原位陶瓷涂层沉积的方法技术

本公开内容涉及一种用于原位陈化处理腔室部件(诸如电极)的方法。所述方法包括在所述处理腔室部件上方沉积硅氧化物膜并将所述硅氧化物膜转化为含硅碳膜。所述含硅碳膜在所述处理腔室部件上方形成保护膜并耐受等离子体处理和/或干法蚀刻清洁。所述涂层具有高密度、良好的发射率控制并降低器件性质漂移的风险。良好的发射率控制并降低器件性质漂移的风险。良好的发射率控制并降低器件性质漂移的风险。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】原位陶瓷涂层沉积的方法

技术介绍

[0001]领域
[0002]本公开内容的实施方式总体上涉及制造半导体器件的系统和方法。更具体地，本公开内容涉及用于射频活性表面保护和发射率控制的原位陶瓷涂层沉积的方法。
[0003]相关技术描述
[0004]等离子增强化学气相沉积(PECVD)是用于在基板(例如半导体基板)上沉积膜的工艺。PECVD是通过将处理气体引入容纳基板的处理腔室来实现的。处理气体被引导通过气体分配组件并进入处理腔室中的处理容积。
[0005]电磁能(诸如射频(RF)功率)用于激活处理腔室中的处理气体以产生等离子体并沉积膜。作为PECVD工艺的结果，处理腔室在预定数量的工艺循环之后被清洁以避免基板膜性质漂移。然而，基板清洁工艺(诸如使用等离子体的那些)可能损坏处理腔室的内部组件，从而也会引起基板膜性质漂移。
[0006]因此，需要一种高效、有效的保护涂层方法，以减少在高功率工艺(诸如清洁)期间对腔室部件的损坏。

技术实现思路

[0007]在一个实施方式中，提供了一种方法，包括将处理气体引入处理腔室的处理容积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：将处理气体引入到处理腔室的处理容积，其中所述处理气体包括硅烷气体和含氧气体，硅烷气体与含氧气体的比率按体积计为约0.007至约0.08；使用小于0.07的硅烷流量(sccm)与功率(W)比来激发所述硅烷气体，其中激发所述硅烷气体在处理腔室部件上方形成硅氧化物(SiO
x
)膜；以及将含碳气体引入到所述处理容积以在所述处理腔室部件上形成含硅和碳膜。2.如权利要求1所述的方法，其中引入含碳气体包括将所述硅氧化物膜转化为包含碳氧化硅(SiOC)、碳化硅(SiC)或它们的组合的所述含硅和碳膜。3.如权利要求2所述的方法，进一步包括使用氧等离子体蚀刻所述含硅和碳膜。4.如权利要求2所述的方法，其中所述SiO
x
膜包括以下项中的一者或多者：约1.5g/cc至约2.6g/cc的SiO
x
密度，如通过X射线反射计确定的；约5Gpa至约8Gpa的SiO
x
硬度，如基于ISO 14577确定的；以及约50Gpa至约90Gpa的SiO
x
模量，如基于ISO 14577确定的。5.如权利要求2所述的方法，其中所述含硅和碳膜包括以下项中的一者或多者：约2.0g/cc至约4.5g/cc的SiC密度，如通过X射线反射计确定的；约15Gpa至约30Gpa的SiC硬度，如基于ISO 14577确定的；以及约400Gpa至约515Gpa的SiC模量，如基于ISO 14577确定的。6.如权利要求1所述的方法，其中所述硅烷气体包括SiH4、Si2H6、SiF4、SiH2Cl2、Si4H
10
、Si5H
12
、原硅酸四乙酯(TEOS)、(3
‑
氨基丙基)三乙氧基硅烷、三乙氧基甲基硅烷、氯五甲基二硅烷或它们的组合。7.如权利要求5所述的方法，其中所述含氧气体包括氧气(O2)、臭氧(O3)、水蒸气(H2O)、一氧化二氮或它们的组合。8.如权利要求1所述的方法，其中用RF功率激发所述硅烷气体包括施加约10MHz至约16MHz的RF频率。9.如权利要求7所述的方法，其中所述含碳气体包括丙烯、乙炔、丙烷或它们的组合。10.如权利要求5所述的方法，其中所述含碳气体包括载气，所述载气包括氮气、氢气、氦气、氩气或它们的组合。11.如权利要求1所述的方法，其中基座的温度为约400℃至约650℃，并且所述处理容积的压力为约0.05托至约12托。12.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体进一步包括含有氮气、氩气、氦气或它们的组合的稀释气体。13.如权利要求1所述的方法，进一步包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：