本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及所述涂覆碳化硅的...

一种填充半导体结构中的特征的方法包括通过原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)中的一者在该特征中形成阻挡层；其中该阻挡层为钴(Co)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)加Mo、钛(Ti)、钛铝碳化物(TiAlC)...

示例性基板支撑组件可包括限定支撑表面的静电卡盘主体，所述支撑表面限定基板座。基板支撑表面可包括介电涂层。基板支撑组件可包括支撑杆，所述支撑杆与静电卡盘主体耦接。基板支撑组件可包括冷却毂，所述冷却毂定位在支撑杆的基部下方并且与冷却流体源耦...

示例性半导体处理系统可包括处理腔室及至少部分设置在处理腔室内的静电吸盘。静电吸盘可包括至少一个电极和加热器。一种半导体处理系统可包括电源，向电极提供信号来提供静电力，以将基板紧固至静电吸盘。所述系统还可包括滤波器，所述滤波器通信耦合在电...

本文所述的实施方式提供了形成光学器件结构的方法。该方法利用基板的旋转来在该基板上形成光学器件结构，并且利用设置在基板上方的图案化抗蚀剂及器件层或基板中的一者的蚀刻速率的可调谐性来形成光学器件结构，而无需多个光刻图案化步骤及成角度蚀刻步骤...

描述了用于形成经UV处理的低k介电膜的半导体处理方法。所述方法可包括将沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域。沉积前驱物可包括含硅与碳前驱物。所述方法可进一步包括从基板处理区域内的沉积前驱物产生沉积等离子体，以及从沉积等离子体的等离...

本公开涉及具有集成的电磁干扰(“EMI”)屏蔽件的薄形状因子半导体封装和用于其形成的方法。本文描述的封装可用于形成高密度半导体器件。在某些实施例中，硅基板经激光剥蚀以包括一个或多个空腔和围绕空腔的多个通孔。一个或多个半导体管芯可放置在空...

本文提供用于处理基板的方法与设备。例如，方法可包含：在基板上沉积第一金属层并且蚀刻第一金属层以形成栅极电极，在栅极电极顶上沉积介电层，在介电层顶上沉积半导体氧化物层以覆盖栅极电极的一部分，从栅极电极的未被半导体氧化物层覆盖的一部分蚀刻介...

本公开内容的实施方式一般涉及航天部件上的保护性涂层和沉积保护性涂层的方法。在一个或多个实施方式中，提供含有保护性涂层的航天部件，且航天部件含有超合金基板与设置在超合金基板上的接合涂层。保护性涂层也含有设置在接合涂层上的热阻挡涂层，热阻挡...

本文描述了包括侧储存舱的电子装置处理系统。一个电子装置处理系统具有：侧储存舱，所述侧储存舱具有经配置成接收侧储存容器的第一腔室；具有面板开口的面板；面板经配置成耦接在侧储存容器和设备前端模块之间；在第一腔室中接收的侧储存容器；及排气管道...

一种在基板上形成多层堆叠结构的方法包括：在第一工艺腔室中使用第一沉积工艺处理基板以在该基板上沉积多层堆叠结构的第一层；自第一工艺腔室移除基板；使用光学传感器测量第一层的第一厚度；基于第一层的第一厚度确定多层堆叠结构的第二层的目标第二厚度...

本公开内容的实施方式涉及用于形成电致发光(EL)装置的阵列和形成具有重叠掩模板的EL装置的设备和方法。方法利用重叠第一掩模板与第二掩模板以形成具有第一掩模板的第一孔与第二掩模板的第二孔重叠的掩模布置，从而形成一个或多个开口区域。材料穿过...

描述了用于在基板上沉积非晶碳层和用于用非晶碳间隙填充来填充基板特征的方法。所述方法包括执行沉积循环，所述沉积循环包括以下步骤：将烃源引入处理腔室；将等离子体引发气体引入处理腔室；在处理腔室中在大于600℃的温度下产生等离子体；以大于20...

描述用于涂布柔性基板的处理系统(100)和涂布柔性基板的方法。特别地，描述蒸发器(30)和操作蒸发器的方法。蒸发器(30)包括坩埚布置(35)，坩埚布置(35)具有数量R个相邻行的坩埚(350)，坩埚中的每一个坩埚具有围绕单独坩埚的感应...

一种用于处理腔室中的多电极阴极的射频(RF)功率电路，可包括RF源和导电耦合至RF源的(多个)电感元件。第一电感元件可感应耦合至(多个)电感元件，并且第一电感元件可被配置为接收源自RF源的RF功率的第一部分，并且为第一基座电极提供RF功...

示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体。基板支撑组件可包括与静电卡盘主体耦接的支撑杆。基板支撑组件可包括嵌入静电卡盘主体内的加热器。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第一双极电极。第一双极电极可...

描述了用于产生校正动作的评估图的方法、系统及非暂时性计算机可读介质。一种方法包括接收包含第一组向量的第一向量图，每一向量指示在基板上的多个位置的特定位置的变形。该方法进一步包括通过旋转第一组向量中的每一向量的位置来产生包含第二组向量的第...

提供了一种使用锡基材料作为心轴、硬掩模及衬垫材料来图案化半导体材料的方法及设备。本揭示案的一或更多个实施方式在多种图案化应用期间使用氧化锡及/或碳化锡材料作为硬掩模材料、心轴材料及/或衬垫材料。氧化锡或碳化锡材料相对于其他高选择性材料如...

本文所述的实施方式涉及一种系统、软件和使用该系统编辑要由光刻系统打印的设计的方法。该系统和方法利用无掩模光刻装置的服务器。该服务器包括存储器。该存储器包括虚拟掩模文件。虚拟掩模文件包括单元格，并且所述单元格包括形成一个或多个多边形的子单...

本文提供了用于在处理腔室中使用的处理配件的实施例。在一些实施例中，一种用于在处理腔室中使用的处理配件包括狭缝门，所述狭缝门具有弓形轮廓并且包括可滑动地耦接至第二板的第一板，其中第一板被配置成耦接至致动器，其中第二板具有包括硅的内表面，并...