多区域半导体基板支撑制造技术

示例性支撑组件可包括顶部圆盘，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。顶部圆盘可在顶部圆盘的第一表面的外边缘处界定凹陷凸缘。所述组件可包括冷却板，所述冷却板相邻顶部圆盘的第二表面而与顶部圆盘耦合。所述组件可包括围绕顶部圆盘的外部而与顶部圆盘耦合的背板。背板可至少部分地与顶部圆盘一起界定容积。冷却板可容纳在所述容积内。所述组件可包括设置在顶部圆盘的凹陷凸缘上的加热器。所述组件可包括位于加热器上并且围绕顶部圆盘延伸的边缘环。边缘环可维持不与顶部圆盘接触。盘接触。盘接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多区域半导体基板支撑
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2021年3月12日提交的标题为“MULTI
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ZONE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SUPPORTS(多区域半导体基板支撑)”的美国非临时申请第17/200,080号的优先权，其内容以引用方式整体并入本文。


[0002]本技术涉及用于半导体制造的部件和设备。更特定而言，本技术涉及基板支撑组件和其他半导体处理装备。

技术介绍

[0003]通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺，可产生集成电路。在基板上产生图案化材料需要用于形成和移除材料的受控方法。这些工艺所发生的温度可能直接影响最终产品。在处理期间，通常用支撑基板的组件来控制和维持基板温度。跨支撑组件的表面或在支撑组件的深处可能出现的温度波动可在整个基板上产生温度带或区域。这些变温区域可影响在基板上或对基板执行的工艺，这通常可降低沿基板沉积的膜或所蚀刻的结构的均匀性。取决于沿基板表面的变化程度，由于应用所产生的不一致性，可能会发生元件故障。
[0004]此外，诸多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板支撑组件，包括：顶部圆盘，所述顶部圆盘的特征在于第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述顶部圆盘在所述顶部圆盘的所述第一表面的外边缘处界定凹陷凸缘；冷却板，所述冷却板相邻所述顶部圆盘的所述第二表面而与所述顶部圆盘耦合；背板，所述背板在所述顶部圆盘的外部周围与所述顶部圆盘耦合，其中所述背板至少部分地与所述顶部圆盘一起界定容积，并且其中所述冷却板容纳在所述容积内；加热器，所述加热器设置在所述顶部圆盘的所述凹陷凸缘上；以及边缘环，所述边缘环位于所述加热器上并围绕所述顶部圆盘延伸，其中所述边缘环维持不与所述顶部圆盘接触。2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述顶部圆盘在所述顶部圆盘的内部区域与外部区域之间界定热隔断，并且其中所述热隔断包括围绕所述顶部圆盘的内部半径界定的沟槽。3.如权利要求2所述的基板支撑组件，其中所述热隔断包括在所述顶部圆盘的所述第一表面处围绕所述顶部圆盘的内部半径界定的第一沟槽、以及在所述顶部圆盘的与所述第一表面相对的所述第二表面处围绕所述顶部圆盘的第二内部半径界定的第二沟槽。4.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述边缘环在所述边缘环的外部半径处垂直延伸到所述顶部圆盘的所述第一表面上方。5.如权利要求4所述的基板支撑组件，其中所述边缘环在所述边缘环的内部半径处凹入所述顶部圆盘的所述第一表面下方。6.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述边缘环的特征在于外径等于所述顶部圆盘的外径。7.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述边缘环包括延伸越过所述加热器的外部边缘的裙部。8.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述加热器界定内部容积，加热元件在所述内部容积内延伸。9.如权利要求8所述的基板支撑组件，其中所述加热元件延伸穿过所述顶部圆盘进入所述加热器。10.如权利要求9所述的基板支撑组件，其中所述加热器在与所述加热器相距两个或多个支座处接触所述顶部圆盘，其中所述两个或多个支座中的一个界定了用于所述加热元件延伸到所述加热器中的进出口，并且其中所述两个或多个支座中的所述一个界定了围绕所述进出口的通道，所述加热器进一步包括：垫圈，所述垫圈位于所述通道内围绕所述进出口。11.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述顶部圆盘包括铝或陶瓷，并且其中所述边缘环包括至少部分地镀在所述边缘环上的镍。12.一种基板支撑组件，包括：顶部圆盘，所述顶部圆盘的特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：I，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：