一种传感器装置包括具有在压电基板上设置的表面声波(SAW)传感器的整合传感器组件。SAW传感器适用于响应于RF信号来测量环境的环境状况。SAW传感器包括在具有至少一层压电材料的基板上形成的叉指换能器(IDT)。SAW传感器包括在压电材料...

本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种方法包括：以第一流速将第一气体供应至设置在沉积腔室的内部体积内的基板支撑件，并以第二流速将第一气体供应至沉积腔室的内部体积中；将第一气体的第一流速降低至第三流速；供应DC功率、或DC功率和A...

本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种方法包括：以第一流速将第一气体供应至设置在沉积腔室的内部体积内的基板支撑件，并以第二流速将第一气体供应至沉积腔室的内部体积中；将第一气体的第一流速降低至第三流速；供应DC功率、或DC功率和A...

示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物...

示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物...

本技术的示例包括用于在基板上形成含硼材料的半导体处理方法。示例性处理方法可包括：将包括含硼前驱物的沉积前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。可在半导体处理腔室的处理区域内，从沉积前驱物形成等离子体。所述方法可进一步包括：在设置在半导体处...

本技术的示例包括用于在基板上形成含硼材料的半导体处理方法。示例性处理方法可包括：将包括含硼前驱物的沉积前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。可在半导体处理腔室的处理区域内，从沉积前驱物形成等离子体。所述方法可进一步包括：在设置在半导体处...

描述了一种用于将边缘支撑框架(ESF)固定到沉积设备的工作台框架的磁固定件。所述磁固定件包括：第一构件，所述第一构件具有磁体；和第二构件，所述第二构件具有磁元件。所述第一构件和所述第二构件各自耦接到所述工作台框架和所述ESF中的至少一者...

描述了一种用于将边缘支撑框架(ESF)固定到沉积设备的工作台框架的磁固定件。所述磁固定件包括：第一构件，所述第一构件具有磁体；和第二构件，所述第二构件具有磁元件。所述第一构件和所述第二构件各自耦接到所述工作台框架和所述ESF中的至少一者...

本文公开的多个示例涉及用于检测流体中粒子尺寸的系统和方法。该系统包括用于输送流体的导管和样本区域。一些流体通过样本区域。第一成像装置具有光学透镜和数字检测器。激光源发射第一激光束。数字检测器生成穿过光学透镜的散射光的初始强度的度量。散射...

一种用于从主模板压模(stamp)制造纳米压印平版印刷术压模的设备，包括经配置成选择性地将压模背衬材料固定到其上的压模夹盘、经配置为支撑主模板压模的主夹盘，主模板压模包括在其上主图案，主夹盘经配置成支撑主模板压模，主模板压模与选择性地固...

一种传感器组件包括表面声波(SAW)传感器。SAW传感器适用于响应于接收RF信号来测量第一环境状况。SAW传感器包括具有一层压电材料的基板。SAW传感器进一步包括在压电材料上形成的叉指换能器(IDT)。IDT包括具有以第一布置的互锁导电...

公开了用于选择性沉积含锗膜的方法。本公开的一些实施例提供在裸硅上沉积而在氧化硅表面上几乎不沉积或不沉积。本公开的一些实施例提供在沟槽侧壁上的共形膜。本公开的一些实施例提供不具有缝隙或空洞的优越间隙填充。施例提供不具有缝隙或空洞的优越间隙...

本文公开的实施方式包括一种等离子体加工腔室，所述等离子体加工腔室包括一或多个侧壁。一或多个侧壁内的支撑表面保持工件。沿着一或多个侧壁的第一气体注入器在大致平行于工件表面并且跨过工件表面的第一方向中注入第一气流。沿着与第一气体注入器大致相...

本公开内容的实施方式涉及一种多板面板，所述多板面板具有第一板和第二板。所述第一板具有多个第一板开口。所述第二板具有第一表面、相对的第二表面和从中延伸穿过的多个第二板开口。所述第一表面机械地耦接到所述第一板。第二板开口具有锥形部分，所述锥...

本公开内容的实施方式涉及用于增强、虚拟和/或混合现实应用的光学装置。在一个或多个实施方式中，光学装置计量系统被构造为针对光学装置测量多个第一指标和一个或多个第二指标，一个或多个第二指标包括显示泄漏指标。一个或多个第二指标包括显示泄漏指标...

本文提供了一种在用作工艺腔室部件的基板中形成一个或多个孔的方法的实施例。在一些实施例中，在用作工艺腔室部件的基板中形成一个或多个孔的方法包括使用冲击钻孔、套料钻孔或烧蚀工艺中的至少一者，用一个或多个激光钻机在基板中形成一个或多个孔，其中...

示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体。组件可包括与静电卡盘主体耦接的支撑杆。组件可包括嵌入在静电卡盘主体内的加热器。组件可包括在加热器和基板支撑表面之间嵌入在静电卡盘主体内的电极。组件可包括与电极耦接的功率传输棒。功率传输...

根据本公开内容的一方面，提供了一种用于涂覆布置在沉积腔室(101)的涂覆区域(105)中的基板(10)的溅射沉积源(100)。所述溅射沉积源(100)包括并排地布置成阵列的多个阴极(120)。所述多个阴极(120)中的每个阴极是可旋转的...

本公开内容的各个方面总体上涉及用于在处理腔室中进行边缘环替换的设备和方法。在一个方面中，公开一种用于支撑边缘环的载体。在其他方面，公开了用于支撑载体的机械叶片。在另一方面中，公开一种用于在脱气腔室中支撑载体的支撑结构。在另一方面中，公开...