本发明描述了通过将基板表面暴露于卤化物前驱物和有机硅烷反应物来沉积金属膜的方法。该卤化物前驱物包含具有以下通式(I)的化合物：MQ

示例性装置可包括：基板；介电层，在基板上形成；第一光源，经构造为发射通过第一波长表征的第一光；第二光源，经构造为发射通过与第一波长不同的第二波长表征的第二光；和第三光源，经构造为发射通过与第一波长及第二波长不同的第三波长表征的第三光。第...

本文提供了用于在处理腔室中使用的沉积环的实施例。在一些实施例中，一种沉积环包括：环状主体；内壁，所述内壁从环状主体的内部部分向上延伸；以及外壁，所述外壁从环状主体的外部部分向上延伸，以在内壁与外壁之间限定大沉积腔体，其中大沉积腔体的宽度...

本文公开的实施方式通常提供对处理腔室中的气流的改进控制。在至少一个实施方式中，一种用于处理腔室的衬垫包括：环形主体，具有侧壁；及排气件，形成在环形主体中，用于将气体从环形主体的内侧排放到外侧。排气件包含穿过侧壁设置的一个或多个排气孔。衬...

描述了形成钨膜的方法，包含以下步骤：在氧化物表面上形成硼籽晶层、在硼籽晶层上的任选的钨起始层以及在硼籽晶层或钨起始层上的含钨膜。还描述了包含氧化物表面上的硼籽晶层以及任选的钨起始层和含钨膜的膜堆叠。以及任选的钨起始层和含钨膜的膜堆叠。以...

描述了一种用于密封真空腔室的装置，该真空腔室提供第一容积。该装置包括在第一容积与第二容积之间提供流体连通的中间容积、用于密封与第一容积相关联的第一导管并将第一容积与中间容积进行密封的第一密封件、用于密封与第二容积相关联的第二导管并将第二...

描述了一种用于在真空处理系统中向可移动装置(10)进行供应的供应布置(100)。所述供应布置(100)包括关节臂馈通系统(105)，所述关节臂馈通系统用于向所述可移动装置(10)提供供应线。附加地，所述供应布置(100)包括力补偿单元(...

本公开内容的实施方式涉及用于增强、虚拟和/或混合现实应用的光学装置。在一个或多个实施方式中，光学装置计量系统被构造为针对光学装置测量多个第一指标和一个或多个第二指标，一个或多个第二指标包括显示泄漏指标。一个或多个第二指标包括显示泄漏指标...

本技术的示例包括用于在半导体结构中形成针对锗的扩散阻挡层的半导体处理方法。所述方法可包括从多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠。可通过形成硅层，然后形成硅层的锗阻挡层来形成Si与SiGe层对。在一些实施例中，锗阻挡层可以是小于或约硅锗层...

本文提供了通过在绝缘层上而不在金属表面上选择性地沉积阻挡层，来形成电阻降低的过孔的方法。本公开内容的一些实施方式利用平面烃在金属表面上形成阻拦层。执行沉积以选择性地沉积在未阻拦的绝缘表面上。地沉积在未阻拦的绝缘表面上。地沉积在未阻拦的绝...

公开一种用于形成用于封装应用的微穿孔的方法。开发了牺牲光敏材料用于形成具有缩减的直径和改善的放置精度的微穿孔。微穿孔由导电材料填充，并且周围的电介质被移除并且被替换为RDL聚合物层。换为RDL聚合物层。换为RDL聚合物层。

描述了用碳间隙填充来填充基板特征同时留有孔隙的方法。所述方法包括以下步骤：使工艺气体流入高密度等离子体化学气相沉积(HDP

半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢流入半导体处理腔室的处理区域。基板可以被容纳在半导体处理腔室的处理区域内。方法还可以包括形成含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢的等离子体。等离子体可以在15MHz以上的频率下形...

本公开内容涉及一种用于原位陈化处理腔室部件(诸如电极)的方法。所述方法包括在所述处理腔室部件上方沉积硅氧化物膜并将所述硅氧化物膜转化为含硅碳膜。所述含硅碳膜在所述处理腔室部件上方形成保护膜并耐受等离子体处理和/或干法蚀刻清洁。所述涂层具...

实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的...

本文中所公开的实施方式包括基板处理模块及移动工件的方法。基板处理模块包括遮件堆叠及两个处理站。遮件堆叠设置在处理站之间。移动工件的方法包括以下步骤：在第一方向上将支撑部分从第一位置移动到遮件堆叠，从遮件堆叠取回工件，及将支撑部分移动至第...

本技术的示例包括半导体处理方法，该方法在基板处理腔室的基板处理区域中提供基板，其中基板维持在低于或约50℃的温度。可将惰性前驱物和含烃前驱物流入基板处理腔室的基板处理区域内，其中惰性前驱物对含烃前驱物的流速比可为大于或约10:1。可从惰...

示例处理方法可包括形成含硅和氮前驱物的第一沉积等离子体。方法可包括利用第一沉积等离子体在半导体基板上沉积氮化硅材料的第一部分。可形成含氦和氮前驱物的第一处理等离子体以利用第一处理等离子体来处理氮化硅材料的第一部分。第二沉积等离子体可沉积...

描述了在半导体基板上形成低K膜的半导体处理方法的实施例。所述处理方法可包括使沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。沉积前驱物可包括具有至少一个乙烯基的含硅前驱物。所述方法还可包括在基板处理区域中从沉积前驱物生成沉积等离子体。由小...

本文提供了用于在基板处理腔室中使用的部件的实施例。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的部件包括：主体，所述主体具有从所述主体的顶表面部分地延伸穿过所述主体的开口，其中所述开口包含螺纹部分，所述螺纹部分用于将所述主体紧固到第二处...