示例性基板支撑组件包括限定基板平台的静电夹盘主体。基板平台由上表面表征。平台可限定净化孔。平台可包括设置在上表面的内部区域中的多个台面。每个台面可从上表面向上突出。平台可包括密封带，密封带从上表面以圆周图案向上延伸，并部分环绕上表面的内...

提供用于形成锂阳极装置的方法及系统。在一个实施方式中，这些方法及系统形成经预锂化的Ⅳ族合金型纳米颗粒(NP)，例如，Li

一种基板处理系统包含被配置为在基板上执行蚀刻处理的蚀刻腔室，所述蚀刻腔室包含光学传感器以在蚀刻处理期间及/或之后产生基板上的膜的一或多个光学测量。系统进一步包含操作地连接到蚀刻腔室的计算装置，其中计算装置用于：接收膜的一或多个光学测量；...

公开了用于前级管道诊断及控制的系统、设备及方法。在一些实施方式中，耦接至腔室排放装置的前级管道装备有一或多个传感器，所述一或多个传感器放置在腔室排放装置与消除系统之间。所述一或多个传感器经定位以测量前级管道中的压力作为传导度的指标。传感...

一种系统可包括：第一半导体处理站，所述第一半导体处理站被配置为在第一半导体晶片上沉积材料；第二半导体处理站，所述第二半导体处理站被配置为在所述材料已经沉积在所述第一半导体晶片上之后执行指示所述材料的厚度的测量；以及控制器。所述控制器可被...

描述一种用于支撑真空卷材处理设备的轴承板的磁性稳定器和一种卷材处理设备。所述磁性稳定器包括：磁体，所述磁体被配置用于与所述轴承板接合；支撑件，所述支撑件能机械地耦接到所述卷材处理设备的壁；和磁体保持器，所述磁体保持器耦接到所述磁体。所述...

示例性沉积方法可包括经由半导体处理腔室的面板将前驱物引入半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括使含氧前驱物从半导体处理腔室的基座下方流入处理区域。基座可支撑基板。基板可在基板的表面中限定沟槽。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域...

本公开涉及用于先进晶片级半导体封装的具有互连介电屏蔽的通孔结构。本文所述的方法使得能够在低深宽比的通孔结构内形成高厚度介电屏蔽层，从而促进具有高1I/O密度和改善的带宽和功率的薄且小形状因子的封装结构。带宽和功率的薄且小形状因子的封装结...

提供了一种用于连续锂离子电池(LIB)阳极预锂化及固态金属阳极保护的计量系统及处理方法。在一些实施例中，计量系统集成至少一个互补的非接触式传感器以测量表面组成物、涂层厚度及纳米级粗糙度中的至少一者。计量系统及处理方法可以用来解决阳极边缘...

本文公开了一种用于在检查站中装载基板的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种装载模块，所述装载模块包括：装载站，所述装载站用于两个或更多个基板盒；第一道，所述第一道包括第一输送机，所述第一输送机与所述两个或更多个基板盒中的一者和输送机...

本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备，并且更具体地涉及用于快速热处理的反射板。在一实施方式中，提供了一种用于处理基板的反射板组件。所述反射板组件包括：反射板主体；设置在所述反射板主体内的多个子反射板；和多个高温计。多个高温计的...

本文提供了用于涂覆柔性基板的方法、系统和设备。一种涂覆系统，包括容纳能够提供连续柔性材料片的进料滚动条的退绕模块、容纳能够储存连续柔性材料片的收料滚动条的卷绕模块，和布置在退绕模块下游的处理模块。处理模块包括按顺序布置的多个子腔室，每个...

示例性处理方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内设置的基板上沉积含硼材料或含硅和硼的材料。方法可包括用含氯前驱物蚀刻含硼材料或含硅和硼的材料的部分以在基板中形成一个或多个特征。方法亦可包括用含氟前驱物从基板移除含硼材料或含硅和硼的材料的...

本文公开的实施方式包括在基板上形成金属氧基光刻胶的方法。在一个实施方式中，此方法包括重复沉积循环，其中沉积循环的每次重复包括：a)将金属前驱物流入包括基板的腔室；和b)将氧化剂流入腔室，其中氧化剂与金属前驱物反应以形成金属氧基光刻胶。反...

本文中所述实施方式提供测量系统的光引擎和使用这些光引擎的方法。该测量系统包括能操作以照射光学装置的第一光栅的光引擎。该光引擎通过来自光引擎的光投射图案。该光引擎向该第一光栅投射图案使得可从一个或多个影像提取计量度量，该一个或多个影像由该...

本公开内容的实施方式一般涉及压印组成物和材料和用于纳米压印平版印刷术(NIL)的相关处理。在一个或多个实施方式中，提供了一种压印组成物，并且该压印组成物包含多个钝化纳米颗粒、一种或多种溶剂、表面配位体、添加剂和丙烯酸酯。每一个钝化纳米颗...

本公开内容的实施例总体涉及硬模和通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成硬模的工艺。在实施例中，提供用于在基板上形成硬模层的工艺。工艺包括将基板引入PECVD腔室的处理空间，基板在基板支撑件上，基板支撑件包括静电夹盘；以及流动处理...

示例性清洁或蚀刻方法可包括：使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括：在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括：使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域...

一些实施方式包括在处理腔室中沉积光刻胶至基板上的方法。在一个实施方式中，该方法包含使氧化剂经由喷头中的第一路径流入处理腔室，并且使有机金属经由喷头中的第二路径流入处理腔室。在一个实施方式中，第一路径与第二路径隔离，以便氧化剂与有机金属不...

公开了形成包括氧化锗的涂覆膜的方法。在一些实施例中，所述膜对于基板的表面上的特征是超保形的。通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物和氧化剂来沉积所述膜。锗烷前驱物可间歇地流动。基板也可暴露于第二氧化剂以增加超保形膜内氧的相对浓度。形膜内氧的...