【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于控制上游处理的蚀刻反馈
[0001]本揭示案的实施方式涉及基于在蚀刻处理期间产生的传感器测量对上游处理进行的反馈控制。
技术介绍
[0002]为了开发制造处理顺序以在基板上形成部件，工程师将执行一或多个实验设计(designs of experiments；DoE)以确定用于制造处理顺序中的每个处理的处理参数值。对于DoE，通常通过针对每个制造处理使用不同处理参数值处理基板来测试多个不同的处理参数值。此举包括执行基板的破坏性测量，这些破坏性测量破坏基板。一旦确定了处理参数值，就将根据制造处理顺序处理基板，其中基于DoE的结果确定的预定处理参数值被用于制造处理顺序中的每个处理。随后，工程师期望经处理的基板具有与在DoE期间处理的基板的性质类似的性质。然而，在DoE期间确定的膜性质与产品基板上的膜的膜性质之间经常有变化。另外，每个处理腔室可与其他处理腔室略微不同，并且会产生具有不同膜性质的膜。此外，处理腔室可随时间改变，从而导致通过这些处理腔室产生的膜亦随着时间改变，即时使用相同的处理方案亦如此。
[0003]有时，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理系统，包含：蚀刻腔室，被配置为在基板上执行蚀刻处理，其中所述蚀刻腔室包含光学传感器以在所述蚀刻处理期间或所述蚀刻处理之后中的至少一者产生所述基板上的膜的一或多个光学测量；以及计算装置，操作地连接到所述蚀刻腔室，其中所述计算装置用于：接收所述膜的所述一或多个光学测量；针对所述一或多个光学测量的每个光学测量来确定所述膜的膜厚度；使用所述一或多个光学测量的每个光学测量的确定的膜厚度基于所述一或多个光学测量来确定所述膜的蚀刻速率；以及基于所述蚀刻速率来确定在所述基板上执行的先前执行的处理的至少一个处理参数的处理参数值。2.如权利要求1所述的基板处理系统，其中为了基于所述蚀刻速率来确定在所述基板上执行的所述先前执行的处理的所述至少一个处理参数的所述处理参数值，所述计算装置进一步用于：基于所述蚀刻速率来确定所述膜的膜品质值；以及基于所述膜品质值来确定所述至少一个处理参数的所述处理参数值。3.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述膜品质值是与所述膜的晶粒大小、晶粒取向、或平均表面粗糙度的至少一者相关联的值。4.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述计算装置进一步用于：确定在所确定的处理参数值与所述至少一个处理参数的目标处理参数值之间的差；确定对所述基板执行所述先前执行的处理的处理腔室；以及基于所述差来确定对用于未来基板的所述至少一个处理参数的调节，所述未来基板待由所述处理腔室处理。5.如权利要求1所述的基板处理系统，其中为了使所述计算装置确定所述至少一个处理参数的所述处理参数值，所述蚀刻速率将被输入经训练的机器学习模型中，已经基于输入的蚀刻速率训练所述机器学习模型来输出处理参数值，其中所述经训练的机器学习模型输出所述至少一个处理参数的所述处理参数值。6.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述光学传感器包含被配置为使用反射测量法来测量所述膜厚度的分光计。7.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述膜的所述一或多个光学测量包含所述膜的多个光学测量，并且其中所述计算装置进一步用于：基于时间戳记及与所述多个光学测量的两个或更多个光学测量相关联的膜厚度值来周期性地确定所述膜的区域的瞬时蚀刻速率。8.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述先前执行的处理包含沉积处理，并且其中所述先前执行的处理的所述至少一个处理参数包含温度。9.如权利要求8所述的基板处理系统，其中所述先前执行的处理的所述至少一个处理参数进一步包含压力或等离子体功率的至少一者。10.一种方法，包含：执行蚀刻处理以蚀刻基板上的膜，其中所述膜先前使用沉积处理形成在所述基板上；
在所述蚀刻处理期间或所述蚀刻处理之后中的至少一者产生所述基板上的所述膜的一或多个光学测量；针对所述一或多个光学测量的每个光学测量确定所述膜的膜厚度；使用所述一或多个光学测量的每个光学测量的确定的膜厚度基于所述一或多个光学测量来确定所述膜的蚀刻速率；以及基于所述蚀刻速率来确定在所述基板上执行的所述沉积处理的至少一个处理参数的处理参数值。11.如权利要求10所述的方法，其中基于所述蚀刻速率来确定在所述基板上执行的所述先前执行的处理的所述至少一个处理参数的所述处理参数值的步骤包含：基于所述蚀刻速率来确定所述膜的膜品质值；以及基于所述膜品质值来确定所述至少一...
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