用于OLED光提取的通过平版印刷术的选择性填料图案化制造技术

本公开内容的实施方式总体涉及电致发光(EL)装置。更具体地，本文描述的实施方式涉及用于形成EL装置的阵列并且选择性图案化EL装置中的填料材料的方法。由于图案化的填料，由本文描述的方法形成的EL装置将具有改进的输出耦合效率。本文描述的方法图案化填料并且通过不依赖于利用精细金属掩模的喷墨印刷或热蒸发而提供大面积、低成本、及高分辨率的EL装置形成。置形成。置形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于OLED光提取的通过平版印刷术的选择性填料图案化
[0001]背景


[0002]本公开内容的实施方式总体涉及电致发光(electroluminescent；EL)装置。更具体地，本文描述的实施方式涉及用于形成EL装置的阵列并且选择性图案化EL装置中的填料材料的方法。

技术介绍

[0003]有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode；OLED)技术已成为提供许多优点(例如，高效率、宽视角、快速响应、及潜在低成本)的重要的下一代显示技术。此外，由于改进的效率，针对一些照明应用而言，OLED也变得实用。尽管如此，典型的OLED仍表现出在内量子效率(internal quantum efficiency；IQE)与外量子效率(external quantum efficiency；EQE)之间的显著效率损失。
[0004]经由电极材料、载流子传输层(例如，空穴传输层(hole
‑
transport layer；HTL)及电子传输层(electron
‑
transport layer；ETL))、发射层(emission layer；EML)、及层堆叠结构(stack)的某些组合，IQE水平可以达到几乎100％。然而，典型OLED结构的EQE水平仍受到光学输出耦合(outcoupling)低效的限制。输出耦合效率可能遭受由于大量的发射光由OLED显示器像素内部的全内反射(total internal reflection；TIR)捕获的光能损失。
[0005]典型的顶部发射的(top
‑
emitting)OLED结构包括基板、在基板上方的反射电极、在反射电极上方的有机层、及在有机层上方的透明或半透明顶部电极。由于有机层及顶部电极相对于空气的较高折射率，大量发射光在装置
‑
空气界面处由TIR限制，从而防止到空气的输出耦合。具有高折射率(即，约大于1.8)的填料材料可以经选择性图案化以填充OLED显示器像素。然而，典型的填料图案化工艺(诸如穿过精细金属掩模(fine metal mask；FMM)的大面积喷墨印刷或热蒸发)对于高分辨率应用而言是不理想的。
[0006]相应地，在本领域中需要用于形成EL装置的阵列并且选择性图案化EL装置中的填料材料的改进方法。

技术实现思路

[0007]在一个实施方式中，提供一种方法。方法包括在电致发光(EL)装置的顶部电极层上方设置保护层。方法进一步包括在保护层上设置填料。方法进一步包括在填料上设置光刻胶。光刻胶在EL装置的平面区域、侧壁区域、及PDL区域上方设置。平面区域及侧壁区域对应于EL装置的区，该区要具有在该区上方设置的填料。方法进一步包括图案化光刻胶。光刻胶的图案化包括移除对应于EL装置的PDL区域的光刻胶的部分。方法进一步包括蚀刻对应于EL装置的PDL区域的填料的暴露部分。填料余留在EL装置的平面区域及侧壁区域上方。方法进一步包括移除光刻胶。
[0008]在另一实施方式中，提供一种方法。方法包括在电致发光(EL)装置的顶部电极层
上方设置保护层。方法进一步包括在保护层上设置光刻胶。光刻胶在EL装置的平面区域、侧壁区域、及PDL区域上方设置。平面区域及侧壁区域对应于EL装置的区，该区要具有在该区上方设置的填料。方法进一步包括图案化光刻胶。光刻胶的图案化包括移除对应于EL装置的平面区域及侧壁区域的光刻胶的部分。方法进一步包括在光刻胶上设置填料并且暴露填料及剩余光刻胶。方法进一步包括移除光刻胶。
[0009]在又一实施方式中，提供一种方法。方法包括在电致发光(EL)装置的顶部电极层上方设置保护层。方法进一步包括在保护层上设置光刻胶。光刻胶在EL装置的平面区域、侧壁区域、及PDL区域上方设置。平面区域及侧壁区域对应于EL装置的区，该区要具有在该区上方设置的填料。方法进一步包括图案化光刻胶。光刻胶的图案化包括移除对应于EL装置的平面区域及侧壁区域的光刻胶的部分。方法进一步包括在对应于EL装置的平面区域及侧壁区域的保护层的暴露部分上并且在光刻胶上设置填料。方法进一步包括移除对应于EL装置的PDL区域的光刻胶及填料。
附图说明
[0010]为了能够详细理解本公开内容的上述特征所用方式，可参考实施方式进行对上文简要概述的本公开内容的更特定描述，一些实施方式在附图中图示。然而，要注意，附图仅图示示例性实施方式，并且由此不被认为限制实施方式的范围，且可允许其他同等有效的实施方式。
[0011]图1A是根据本文描述的实施方式的电致发光(EL)装置的阵列的示意性俯视图。
[0012]图1B是根据本文描述的实施方式的图1A的EL装置的阵列的示意性侧视图。
[0013]图1C及图1D是根据本文描述的实施方式的沿着图1A的剖面线1
‑
1截取的单独EL装置的示意性侧面剖视图。
[0014]图2A至图2C是根据本文描述的实施方式的处理系统的示意图。
[0015]图3是根据本文描述的实施方式的用于形成EL装置的方法的流程图。
[0016]图4A至图4H是根据本文描述的实施方式的在形成EL装置的方法期间的基板的横截面图。
[0017]图5是根据本文描述的实施方式的用于形成EL装置的方法的流程图。
[0018]图6A至图6H是根据本文描述的实施方式的在形成EL装置的方法期间的基板的横截面图。
[0019]图7是根据本文描述的实施方式的用于形成EL装置的方法的流程图。
[0020]图8A至图8G是根据本文描述的实施方式的在形成EL装置的方法期间的基板的横截面图。
[0021]为了便于理解，已经尽可能使用相同参考数字来标识图中共有的相同元件。预期，一个实施方式的元件及特征可有利地并入其他实施方式中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
[0022]本公开内容的实施方式总体涉及电致发光(EL)装置。更具体地，本文描述的实施方式涉及用于形成EL装置的阵列并且选择性图案化EL装置中的填料材料的方法。由于图案化的填料，由本文描述的方法形成的EL装置将具有改进的输出耦合效率。在一个实施方式
中，提供一种方法。方法包括在电致发光(EL)装置的顶部电极层上方设置保护层。方法进一步包括在保护层上设置填料。方法进一步包括在填料上设置光刻胶。光刻胶在EL装置的平面区域、侧壁区域、及PDL区域上方设置。平面区域及侧壁区域对应于EL装置的区，该区要具有在该区上方设置的填料。方法进一步包括图案化光刻胶。光刻胶的图案化包括移除对应于EL装置的PDL区域的光刻胶的部分。方法进一步包括蚀刻对应于EL装置的PDL区域的填料的暴露部分。填料余留在EL装置的平面区域及侧壁区域上方。方法进一步包括移除光刻胶。
[0023]图1A是根据本文描述的实施方式的电致发光(EL)装置100的阵列10的示意性俯视图。EL装置100及阵列10可通过本文描述的方法300、5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包含以下步骤：在电致发光(EL)装置的顶部电极层上方设置保护层；在所述保护层上设置填料；在所述填料上设置光刻胶，所述光刻胶在所述EL装置的平面区域、侧壁区域、及像素定义层(PDL)区域上方设置，所述平面区域及所述侧壁区域对应于所述EL装置的区，所述区要具有在所述区上方设置的所述填料；图案化所述光刻胶，所述光刻胶的所述图案化包括移除对应于所述EL装置的所述PDL区域的所述光刻胶的部分；蚀刻对应于所述EL装置的所述PDL区域的所述填料的暴露部分，所述填料余留在所述EL装置的所述平面区域及所述侧壁区域上方；和移除所述光刻胶。2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：固化所述填料及干燥所述填料。3.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述填料上并且在所述保护层上设置至少一个封装层。4.如权利要求1所述的方法，其中所述填料包括有机材料、无机材料、聚合物、树脂、或上述项的组合中的一者或多者。5.如权利要求1所述的方法，其中所述EL装置进一步包含：空穴注入层(HIL)；空穴传输层(HTL)；发射层(EML)；电子传输层(ETL)；和电子注入层(EIL)。6.如权利要求1所述的方法，其中所述保护层在化学气相沉积腔室中设置。7.如权利要求1所述的方法，其中所述光刻胶是正性光刻胶或负性光刻胶中的一者。8.如权利要求1所述的方法，其中所述在所述保护层上设置所述填料的步骤是通过喷墨印刷工艺进行的。9.如权利要求1所述的方法，其中底部反射电极层的至少一个部分在PDL上设置并且所述底部反射电极层的至少一个部分在互连层或基板中的一者上设置。10.一种方法，包含以下步骤：在电致发光(EL)装置的顶部电极层上方设置保护层；在所述保护层上设置光刻胶，所述光刻胶在所述EL装置的平面区域、侧壁区域、及PDL区域上方设置，所述平面区域及所述侧壁区域对应于所述EL装置的区，所述区要具有在所述区上方设置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重嘉，郭炳成，罗伯特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：