用于基板处理的反射板制造技术

本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备，并且更具体地涉及用于快速热处理的反射板。在一实施方式中，提供了一种用于处理基板的反射板组件。所述反射板组件包括：反射板主体；设置在所述反射板主体内的多个子反射板；和多个高温计。多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。于此还描述了包括反射板组件的腔室。括反射板组件的腔室。括反射板组件的腔室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板处理的反射板


[0001]本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备，并且更具体地涉及用于快速热处理的反射板。

技术介绍

[0002]快速热处理(RTP)是一种用于在半导体制造期间对基板进行退火的处理。在此处理期间，热辐射用于在受控环境中将基板快速加热至高于室温超过九百度的最高温度。用于基板的RTP处理的反射板利用高温计进行晶片温度测量。制造最先进的(State
‑
of
‑
the
‑
art)反射板以优化高温计波段的100％反射率，即使只有10％或更少的反射板面积用于高温计。这种不匹配导致不必要的高成本。此外，为了诸如节能和改善晶片的加热性能的目的，反射板应该例如在整个波长表面处反射晶片辐射的整个带宽。然而，将节能和改进的加热性能结合在一个均匀的反射板中是昂贵的，因为这样的反射板需要例如复杂的多层涂层。
[0003]存在有用于基板处理的新的和改进的反射板的需求。

技术实现思路

[0004]本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备，并且更具体地涉及用于快速热处理的反射板。
[0005]在一实施方式中，提供了一种用于处理基板的反射板组件。所述反射板组件包括：反射板主体；设置在所述反射板主体内的多个子反射板；和多个高温计。所述多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。
[0006]在另一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的反射板组件。所述反射板组件包括：反射板主体；设置在所述反射板主体内的多个子反射板；和多个高温计。所述多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。第一盖设置在所述反射板主体的一部分上方，并且第二盖设置在至少一个子反射板的一部分上方，所述第二盖处于比所述第一盖高的高度。
[0007]在另一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的腔室。所述腔室包括腔室主体和设置在所述腔室主体上的腔室盖。所述腔室盖包括盖主体和反射板组件。所述反射板组件包括：反射板主体；设置在所述反射板主体内的多个子反射板；和多个高温计，其中所述多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。
附图说明
[0008]为了能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参照实施方式获得上面简要概括的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施方式显示在附图中。然而，应当注意，附图仅显示示例性实施方式并且因此不应认为是对其范围的限制，并且可允许其他等效的实施方式。
[0009]图1是根据本公开内容的至少一个实施方式的示例RTP腔室的截面图。
[0010]图2是根据本公开内容的至少一个实施方式的示例RTP腔室的截面图。
[0011]图3A是根据本公开内容的至少一个实施方式的示例反射板组件的俯视图。
[0012]图3B是根据本公开内容的至少一个实施方式的图3A中所示的示例反射板组件的截面图。
[0013]图3C显示了根据本公开内容的至少一个实施方式的具有抗反射环的示例子反射板302a。
[0014]为了便于理解，在可能的情况下使用了相同的元件符号来表示各图共有的相同元件。预期一个实施方式的元件和特征可有益地合并到其他实施方式中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
[0015]本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备，并且更具体地涉及用于快速热处理的反射板。简而言之，多个子反射板定位在基底反射板内。每个子反射板包括位于其中的高温计，以在晶片上的多个位置处测量晶片的温度，所述多个位置与晶片定位在其上的基板支撑件的区域相对应。另外地或替代地，每个子反射板包括位于其中的高温计，以在晶片上的多个位置处测量晶片的温度，所述多个位置对应于灯(其分布辐射能)被划分的区域。
[0016]于此披露的反射板利用嵌入基底反射板内的子反射板。子反射板仅覆盖整个基底反射板的一小部分，每个子反射板具有针对嵌入其中的高温计的高温计波长优化的反射率。将不同的子反射板集成到基底反射板主体中能够在每个子反射板处实现例如独立功能(如，温度控制、波长控制)和独立优化。通过利用子反射板，可在不影响晶片辐射的反射的情况下启用辐射增强功能，晶片辐射的反射由基底反射板提供。也就是说，可在不考虑高温计波长的情况下调整基底反射板的反射。将不同的子反射板集成到基底反射板主体中还能够实现例如成本优化的制造。此外，与为单一目的而制造的常规反射板相比，子反射板可替换为不同的子反射板，从而实现多目的使用。
[0017]图1是根据本公开内容的至少一个实施方式的RTP腔室100的截面图。RTP腔室100适于热处理位于其中的基板101。RTP腔室100包括腔室主体102和设置在其上的腔室盖104。腔室主体102包括形成在其中的流体通道106，以在处理期间使温度控制流体流过其中，以冷却腔室主体102。腔室主体102的冷却降低了腔室主体102在基板101的加热期间由于热应力而劣化的可能性。由绝热材料(诸如氮化铝)形成的衬垫107设置在腔室主体102的内表面周围，以利于腔室主体内的热量控制并提高热处理效率。
[0018]基板支撑件108位于腔室主体102内。基板支撑件108可由例如烧结氮化铝形成。基板支撑件108包括多个加热元件110(诸如嵌入其中的电阻加热元件)，以便于在处理期间加热基板101。加热元件110通过穿过支撑轴112设置的导线耦合到功率源117。加热元件110经由传导提供基板101的加热，并且可将基板101加热至约20℃至约1000℃的温度，诸如从约25℃至约500℃。另外地或替代地，可安装其他类型的加热(诸如来自灯泡的辐射)，以向基板提供热量。
[0019]支撑轴112耦合到基板支撑件108的下侧并且支撑基板支撑件108。支撑轴112耦合到升降器组件114，升降器组件114包括致动器116(诸如步进电机)，以便于将基板101定位
在邻近腔室盖104的处理位置。升降器组件114还有助于通过开口118(如，狭缝阀)从腔室主体102移除基板101。升降器组件114适于在垂直方向上致动基板支撑件108，以允许升降销120接触位于腔室主体102内的升降板122。升降销120与升降板122的接触随着基板支撑件108降低将基板101从基板支撑件108的表面升起。基板101被维持在升降销120上的允许由机械手(未示出)通过开口118将基板101从腔室主体102移除的位置处。
[0020]腔室盖104位于腔室主体102上。腔室盖104包括盖主体123和反射板124。反射板124具有圆形形状并设置在位于盖主体123内的圆形开口126内。反射板124具有环形唇部132，其直径大于圆形开口126，以将反射板124支撑在盖主体123的顶表面上。环形唇部具有穿过其中的多个开口以容纳紧固件134(诸如螺栓)，以将反射板124固定到盖主体123。反射板124定位在圆形开口126内并延伸穿过圆形开口126。反射板124的表面136被定位成邻近基板101。高温计128穿过反射板124设置以测量基板101的温度。通常，一个高温计本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理基板的反射板组件，包括：反射板主体；多个子反射板，所述多个子反射板设置在所述反射板主体内；和多个高温计，其中所述多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。2.如权利要求1所述的反射板组件，其中第一盖设置在所述反射板主体的一部分上方，且第二盖设置在至少一个子反射板的一部分上方，所述第二盖处于比所述第一盖高的高度。3.如权利要求1所述的反射板组件，其中第一子反射板在第二子反射器的外部。4.如权利要求1所述的反射板组件，其中第一子反射板与第二子反射器共享公共切线。5.如权利要求1所述的反射板组件，其中：第一子反射板与第二子反射器共享公共切线；和所述第一子反射板在所述第二子反射器的外部。6.如权利要求1所述的反射板组件，其中每个子反射板对于嵌入其中的所述高温计的目标波长范围内的辐射具有高反射率，而对于嵌入其中的所述高温计的所述目标波长范围之外的辐射具有低反射率。7.如权利要求6所述的反射板组件，其中：所述高反射率是约0.95或更高的反射率；所述低反射率是约0.5或更低的反射率；或它们的组合。8.如权利要求6所述的反射板组件，其中所述目标波长范围是从约700nm到约1000nm。9.如权利要求1所述的反射板组件，其中单独子反射板的面积相对于所述反射板主体的面积为约2％或更小。10.如权利要求1所述的反射板组件，其中所述多个子反射板的集合面积相对于所述反射板主体的面积为约15％或更小。11.如权利要求1所述的反射板组件，其中全抗反射环或部分抗反射环设置在一个或多个子反射板的至少一部分上方。12.一种用于处理基板的反射板组件，包括：反射板主体；多个子反射板，所述多个子反射板设置在所述反射板主体内；和多个高温计，其中所述多个高温计的一高温计耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：沃尔夫冈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：