用于EPI腔室的原位温度映射制造技术

本发明专利技术提供用于在外延腔室中处理半导体基板的方法和设备，所述方法和设备被构造成用以针对基板和内部腔室部件两者来映射温度分布。在一个实施方式中，半导体处理腔室具有主体，该主体具有界定内部空间的天花板和下部分。基板支撑件设置于该内部空间中。安装板在内部空间外部耦接至天花板。移动组件耦接至安装板。传感器耦接至该移动组件并且相对于该天花板是可移动的。该传感器被构造成用以检测该内部空间中的温度位置。内部空间中的温度位置。内部空间中的温度位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于EPI腔室的原位温度映射
[0001]背景


[0002]本公开内容涉及用于映射(mapping)处理腔室中温度的设备和方法。尤其是，本专利技术涉及对外延处理腔室中的基板进行原位温度映射的设备和方法。

技术介绍

[0003]对于各种各样的应用(包括集成器件和微器件的制造)而言，半导体基板得到处理。各种半导体处理系统和/或腔室被用于在半导体基板上形成这些器件中执行各种操作/方法。处理基板的一种方法包括在基板的上表面上蚀刻材料。处理基板的另一方法包括在基板的上表面上沉积材料，例如半导体材料或导电材料。
[0004]外延是沉积处理的一个实例，这种沉积处理在处理腔室中在基板的表面上沉积各种材料的膜。外延处理能够在处理腔室内于某些处理条件(例如温度、压强和前驱物流量)下在基板上产生此类高质量膜。处理参数(例如温度、压强和前驱物流量)中的任何变化会导致膜厚度和分布的变化。在沉积处理期间，不均匀的气流、热流/传输、或遍及基板表面的掺杂剂气体浓度可能会不利地导致所得的硅外延层在不同位置处具有不同的膜特性。例如，在硅外延层边缘处测量的薄层电阻(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体处理腔室，包括：主体，所述主体具有界定内部空间的天花板和下部分；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述内部空间中；移动组件，所述移动组件在所述天花板上方，在所述内部空间外部；和传感器，所述传感器耦接至所述移动组件并且相对于所述天花板是可移动的，所述传感器被构造成用以检测所述内部空间中的温度位置。2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述传感器被构造成用以通过所述天花板中的窗来检测所述主体的所述下部分和所述基板支撑件的温度。3.如权利要求2所述的半导体处理腔室，其中所述移动组件进一步包括：安装板，所述安装板将所述移动组件耦接至所述天花板；线性轨道，所述线性轨道耦接至所述安装板；和台座，所述台座被构造成用以沿着所述轨道行驶，其中所述传感器安装至所述台座。4.如权利要求3所述的半导体处理腔室，其中所述基板支撑件被构造成用以旋转，并且所述移动组件被构造成用以移动所述传感器，并且其中所述传感器具有针对沿着所述基板支撑件的所述温度位置的螺旋读取路径。5.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述台座被构造成用以旋转。6.如权利要求3所述的半导体处理腔室，其中所述传感器是高温计。7.如权利要求2所述的半导体处理腔室，其中所述移动组件进一步包括：安装板，所述安装板将所述移动组件耦接至所述天花板；旋转台座，所述旋转台座附接至所述安装板；和万向架，所述万向架附接至所述旋转台座，所述传感器安装至所述万向架，其中所述旋转台座和所述万向架给所述传感器提供两种程度的旋转。8.如权利要求7所述的半导体处理腔室，其中所述传感器能够被旋转以检测所述主体的所述下部分的第一温度和所述基板支撑件的第二温度。9.如权利要求8所述的半导体处理腔室，其中所述传感器是高温计。10.一种用于外延处理腔室的传感器组件，所述传感器组件包括：移动组件，所述移动组件耦接至设置于所述外延处理腔室外部的安装板；和传感器，所述传感器耦接至所述移动组件，所述传感器被构造成用以检测所述外延处理腔室的内部空间中的温度位置，其中在产生所述外延处理腔室的所述内部空间的温度地图中，所述传感器相对于所述外延处理腔室是可移动的。11.如权利要求10所述的传感器组件，其中所述移动组件进一步包括：旋转台座，所述旋转台座附接至所述安装板；和万向架，所述万向架附...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿拉，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：