清洁高深宽比结构的方法及系统技术方案

本公开内容的实施方式一般涉及清洁基板表面的方法及系统。在一个实施方式中，提供处理基板的方法。此方法包括通过将基板定位在基板支撑件上将基板引进至处理腔室的处理空间。此方法进一步包括将第一处理气体流入处理空间中，第一处理气体包括HF，将第二处理气体流入处理空间中，第二处理气体包括吡啶、吡咯、苯胺、或前述物的组合，及将基板暴露于第一处理气体与第二处理气体以在氧化物去除条件下从基板去除氧化物。在另一实施方式中，提供系统，此系统包括处理基板的处理腔室及致使在处理腔室中执行处理方法的控制器。腔室中执行处理方法的控制器。腔室中执行处理方法的控制器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洁高深宽比结构的方法及系统


[0001]本公开内容的实施方式一般涉及清洁基板表面的方法及系统。

技术介绍

[0002]当暴露于典型基板制造设备环境条件时，单晶硅与外延硅的表面易受到污染。例如，由于基板的搬运和/或暴露于基板处理设备中的周围环境，在外延层的沉积之前，原生氧化物层可形成在单晶硅表面上。此外，诸如碳与氧物种的存在于周围环境中的外来污染物可沉积在单晶表面上。单晶硅表面上的原生氧化物层和/或污染物的存在负面地影响随后形成在单晶表面上的外延层的质量。因此，期望预清洁基板，以在基板上成长外延层之前去除表面氧化与其他污染物。
[0003]至少由于反应物必须到达特征的底部以清洁特征的理由，在高深宽比装置特征的底部处的硅表面上的原生氧化物的去除会是挑战性的。也就是说，当特征的深宽比增加及开口变得更小，氧化物去除变得更加困难。此外，氧化物去除的可到达深度受到例如，瓶颈(bottling)所限制，其中随着深宽比或深度增加，沟槽的底部夹止(pinch off)及深宽比相依的氧化物去除显著地降低。例如，使用例如，HF/NH3或NF3/NH3的常规本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理基板的方法，包含：通过将基板定位在基板支撑件上，将所述基板引进至处理腔室的处理空间；将第一处理气体流入所述处理空间中，所述第一处理气体包含HF；将第二处理气体流入所述处理空间中，所述第二处理气体包含吡啶、吡咯、苯胺、或前述物的组合；和将所述基板暴露于所述第一处理气体与所述第二处理气体，以在氧化物去除状态下从所述基板去除氧化物。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一处理气体与所述第二处理气体共伴流入所述处理空间中。3.如权利要求1所述的方法，其中当所述第一处理气体流入所述处理空间中时，所述第二处理气体间歇地流入所述处理空间中。4.如权利要求1所述的方法，进一步包含通过气相外延处理在所述基板上形成膜。5.如权利要求1所述的方法，进一步包含当从所述基板去除氧化物时冷却所述基板。6.如权利要求1所述的方法，进一步包含在暴露于所述处理气体之后或在暴露于所述处理气体之间时，加热所述基板至约50℃至约80℃的温度。7.如权利要求1所述的方法，进一步包含在从所述基板去除氧化物的至少一部分之后，在所述基板上执行热处理工艺，所述热处理工艺包含：将惰性气体流入所述处理腔室中；和将所述基板维持在约400℃或更高的温度。8.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化物去除状态包含：将所述基板维持在从约
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10℃至约80℃的温度；将所述处理空间维持在约600托或更小的压力；或前述状态的组合。9.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化物去除状态包含：将所述基板维持在从约0℃至约60℃的温度；将所述处理空间维持在约10托或更小的压力；或前述状态的组合。10.如权利要求1所述的方法，其中：所述第一处理气体进入所述处理空间的流率对于300mm尺寸的基板为约1sccm至约50sccm；所述第二处理气体对于所述第一处理气体的流率比例为约0.1至约5；或前述状态的组合。11.如权利要求1所述的方法，其中：所述第一处理气体进入所述处理空间的流率对于300mm尺寸的基板为约2sccm至约20sccm；所述第二处理气体对于所述第一处理气体的流率比例为约0.2至约2；或前述状态的组合。12.一种系统，包含：处理腔室，所述处理腔室处理基板；和
控制器，所述控制器致使在所述处理腔室中执行处理方法，所述处理方法包含：通过将所述基板定位在基板支撑件上，将所述基板引进至所述处理腔室的处理空间；将第一处理气体流入所述处理空间中，所述第一处理气体包含HF；将第二处理气体流入所述处理空间中，所述第二处...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒伯特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：