描述一种蒸发设备(100)，尤其用于蒸发诸如锂之类的反应性材料。此蒸发设备(100)包括用于蒸发液体材料(105)的蒸发坩锅(110)、用于将此液体材料(105)供应至此蒸发坩锅(110)的材料导管(120)，和经配置为通过用冷却装置(...

提供图案化基板的方法。方法包括以下步骤：借由将含金属层的表面暴露至含氯气体前驱物与含氧气体前驱物的等离子体流出物来修改形成在基板之上的含金属层的表面以形成含金属层的被修改的表面，而基板定位在处理腔室的处理区域中。方法进一步包括步骤：引导...

在具有处理腔室和传送臂的集群工具组件中使用的遮蔽盘(shutter disk)包括内盘和被配置为设置在内盘上的外盘。内盘包括被配置成与集群工具组件的传送臂的定位销相配合的多个定位特征和被配置成与设置在集群工具组件的处理腔室中的基板支撑件...

描述一种存储器串，在延伸穿过基板上的存储器堆叠的垂直孔中包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及至少一个存储器晶体管。存储器堆叠包括交替的非替换字线及替换绝缘体。经填充狭缝延伸穿过存储器堆叠，且在存储器堆叠中存在与该经填充狭缝相邻的至...

本公开内容的实施方式涉及用金属氟化物涂层涂布腔室部件的制品、涂布的腔室部件、方法及系统，所述金属氟化物涂层包括至少一种化学式为M1

描述了一种用于对基板进行缺陷检查测量的方法。该方法包括生成包括缺陷的基板部分的缺陷图像；生成对应于缺陷图像的参考图像；基于参考图像确定掩模图案；以及在掩模图案之外的区域中比较缺陷图像和参考图像以检测缺陷。的区域中比较缺陷图像和参考图像以...

本文提供的实施例总体包括用于产生对处理腔室中的基板进行等离子体处理的波形的设备、等离子体处理系统和方法。一个实施例包括波形产生器，所述波形产生器具有电压源电路系统、耦合在电压源电路系统与波形产生器的第一输出节点之间的第一开关、以及耦合在...

本文公开的实施方式包括处理工具及使用处理工具的方法。在一个实施方式中，处理工具包含腔室、及用于使一种或多种处理气体从多个气源流入腔室中的盒。在一个实施方式中，处理工具进一步包含用于多个气源的每一者的质量流量控制器、及在气源与盒之间的质量...

示例性半导体基板支撑件可以包括底座轴。半导体基板支撑件可以包括工作台。工作台可以限定跨越工作台的第一表面的流体通道。半导体基板支撑件可以包括定位在工作台和底座轴之间的工作台绝缘体。半导体基板支撑件可包含传导性圆盘，所述传导性圆盘与工作台...

一种光可固化组成物包括蓝色光致发光材料、一种或多种单体、和光引发剂，该光引发剂响应于吸收紫外光而引发一种或多种单体的聚合。蓝色光致发光材料被选择为吸收具有在约300nm至约430nm的范围中的最大波长的紫外光并且发射蓝光。蓝色光致发光材...

一种化学机械研磨系统包括：平台，用以支撑研磨垫；承载头；电机，用以在平台与承载头之间生成相对运动；蒸汽生成器，包括容器和加热元件，所述容器具有进水口和一个或多个蒸汽出口，且所述加热元件被配置成施加热量至下腔室部分以生成蒸汽；喷嘴，被定向...

本公开内容通常涉及具有3D成像能力的OLED显示器。一种光场显示器，包括3D光场像素阵列，3D光场像素的每一者包括波纹OLED像素阵列、邻近3D光场像素阵列设置的超构表面层、及设置在超构表面层与波纹OLED像素之间的多个中间层。波纹OL...

本文描述了一种在将涂层组成物或块体组成物暴露于苛刻的化学环境(诸如基于氢和/或基于卤素的化学物质)之后和/或在将涂层组成物或块体组成物暴露于高能等离子体之后提供增强的抗侵蚀性和抗腐蚀性的抗等离子体保护涂层组成物和块体组成物。本文还描述了...

一种方法包括识别序列配方中的复数个操作的瓶颈操作。该复数个操作与在基板处理系统中输送和处理复数个基板相关联。该方法进一步包括基于瓶颈操作确定复数个基板的节拍时间。节拍时间为第一基板进入基板处理系统与第二基板进入基板处理系统之间的时间量。...

本案描述了水平环绕式栅极器件及其制造方法。hGAA器件包含此器件的源极区与漏极区之间的经修整半导体材料。此方法包括选择性各向同性蚀刻电子器件的源极区与漏极区之间的半导体材料层。导体材料层。导体材料层。

用于处理基板的方法和设备。例如，处理腔室可包括：功率源；放大器，所述放大器连接至功率源，所述放大器包括氮化镓(GaN)晶体管或砷化镓(GaAs)晶体管中的至少一者，并且所述放大器被配置成放大从功率源接收的输入信号的功率水平以加热处理容积...

一种从材料表面向内形成三维特征的方法包括：提供包括出口的液滴分配器，该液滴分配器被构造为分配其中具有反应物的液体材料的离散液滴，该反应物能够与液滴所接触的材料层的部分反应并且由此移除该部分；提供被构造为在其上支撑材料的支撑件，支撑件及液...

一种方法包括接收与多个金属板相关联的一或更多个参数。所述方法进一步包括基于所述一或更多个参数确定与所述多个金属板相关联的多个预测变形值。所述多个预测变形值中的每一者对应于所述多个金属板中的对应金属板。所述方法进一步包括基于所述多个预测变...

形成含硅碳材料的示例性方法可以包括以下步骤：使含硅氧碳前驱物流进半导体处理腔室的处理区中。基板可安放在半导体处理腔室的处理区内。方法可包括以下步骤：在含硅碳前驱物的处理区内形成等离子体。等离子体可以小于15MHz(例如，13.56MHz...

本文所述的实施方式提供链接工具和具有由一个或多个链接工具连接的两个或更多个处理工具的链接处理系统。链接处理系统的每个布置包括在相邻处理工具的后端处在传送模块处耦接至链接腔室的这些处理工具。后端耦接利用了离开处理工具的工厂接口的底板空间。...