涂布抗腐蚀金属氟化物的制品、其制备方法及使用方法技术

本公开内容的实施方式涉及用金属氟化物涂层涂布腔室部件的制品、涂布的腔室部件、方法及系统，所述金属氟化物涂层包括至少一种化学式为M1

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】涂布抗腐蚀金属氟化物的制品、其制备方法及使用方法


[0001]本公开内容的实施方式涉及涂布抗腐蚀金属氟化物的制品、涂布抗腐蚀金属氟化物的腔室部件及形成并使用此种涂布制品及腔室部件的方法。

技术介绍

[0002]各种半导体制造工艺使用高温、高能等离子体(诸如远程及直接氟等离子体，如NF3、CF4和类似者)、腐蚀性气体的混合物、腐蚀性清洁化学品(例如氢氟酸)及上述各者的组合。这些极端条件可能导致腔室内部件材料与等离子体或腐蚀性气体之间发生反应，从而形成金属氟化物、颗粒、其他痕量金属污染物及高蒸气压气体(例如AlF
x
)。此种气体很容易升华并沉积在腔室内的其他部件上。在随后的工艺步骤期间，沉积的材料可能以颗粒形式从其他部件中释放出来，并落到晶片上，从而导致缺陷。由此种反应引起的额外问题包括沉积速率漂移、蚀刻速率漂移、膜均匀性受损及蚀刻均匀性受损。通过在反应性材料上的稳定、非反应性涂层来限制腔室内的部件上的颗粒及金属污染物的升华和/或形成，以此减少这些缺陷是有益的。

技术实现思路

[0003]根据实施方式，本文披露了用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理腔室的腔室部件，包括：基板；和所述基板上的金属氟化物涂层，所述金属氟化物涂层包含以下各者中至少一者：化学式M1
x
F
w
，其中x的值为1，而w的值为1至3；化学式M1
x
M2
y
F
w
，其中x的值为0.1至1，y的值为0.1至1，而w的值为1至3；或者化学式M1
x
M2
y
M3
z
F
w
，其中x的值为0.1至1，y的值为0.1至1，z的值为0.1至1，而w的值为1至3，且其中M1、M2或M3中的至少一者包括镍。2.如权利要求1所述的腔室部件，其中M2和M3各自独立地为选自由镁、铝、钴、铬和钇组成的组的金属。3.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述金属氟化物涂层包括包含镍的化学镀金属涂层或包含镍的电解金属镀覆涂层。4.如权利要求3所述的腔室部件，其中所述化学镀金属涂层包括纳米晶态结构，所述纳米晶态结构包括四方磷化镍(Ni3P)和立方镍。5.如权利要求3所述的腔室部件，其中所述化学镀金属涂层或所述电解金属镀覆涂层包含磷(P)，并且其中所述金属氟化物涂层不含磷。6.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述金属氟化物涂层是晶态的。7.如权利要求6所述的腔室部件，其中所述金属氟化物涂层包括四方P42/mnm晶态结构。8.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述基板包括铝合金、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、镍(Ni)、不锈钢、镍铬合金、奥氏体镍铬基超合金、纯镍、石英、铁、钴、钛、镁、铜、锌、铬或上述各者组合。9.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述腔室部件是半导体腔室部件，并且其中所述基板是加热器、静电卡盘、面板、喷头、衬垫、阻隔板、气箱、边缘环或波纹管。10.一种用于在处理腔室中的处理期间减少颗粒的方法，包括以下步骤：使基板与氟接触以形成金属氟化物涂层，其中所述金属氟化物涂层包含以下各者中至少一者：化学式M1
x
F
w
，其中x的值为1，w的值为1至3；化学式M1
x
M2
y
F
w
，其中x的值为0.1至1，y的值为0.1至1，w的值为1至3；或者化学式M1
x
M2
y
M3
z<...

【专利技术属性】
技术研发人员：段仁官，克里斯托弗，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：