的第二端部。管的每一个管包括多个穿孔。
[0009]在一些实施方式中，提供了一种处理腔室，该处理腔室包括气体分配组件。气体分配组件包括多个歧管和多个管。管的每一个管包括多个穿孔。多个管在相邻歧管之间延伸并与该多个歧管的至少一个歧管流体连通。多个歧管和多个管形成包括第一面和第二面的平面布置。气体分配组件包括耦接到第二面的多个喷嘴。每个喷嘴在每个喷嘴的出口处具
有喷嘴针孔。气体入口设置在多个歧管的一个或多个歧管上。气体入口设置在平面布置的第一面上。基板支撑件与平面布置的第二面相对地设置在处理腔室中。
附图说明
[0010]为了可详细地理解本公开内容的上文陈述的特征结构，可参考多个实施方式来得到上文简要地概述的本公开内容的更特别的描述，多个实施方式中的一些实施方式在附图中示出。然而，需注意，附图仅示出本公开内容的多个示例实施方式，并且因此，不应当被视为对本公开内容范围的限制，因为本公开内容可承认其他多个等效实施方式。
[0011]图1描绘了根据本公开内容的一个实施方式的具有示例气体分配组件的处理腔室的截面示意图。
[0012]图2A描绘了根据本公开内容的一个实施方式的气体分配组件的仰视图。
[0013]图2B描绘了根据本公开内容的一个实施方式的气体分配组件的近距离仰视图。
[0014]图2C描绘了根据本公开内容的一个实施方式的气体分配组件的歧管和管的平面布置的截面俯视图。
[0015]图3A描绘了根据本公开内容的一个实施方式的气体分配组件的歧管和管的截面侧视图。
[0016]图3B描绘了根据本公开内容的一个实施方式的气体分配组件的管的端视图。
[0017]图4描绘了根据本公开内容的一个实施方式的气体分配组件的喷嘴的截面图。
[0018]图5描绘了根据本公开内容的一个实施方式的气体流动板的示意性仰视图。
[0019]为了便于理解，已经尽可能使用相同的附图标记标示各图共同的相同元素。设想的是，一个实施方式的元素和特征结构可被有益地结合在其他多个实施方式中，而无需进一步陈述。
具体实施方式
[0020]本公开内容的多个实施方式一般关于用于在处理腔室中分配气体的气体分配组件。本公开内容在本文中参考被构造为处理大面积基板的等离子体增强化学气相沉积系统(诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统)示例性地描述。然而，应当理解，本公开内容对于其他系统构造和/或工艺是有用的，诸如蚀刻系统、其他化学气相沉积系统和其中气体分布在处理腔室内的任何其他系统，包括被构造为处理圆形、矩形或其他多边形形状基板的那些系统。
[0021]图1描绘了根据本公开内容的一个实施方式的具有气体分配组件128的处理系统100的截面示意图。系统100包括与气源122流体连通或以其他方式耦接的处理腔室120。处理腔室120具有侧壁114、底部112和顶部108，该侧壁114、底部112和顶部108限定在处理腔室120内部的处理空间110。功率源104耦接到气体分配组件128并用于激发存在于处理空间110中的气体。
[0022]处理空间110通过侧壁114中的端口(port)(未示出)进入，该端口促成基板(未示出)进入和离开处理腔室120。基板在处理之前被放置在基板支撑件102上。使用耦接到功率源106的加热器对基板支撑件102进行温度控制。基板支撑件102与气体分配组件128相对地设置在处理空间110中。在操作中，来自一个或多个气源(例如122)的一种或多种气体通过
气体流动板130进入气体分配组件128。气体流动板130向多个歧管(例如，在图2A中描绘为206)的第一面128a上的多个气体入口提供气体。第一面128a耦接到气体流动板130。歧管206内的气体通过歧管的第二面128b上的多个出口离开歧管206并进入在每个歧管的每个纵向侧上耦接到每个歧管的管(例如，在图2A中描绘为210)。第一面128a的多个气体入口的每一个气体入口从气体分配组件128的气体流动板130接收气体。基板支撑件102与歧管206的第二面128b相对地设置。在操作中，处理温度是约100℃或更大，诸如约100℃至约800℃，诸如约200℃至约600℃。
[0023]图2A描绘了气体分配组件128的仰视图(例如，图1示出的第二面128b)。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一些实施方式中，气体分配组件128本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气体分配组件，包括：框架，所述框架包括第一部分和第二部分，所述第二部分与所述第一部分平行并相对；多个歧管，所述多个歧管被设置成与所述第一部分和所述第二部分平行并在所述第一部分与所述第二部分之间，每个歧管彼此平行地设置，每个歧管包括第一面和第二面，所述第一面包括气体入口，并且所述第二面包括多个出口；多个喷嘴，每个喷嘴可移除地耦接到所述第二面的所述多个出口的一个出口，每个喷嘴包括从每个喷嘴的出口延伸的喷嘴针孔；和多个管，每个管包括耦接到所述多个歧管的第一歧管的第一端部和耦接到所述多个歧管的第二歧管的第二端部，所述管的每一个管彼此平行地设置。2.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述框架进一步包括从所述第一部分延伸到所述第二部分的支撑梁，所述多个歧管被构造为可移除地耦接到所述支撑梁的一个或多个支撑梁。3.如权利要求2所述的气体分配组件，其中所述多个管可移除地耦接到所述多个歧管的一个或多个歧管。4.如权利要求1所述的气体分配组件，其中每个针孔包括长度(L)和直径(D)，其中由穿过所述针孔的L和D4的比率限定的限制常数大于10
‑3。5.如权利要求4所述的气体分配组件，其中所述限制常数大于1.6
×
10
‑3。6.如权利要求1所述的气体分配组件，其中每个喷嘴包括金属、金属氧化物、金属氮化物、铝、氧化铝、碳化硅、石英或它们的组合。7.如权利要求1所述的气体分配组件，所述多个歧管进一步包括：第一组歧管，所述第一组歧管的每一者端对端布置，从而形成第一组歧管端部接口，所述第一组歧管接口中的每个歧管端部可移除地耦接到所述框架的支撑梁；和第二组歧管，所述第二组歧管与所述第一组歧管相邻且间隔开，所述第二组歧管的每一者端对端布置，从而形成第二组歧管端部接口，所述第二组歧管接口中的每个歧管端部可移除地耦接到所述框架的支撑梁。8.如权利要求7所述的气体分配组件，其中所述第一组歧管的每个歧管进一步包括与所述第一组歧管的每个歧管的每个第一面上的所述入口流体连通的一个或多个通道、在每个歧管的每个第二面上的所述喷嘴、在歧管端部接口处的其他歧管的一个或多个通道和所述多个管的至少一个管。9.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述多个喷嘴的至少一个喷嘴与所述多个歧管的一个歧管中的通道和流体耦接到所述歧管的所述通道的管流体连通。10.一种气体分配组件，包括：多个歧管，所述多个歧管彼此相邻地设置，每个歧管包括第一面和第二面，所述第一面包括气体入口，并且所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑杰伊，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：