描述了一种用于在真空沉积腔室中将材料沉积在基板上的材料沉积组件。所述材料沉积组件包括至少一个材料沉积源。所述沉积源包括分配管，所述分配管被配置用于将蒸发的材料引导到所述基板，所述分配管具有配对凸缘，所述配对凸缘具有关于圆对称轴线旋转对称...

形成半导体结构的多个示例性方法可包括在半导体基板上形成掺杂硅层。可以随距该半导体基板的距离增加而增加掺杂水平。这些方法可包括蚀刻该掺杂硅层，以界定延伸至该半导体基板的沟槽。该掺杂硅层可界定该沟槽的倾斜侧壁。该沟槽的特征可在于大于或约30...

一种方法包括获得与在工艺腔室中执行以在基板的表面上沉积膜堆叠物的沉积工艺相关的传感器数据，其中该膜堆叠物包含第一材料的多个层和第二材料的多个层。该方法进一步包括获得与膜堆叠物相关的计量数据。该方法进一步包括基于传感器数据和计量数据训练第...

公开了一种沉积含硅材料的方法。本公开的一些实施例提供填充窄CD特征而没有接缝或空隙的膜。本公开的一些实施例提供在具有更宽CD的特征上保形地形成的膜。本公开的实施例还提供具有低粗糙度、低缺陷和有利地低沉积速率的优质膜。优质膜。优质膜。

描述用于在基板上沉积硅锗锡硼(SiGeSn:B)膜的方法。此方法包括将基板暴露至包括硼前驱物、硅前驱物、锗前驱物、及锡前驱物的前驱物混合物以在基板上形成硼硅锗锡(SiGeSn:B)膜。混合物以在基板上形成硼硅锗锡(SiGeSn:B)膜。...

本说明书的主题可以在一种方法、系统和/或装置等中实施，以接收在制造处理中对当前样本进行的操作的当前计量数据。该计量数据包括在当前样本的一个或多个位置的每一个处的参数的当前值。方法包含获得一个或多个位置的每一个位置处的参数的参数值的参考变...

本公开内容的实施方式总体涉及一种用于检查和分拣多个基板的设备。所述设备包括：分拣单元；第一输送机道，所述第一输送机道在第一方向上且在第一平面中设置在所述分拣单元内；和至少第二输送机道，所述第二输送机道设置在所述分拣单元内，所述第二输送机...

本文所述的实施方式包括与外延沉积相关的工艺和装置。提供了一种用于外延地沉积材料的方法，该方法包括：将基板定位在腔室主体的工艺容积内的承载器的基板支撑表面上，其中该工艺容积包含上部腔室区域和下部腔室区域。该方法包括：使含有一种或多种化学前...

使主体与抛光系统的抛光垫接触，将抛光液供应到所述抛光垫，在所述主体接触所述抛光垫时产生在所述主体与所述抛光垫之间的相对运动，在所述主体接触所述抛光垫时的所述相对运动期间生成来自原位涡电流监测系统的信号，并且基于来自所述原位涡电流监测系统...

一种基板载体，包括：载体底座；基板接收区域，在载体底座中；及夹持机构，设置在载体底座上且与基板接收区域的第一侧相邻。夹持机构包括可通过插入到基板接收区域中的基板而压缩的材料，以对基板施加大致水平的力。大致水平的力用以将基板压抵在基板接收...

本文所述的实施方式包括具有用光学吸收组成物来涂覆的边缘的波导组合器，及用光学吸收组成物来涂覆波导组合器的边缘的方法。光学吸收组成物包括一个或多个类型的纳米颗粒或微颗粒，一种或多种染料或一种或多种颜料中的至少一者，及一种或多种粘合剂的聚合...

描述了一种用于清洁沿着输送方向移动的载体的载体清洁头。所述载体清洁头包括：清洁头主体，所述清洁头主体具有第一导管和第二导管；两对或更多对刷子，每对刷子具有在第一方向延伸的第一刷子和在与所述第一方向相对的第二方向延伸的第二刷子，这些成对刷...

方法与设备被用来调节基板上的膜应力分布。一种设备可包括具有基座的PVD腔室，该基座被配置为在处理期间在位于基座的最上表面上的盖上支撑基板。该盖构造有多个电极，诸如，例如第一电极、第二电极和第三电极。第二电极位于该第一电极与该第二电极之间...

形成半导体结构的示例性方法可包括由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。方法可包括由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层可由大于或约5原子％的氧浓度表征。方法还可包括重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅和氮化硅的...

一种电子装置制造系统，包括具有装载端口的工厂接口。装载端口可包括面板及载体门开启器，该面板在其中具有开口，且该载体门开启器在门关闭的时候密封该开口。载体门开启器可具有沿着门的外部部分的槽。该槽可具有三角形棱镜锥台平截头椎体的横截面形状。...

一种静电吸盘包含：陶瓷主体，具有顶部及底部；一或多个加热元件，设置于陶瓷主体中；以及一或多个电极，设置于陶瓷主体中。所述静电吸盘进一步包含多个物件，该多个物件通过金属接合物接合至陶瓷主体的底部，其中多个物件全体包含多个特征，该多个特征分...

本申请公开了具有局部内环下压力控制的抛光头。化学机械抛光设备的示例性承载头可包括载具主体。承载头可包括与载具主体耦合的基板安装表面。承载头可包括内环，所述内环尺寸设计成和整形成周向地围绕抵靠基板安装表面定位的基板的外围边缘。所述内环的特...

一种半导体装置的接触堆叠结构包括：源极/漏极区；在源极/漏极区上方的金属硅化物层；直接在金属硅化物层上的金属帽层；及在金属帽层上的导体。一种方法包括：在基板的结构中沉积金属硅化物层；在金属硅化物层的沉积之后且在没有空气中断的情况下，直接...

本公开内容的实施方式涉及用于保持光学装置的载体机构。载体机构包括相邻托盘组件，所述相邻托盘组件堆叠而使得多个光学装置透镜被保持在所述相邻托盘组件之间。载体机构通过接触光学装置透镜的角部来保持多个光学装置透镜，而不损坏多个光学装置透镜。使...

本文中的实施方式提供一种确定光学装置调制传递函数(MTF)的方法。本文中所述方法包括从光引擎将图案的基线影像投射至检测器。该基线影像被分析以确定基线函数。该基线函数的基线快速傅里叶变换(FFT)或基线MTF被取得。该方法进一步包括从该光...