用于使用多个特殊传感器和算法的半导体处理配备的抗脆弱系统技术方案

本文公开的实施方式包括处理工具及使用处理工具的方法。在一个实施方式中，处理工具包含腔室、及用于使一种或多种处理气体从多个气源流入腔室中的盒。在一个实施方式中，处理工具进一步包含用于多个气源的每一者的质量流量控制器、及在气源与盒之间的质量流量计。在一个实施方式中，处理工具进一步包含在质量流量计与盒之间的第一压力计、流体耦接到腔室的第二压力计、及耦接到腔室的排气管线。及耦接到腔室的排气管线。及耦接到腔室的排气管线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于使用多个特殊传感器和算法的半导体处理配备的抗脆弱系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月11日提交的第17/019,061号美国非临时申请的优先权益，其全部内容通过引用方式并入本文。


[0003]本公开内容的实施方式涉及半导体处理领域，且特定而言，涉及具有控制回路传感器及见证传感器(witness sensors)的处理腔室。

技术介绍

[0004]随着半导体器件持续向更小的特征尺寸发展，半导体晶片处理的复杂性一直在增加。给定处理可包括诸多不同处理参数(即，旋钮)，这些处理参数可独立控制以便提供晶片上的期望结果。例如，晶片上的期望结果可指特征轮廓、层厚度、层的化学成分、或类似者。随着旋钮的数量增加，可用于调整及优化处理的理论处理空间变得非常大。
[0005]此外，一旦已经开发出最终处理配方，用于不同晶片的处理的众多迭代期间的腔室漂移可能导致晶片上的结果的改变。腔室漂移可以是以下各者所致的结果：腔室的可消耗部分的腐蚀、部件(例如，传感器、灯等)的劣化、在表面上方沉积副产物膜、或类似者本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理工具，包含：腔室；盒，所述盒用于使一种或多种处理气体从多个气源流入所述腔室中；质量流量控制器，所述质量流量控制器用于所述多个气源的每一者；质量流量计，所述质量流量计在所述气源与所述盒之间；第一压力计，所述第一压力计在所述质量流量计与所述盒之间；第二压力计，所述第二压力计流体耦接到所述腔室；及排气管线，所述排气管线耦接到所述腔室。2.根据权利要求1所述的处理工具，进一步包含：位于所述腔室中的反射体上的温度传感器的阵列。3.根据权利要求1所述的处理工具，进一步包含：节流阀，所述节流阀在所述排气管线中；第三压力计，所述第三压力计在所述节流阀与所述腔室之间的所述排气管线中；及第四压力计，所述第四压力计在所述排气管线中的、所述节流阀的与所述第三压力计相对的一侧上。4.根据权利要求3所述的处理工具，其中所述第一压力计经优化以检测第一压力范围中的压力，其中所述第三压力计经优化以检测第二压力范围中的压力，其中所述第四压力计经优化以检测第三压力范围中的压力，并且其中所述第一压力范围所具有的最大压力比所述第二压力范围的最大压力更大，并且其中所述第二压力范围的所述最大压力比所述第三压力范围的最大压力更大。5.根据权利要求1所述的处理工具，其中所述处理工具实施自由基氧化处理。6.根据权利要求5所述的处理工具，其中所述多个气源包含氧气源气体及氢气源气体。7.根据权利要求1所述的处理工具，其中所述盒将气体从所述腔室的一侧注入到所述腔室中。8.根据权利要求1所述的处理工具，其中所述盒及所述排气管线位于所述腔室的相对端部上。9.一种处理工具，包含：物理工具，其中所述物理工具包含：控制回路传感器；及见证传感器；虚拟传感器模块，其中所述虚拟传感器模块接收控制回路传感器数据及见证传感器数据以作为输入，并且其中所述虚拟传感器模块输出虚拟传感器数据；及数据模型，其中所述数据模型包含：统计模型；及物理模型，其中所述虚拟传感器数据被提供到所述数据模型，并且其中所述数据模型被配置为至少部分地基于所述虚拟传感器数据将控制力提供到所述物理工具。10.根据权利要求9所述的处理工具，其中所述物理工具是用于实施自由基氧化处理的工具。11.根据权利要求10所述的处理工具，其中所述控制回路...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丁，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：