针对锗的扩散阻挡层制造技术

本技术的示例包括用于在半导体结构中形成针对锗的扩散阻挡层的半导体处理方法。所述方法可包括从多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠。可通过形成硅层，然后形成硅层的锗阻挡层来形成Si与SiGe层对。在一些实施例中，锗阻挡层可以是小于或约硅锗层可形成在锗阻挡层上，以完成Si与SiGe层对的形成。在一些实施例中，硅层可以是非晶硅层，而SiGe层可特征在于大于或约5原子％的锗。本技术的示例还包括半导体结构，所述半导体结构包括硅锗层、锗阻挡层和硅层。挡层和硅层。挡层和硅层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】针对锗的扩散阻挡层
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求2020年8月27日提交的题为“DIFFUSION BARRIERS FOR GERMANIUM(针对锗的扩散阻挡层)”的美国专利申请第17/004,262号的权益和优先权，所述美国专利申请通过引用以其全文结合于此。


[0002]本技术涉及用于半导体处理的方法和系统。更具体地，本技术涉及用于生产在半导体结构中针对锗的扩散阻挡层的系统与方法。

技术介绍

[0003]通过在基板表面上生产复杂地图案化的材料层的工艺使得制造集成电路成为可能。在基板上生产图案化材料需要用于形成与移除材料的受控方法。随着器件尺寸持续缩小，膜特性会导致对器件性能的更大影响。用于形成材料层的材料可影响所生产的器件的操作特性。随着材料厚度持续缩小，膜的沉积态(as
‑
deposited)特性会对器件性能有更大影响。
[0004]因此，存在对于可用于生产高质量器件与结构的改良系统与方法的需求。这些与其他的需求由本技术解决。

技术实现思路

[0005]本技术的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体处理方法，包含以下步骤：由多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠，其中所述多对Si与SiGe层通过以下步骤形成：形成硅层；在所述硅层上形成锗阻挡层，其中所述锗阻挡层为小于或约以及在所述锗阻挡层上形成硅锗层。2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述锗阻挡层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锗、氮化锗、或氮氧化锗中的至少一者。3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述锗阻挡层包含氧化硅层，通过将所述硅层暴露于由包含O2的氧化前驱物产生的氧化等离子体来形成所述氧化硅层，并且其中所述硅层暴露于所述氧化等离子体达小于或约5秒。4.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述硅锗层包含大于或约5原子％的锗。5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述方法进一步包含以下步骤：在所述硅锗层上形成第二锗阻挡层，其中所述第二锗阻挡层为小于或约锗层上形成第二锗阻挡层，其中所述第二锗阻挡层为小于或约6.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述方法进一步包含以下步骤：在大于或约800℃的温度下退火所述半导体层堆叠。7.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述方法进一步包含以下步骤：在大于或约1000℃的温度下用快速热退火处理所述半导体层堆叠。8.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述半导体层堆叠具有大于或约50对Si与SiGe层。9.一种半导体处理方法，包含以下步骤：在基板上形成硅层；将所述硅层暴露于由包含O2的氧化前驱物产生的氧化等离子体，其中所述硅层暴露于所述氧化等离子体达小于或约5秒，并且其中所述暴露步骤在所述硅层上形成氧化硅层；在所述氧化硅层上沉积硅锗层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧圆，S，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：