用于处理基板的方法和装置制造方法及图纸

本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，被配置用于与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络包括：输入端，所述输入端被配置为接收一个或多个射频(RF)信号；输出端，所述输出端被配置为将所述一个或多个RF信号递送至处理腔室；第一可变电容器，所述第一可变电容器被设置在所述输入端与所述输出端之间；第二可变电容器，所述第二可变电容器与所述第一可变电容器并联设置；第三可变电容器，所述第三可变电容器与所述第一可变电容器和所述第二可变电容器中的每一者并联连接，并且与晶体管开关串联连接；以及控制器，所述控制器被配置为在用于高功率操作的第一频率与用于低功率操作的第二频率之间调谐所述匹配网络。作的第二频率之间调谐所述匹配网络。作的第二频率之间调谐所述匹配网络。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理基板的方法和装置


[0001]本公开的实施例总体上涉及用于处理基板的方法和装置，并且更具体地，涉及使用射频(RF)等离子体处理基板的方法和装置。

技术介绍

[0002]使用RF电源中的一个或多个RF电源在真空处理腔室中处理基板的方法和装置是已知的(例如，被配置用于单级脉冲或双级脉冲)。例如，在单级脉冲(例如，在开状态与关状态之间的脉冲)中，仅存在要调谐到的一个状态(例如，开状态)。然而，在双级脉冲中，RF电源在高状态与低状态(例如，非关状态)之间切换。
[0003]匹配网络通常在RF电源与真空处理腔室之间连接，并被配置为确保RF电源的输出高效地耦合至等离子体以最大化耦合至等离子体的能量的量(例如，被称为调谐RF功率传输)。例如，在双级脉冲中，存在两个或更多个需要阻抗匹配的阻抗状态。当前匹配网络被配置为使用模拟电容器(例如，串联或并联)来实时地时间平均调谐至一个状态，并在另一状态中进行频率调谐。然而，频率调谐由于单轴调谐而在阻抗匹配方面受到限制，这进而可导致有限的处理能力和增加的反射功率。

技术实现思路

[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种被配置用于与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络，所述匹配网络包括：输入端，所述输入端被配置为接收一个或多个射频(RF)信号；输出端，所述输出端被配置为将所述一个或多个RF信号递送至处理腔室；第一可变电容器，所述第一可变电容器被设置在所述输入端与所述输出端之间；第二可变电容器，所述第二可变电容器与所述第一可变电容器并联设置；第三可变电容器，所述第三可变电容器与所述第一可变电容器和所述第二可变电容器中的每一者并联连接，并且与晶体管开关串联连接；以和控制器，所述控制器被配置为在用于高功率操作的第一频率与用于低功率操作的第二频率之间调谐所述匹配网络。2.如权利要求1所述的匹配网络，其中，所述控制器进一步被配置为接收TTL信号以激活所述晶体管开关。3.如权利要求1所述的匹配网络，其中，所述控制器被配置为在低功率操作的脉冲周期内调谐所述匹配网络。4.如权利要求1所述的匹配网络，其中，所述匹配网络被配置为使得在所述高功率操作中，所述第一可变电容器和所述第二可变电容器处于接通配置中。5.如权利要求1至4中任一项所述的匹配网络，其中，所述匹配网络被配置为使得在所述低功率操作中，所述晶体管开关和所述第三可变电容器处于关断配置中。6.如权利要求1所述的匹配网络，其中，所述匹配网络被配置为使得在所述低功率操作中，所述晶体管开关和所述第三可变电容器处于关断配置中。7.如权利要求1所述的匹配网络，其中，所述第一可变电容器、所述第二可变电容器和所述第三可变电容器的电容为约50F至约500pF。8.如权利要求1所述的匹配网络，其中，所述第一可变电容器和所述第二可变电容器彼此相同，并且不同于所述第三可变电容器。9.如权利要求1所述的匹配网络，进一步包括输入级和输出级，所述输入级被配置为连接至所述等离子体处理腔室的RF电源，并且所述输出级被配置为连接至所述等离子体处理腔室的基板支撑基座组件。10.如权利要求1至4或6至9中任一项所述的匹配网络，其中，所述晶体管开关是氮化镓晶体管开关。11.一种被配置用于与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络，所述匹配网络包括：输入端，所述输入端被配置为接收一个或多个射频(RF)信号；输出端，所述输出端被配置为将所述一个或多个RF信号递送至处理腔室；第一可变电容器，所述第一可变电容器并联设置在所述输入端与所述输出端之间；第二可变电容器，所述第二可变电容器与所述第一可变电容器并联设置；以及第三可变电容器，所述第三可变电容器与所述第一可变电容器和所述第二可变电容器中的每一者并联连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：