用于斜面沉积减少的背侧气体泄漏制造技术

示例性基板支撑组件包括限定基板平台的静电夹盘主体。基板平台由上表面表征。平台可限定净化孔。平台可包括设置在上表面的内部区域中的多个台面。每个台面可从上表面向上突出。平台可包括密封带，密封带从上表面以圆周图案向上延伸，并部分环绕上表面的内部区域。台面和密封带的顶表面可形成基板的支撑表面。密封带可限定多个间隙。组件可包括与静电夹盘主体耦接的支撑杆、嵌入静电夹盘主体内的加热器、和与支撑表面的净化孔耦接的背侧气源。器、和与支撑表面的净化孔耦接的背侧气源。器、和与支撑表面的净化孔耦接的背侧气源。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于斜面沉积减少的背侧气体泄漏
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年10月15日提交的美国专利申请第17/071,595号的优先权的权益，该申请的全部内容出于所有目的通过引用其整体并入本文。


[0002]本技术涉及用于半导体制造的部件和设备。更具体地，本技术涉及基板支撑组件和其他半导体处理设备。

技术介绍

[0003]通过在基板表面上产生复杂地图案化的材料层的工艺使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要受控的形成和去除材料的方法。腔室部件通常将处理气体输送到基板以沉积膜或去除材料。晶片边缘的不连续性可能导致在晶片的斜面上的沉积，这可能对产量有很大影响，因为远边缘膜厚度变化会影响晶片边缘处的大量器件管芯。
[0004]因此，需要可用于生产高质量器件和结构的改进的系统和方法。这些和其他需求由本技术解决。

技术实现思路

[0005]示例性基板支撑组件可包括静电夹盘主体，其限定基板平台。基板平台由上表面表征。基板平台可限定净化孔。基板平台可包括多个台面，其设置在上表面的内部区域中。多个台面中的每个台面可从上表面向上突出。基板平台可包括密封带，其从上表面以圆周图案向上延伸，并部分环绕上表面的内部区域。多个台面和密封带的顶表面可形成基板的支撑表面。密封带可限定多个间隙。基板支撑组件可包括支撑杆，其与静电夹盘主体耦接。基板支撑组件可包括加热器，其嵌入静电夹盘主体内。基板支撑组件可包括背侧气源，其与支撑表面的净化孔耦接。
[0006]在一些实施例中，多个台面与密封带的顶表面可以高度相同。间隙可绕密封带以规则的角度间隔提供。支撑杆可限定流体腔，该流体腔在背侧气源和孔之间延伸并耦接。多个台面可绕上表面的内部区域均匀布置。密封带可定位于基板平台上，以限定基板的外周的支撑座。密封带的一部分和每个间隙的一部分可从支撑座的最外边缘径向向外延伸。密封带可以由被多个间隙中断的大体呈圆形的形状表征。密封带可以由多个突出段表征，这些突出段限定用于基板的外周的支撑座。多个突出段的相邻对可被多个间隙中的相应间隙隔开。多个段中的每个段的大小和多个间隙中的每个间隙的大小可基本相等。背侧气源可输送反应性净化气体。反应性净化气体可以是O2。
[0007]本技术的一些实施例可涵盖基板支撑组件。基板支撑组件可包括静电夹盘主体，其限定基板平台。基板平台由上表面表征。基板平台可限定单个净化孔。基板平台可包括多个台面，其设置在上表面的内部区域中。多个台面中的每个台面从上表面向上突出。基板平台可包括密封带，其从上表面以圆周图案向上延伸，并部分环绕上表面的内部区域。密封带
可以由多个突出段表征，这些突出段限定用于基板的外周的支撑座。多个突出段的相邻对被多个间隙中的一个间隙隔开。基板支撑组件可包括支撑杆，其与静电夹盘主体耦接。基板支撑组件可包括背侧气源，其与支撑表面的净化孔耦接。
[0008]在一些实施例中，间隙可绕密封带以规则的角度间隔提供。支撑杆可限定流体腔，该流体腔在背侧气源和孔之间延伸并耦接。多个台面可绕上表面的内部区域均匀布置。背侧气源可输送反应性净化气体。多个段中的每个段的大小和多个间隙中的每个间隙的大小可基本相等。
[0009]本技术的一些实施例可包括处理半导体基板的方法。方法可包括使用夹持电压将半导体基板夹持到基板平台的支撑表面。基板平台可以由上表面表征，且基板平台可限定单个净化孔。基板平台可包括多个台面，其设置在上表面的内部区域中。多个台面中的每个台面从上表面向上突出。基板平台可包括密封带，其从上表面以圆周图案向上延伸，并部分环绕上表面的内部区域。支撑表面可由多个台面和密封带的顶表面形成。密封带可限定将多个突出段分开的多个间隙。方法可包括使反应性净化气体流到半导体基板的下侧并流过多个间隙。反应性净化气体可以是O2。密封带的每个间隙和每个突出段的至少一部分可向外延伸超出半导体基板的外周。
[0010]相对于常规的系统和技术，本技术可提供许多益处。例如，本技术的实施例可提供基板支撑组件，其可相对于常规技术减少斜面处的沉积，同时仍提供足够的夹持力。结合以下描述和所附附图更详细地描述了这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。
附图说明
[0011]通过参照说明书的其余部分和所附附图，可以实现对所公开的技术的性质和优点的进一步理解。
[0012]图1示出了根据本技术的一些实施例的示例性处理系统的俯视平面图。
[0013]图2示出了根据本技术的一些实施例的示例性等离子体系统的示意性截面图。
[0014]图3示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑组件的示意性局部截面图。
[0015]图4示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板平台的示意性俯视图。
[0016]图5示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板平台的示意性局部俯视图。
[0017]图6A示出了根据本技术的一些实施例的支撑基板的示例性基板平台的示意性局部侧视图。
[0018]图6B示出了根据本技术的一些实施例的用于使用支撑基板的示例性基板平台来消除斜面沉积的气流路径的示意性局部侧视图。
[0019]图7是根据本技术的一些实施例的半导体处理的示例性方法的流程图。
[0020]一些图作为示意图包含在内。应理解，附图仅用于说明性目的，除非特别说明是按比例，否则不应视为按比例。此外，作为示意，提供了图以帮助理解，并且与实际表示相比，图可能不包括所有方面或信息，并且出于说明目的，可能包括夸大的材料。
[0021]在所附附图中，相似的部件和/或特征可具有相同的附图标记。此外，相同类型的各种部件可以通过在附图标记后加上一个在相似部件之间进行区分的字母来进行区分。如果在说明书中仅使用第一附图标记，则该描述可应用于具有相同第一附图标记的任何一个
类似的部件，而与字母无关。
具体实施方式
[0022]晶片斜面(bevel)膜管理是硬掩模膜沉积的关键方面，因为这会影响下游工艺，因为劣质膜会导致最终落在晶片上的缺陷，并可能导致器件故障。斜面管理的另一个方面是远边膜厚度。通常，与体膜(bulk film)相比，晶片边缘的不连续性会导致斜面处的膜厚度发生剧烈变化。这对后续蚀刻步骤和沉积在膜顶部的其他层的均匀性带来了困难。这对产量有显著影响，因为远边缘膜厚度变化会影响晶片边缘的大量器件管芯，因为面积与半径的平方成比例增加。
[0023]常规系统可通过利用物理掩模晶片边缘和斜面膜免于沉积的遮蔽环来管理斜面厚度。尽管遮蔽环在减少斜面沉积厚度方面非常有效，但这些环会导致面内畸变(in
‑
plane distortion，IPD)增加，并对覆盖层产生影响，并且对晶片定位高度敏感。一些常规系统可通过优化加热器袋以产生等离子体遮蔽效果来管理斜面厚度。然而，尽管与遮蔽环相比，加热器袋的优化对IPD的影响较小，但此选项在减少斜面膜厚度方面效果较差。其他常规系统可能试图通过使用斜面净化来管理斜面厚度，其中单独的保护气体被引导通过底座加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板支撑组件，包括：静电夹盘主体，其限定基板平台，其中：所述基板平台由上表面表征，所述基板平台限定净化孔；及所述基板平台包括：多个台面，其设置在所述上表面的内部区域中，其中所述多个台面中的每个台面从所述上表面向上突出；及密封带，其从所述上表面以圆周图案向上延伸，并部分环绕所述上表面的所述内部区域，其中：所述多个台面和所述密封带的顶表面形成基板的支撑表面；及所述密封带限定多个间隙；支撑杆，其与所述静电夹盘主体耦接；加热器，其嵌入所述静电夹盘主体内；及背侧气源，其与所述支撑表面的所述净化孔耦接。2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中：所述多个台面与所述密封带的所述顶表面高度相同。3.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中：所述间隙绕所述密封带以规则的角度间隔提供。4.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中：所述支撑杆限定流体腔，所述流体腔在所述背侧气源和所述孔之间延伸并耦接。5.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中：所述多个台面绕所述上表面的所述内部区域均匀布置。6.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中：所述密封带定位于所述基板平台上，以限定基板的外周的支撑座；和所述密封带的一部分和每个间隙的一部分从所述支撑座的最外边缘径向向外延伸。7.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中：所述密封带由被所述多个间隙中断的大体呈圆形的形状表征。8.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中：所述密封带由多个突出段表征，所述多个突出段限定用于基板的外周的支撑座，其中所述多个突出段的相邻对被所述多个间隙中的相应间隙分隔开。9.如权利要求8所述的基板支撑组件，其中：所述多个段中的每个段的大小和所述多个间隙中的每个间隙的大小基本相等。10.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中：所述背侧气源输送反应性净化气体。11.如权利要求10所述的基板支撑组件，其中：所述反应性净化气体包含O2。12.一种基板支撑组件，包括：静电夹盘主体，其限定基板平台，其中：所述基板平台由上表面表征，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：