本申请涉及电镀方法和电镀系统。描述了电镀方法和系统，所述电镀方法和系统包括向阴极电解液添加含金属离子的起始溶液，以使阴极电解液中的金属离子浓度增加到第一金属离子浓度。所述方法和系统进一步包括当金属离子电镀到衬底上时测量阴极电解液中的金属...

本公开内容的多个实施方式一般涉及光学装置。更具体而言，本文所述的多个实施方式涉及光学装置和制造光学装置的方法，光学装置具有有跨基板的表面的改变的深度或折射率中的至少一者的光学装置结构。根据某些实施方式，喷墨处理用于沉积体积可变光学装置，...

本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁...

本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，被配置用于与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络包括：输入端，所述输入端被配置为接收一个或多个射频(RF)信号；输出端，所述输出端被配置为将所述一个或多个RF信号递送至处理腔室；第一可变电容器，所...

本文描述了一种处理腔室，该处理腔室包括腔室主体，此腔室主体具有设置在底板上方的顶板，其中底盘和注入器环设置在该顶板与该底板之间。上下夹环分别将上部和底板固定到位。上加热模块耦接至顶板上的上夹环。下加热模块耦接至底板下方的下夹环。接至底板...

一种方法减少了由静电卡盘的两个电极施加至设置在卡盘顶部的基板的卡紧力的差异。所述方法包括将初始卡紧电压提供至两个电极中的每一者，以及测量提供至两个电极中的至少第一电极的初始电流。所述方法进一步包括启动影响基板的DC电压的工艺，随后测量提...

系统包括具有在基板支撑件内的加热元件的多区加热器，加热元件对应于基板支撑件的多个区。处理装置耦接至加热元件，并且访问具有与区相对应的多个向量的温度矩阵；通过将温度矩阵与权重向量相乘来确定基板支撑件的温度图，所述权重向量含有每个相应向量的...

示例性处理系统可包括腔室主体。系统可包括底座，所述底座被配置成支撑半导体基板。系统可包括面板。腔室主体、底座和面板可限定处理区域。可将面板与RF电源耦接。系统可包括远程等离子体单元。远程等离子体单元可耦接在电气接地处。系统可包括放电管，...

示例性沉积方法可包括在第一电压下将半导体基板静电卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括执行沉积工艺。沉积工艺可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可包括暂停等离子体在半导体处理腔室内的形成。所述方法可包括与所...

本文的实例涉及三维(3D)动态随机存取存储器(DRAM)和相对应的方法。在一实例中，在基板上形成膜堆叠。该膜堆叠包括多个单元堆叠，且每一单元堆叠依序具有第一介电层、半导体层、以及第二介电层。第一开口形成为穿过该膜堆叠。该第二介电层从该第...

示例性基板处理系统可包括限定处理区域的腔室主体。系统可以包括定位在腔室主体顶部的衬垫。衬垫可以包括第一断开构件。系统可包括定位在衬垫顶部的面板。系统可以包括设置在腔室主体内的支撑件。支撑件可包括包含加热器的板。板可以包括第二断开构件。支...

公开内容的实施例总体涉及用于填充基板上的缝隙和沟槽的方法和设备以及用于批次退火基板的工具。在一个实施例中，公开的批次处理腔室包括下壳、穿过下壳形成的基板移送端口、设置于下壳上的上壳、设置于上壳内的内壳、操作用来加热内壳的加热器、可移动地...

本文所公开的实施方式包括一种处理基板的方法。在一个实施方式中，该方法包括检测处理腔室中的基板的一个或多个基板参数，和基于该一个或多个基板参数用开环调谐(OLT)加热工艺将基板加热至第一温度。在一个实施方式中，该方法可进一步包括将基板放置...

本文描述的实施方式大体涉及一种气体组件，该气体组件设置在主机门与工艺腔室之间。该气体组件提供进入处理容积的多区域气体交叉流分配。这些区域中的每个区域都是被独立地控制的。这些区域各自包括单个喷嘴，这些区域各自包括与多个喷嘴流体耦接的气室，...

本公开内容的实施方式总体涉及电致发光(EL)装置。更具体地，本文描述的实施方式涉及用于形成EL装置的阵列并且选择性图案化EL装置中的填料材料的方法。由于图案化的填料，由本文描述的方法形成的EL装置将具有改进的输出耦合效率。本文描述的方法...

描述了在基板上沉积含硅膜的方法。所述方法包括将处理腔室加热至大于或等于200℃的温度；将处理腔室维持在小于或等于300托的压力；将硅前驱物与氧化亚氮(N2O)共同流入处理腔室；以及在基板上沉积共形含硅膜。含硅膜具有在从约3.8至约4.0...

兹描述水平全环绕栅极装置及制造所述装置的方法。所述hGAA装置包含氧化物层及半导体材料层，所述半导体材料层位于装置的源极区域与漏极区域之间。所述方法包括以下步骤：在纳米片通道层上生长保形的外延层，随后进行自由基等离子体氧化(RPO)以将...

一种等离子体腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有在腔室主体内的处理区域；衬垫，所述衬垫设置在腔室主体上，所述衬垫围绕处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件设置在衬垫内；磁体组件，所述磁体组件包括设置在衬垫周围的多个磁体；以及磁性材料屏蔽件...

描述了一种用于沿轨道组件非接触式运输载体(10)的载体运输系统(100)。所述载体运输系统包括：被动磁体布置(120)，所述被动磁体布置用于产生抵消所述载体的重力的载体悬浮力(F

各个实施方式包括处理硬掩模的方法，所述方法包括形成掺混碳硬掩模，所述掺混碳硬掩模覆于下层上方。在一实施方式中，所述掺混碳硬掩模以金属碳填充物掺混。所述实施方式进一步包括图案化所述掺混碳硬掩模并且将所述掺混碳硬掩模的图案转移到所述下层中。...