自由形式畸变校正制造技术

在一些实施方式中提供了打印并处理层的方法和系统。所述层可以在晶片上或在应用面板上。之后，测量实际打印并处理的特征的位置。基于这些特征的测量差异与设计位置之间的差异，创建至少一个畸变模型。反演每个畸变模型以创建相应的校正模型。当有多个区段时，可以为每个区段创建畸变模型和校正模型。可以组合多个校正模型以创建全局校正模型。校正模型以创建全局校正模型。校正模型以创建全局校正模型。

【技术实现步骤摘要】
自由形式畸变校正
[0001]本申请是申请日为2018年5月14日、申请号为201880032584.7、专利技术名称为“自由形式畸变校正”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本文的实施方式总体上涉及光刻，并且更特定地涉及减小应用面板和晶片的光刻中的畸变误差。

技术介绍

[0003]光刻广泛用于制造半导体器件和显示设备，诸如液晶显示器(LCD)。然而，在处理过程中，晶片和应用面板可能会发生畸变。畸变可来自不同的处理步骤。畸变的大小和形状可随层的不同而变化。一个层的误差可能会增加后续层的畸变。另外，由于环境导致的热量或玻璃上的热量可能导致与应力相关的变形。
[0004]因此，需要减少光刻处理期间的畸变误差。

技术实现思路

[0005]本公开内容的实施方式总体上涉及光刻，并且更特定地涉及减小应用面板和晶片的光刻中的畸变误差。在一实施方式中，提供了一种打印并处理当前层的方法。所述当前层可以在晶片上或在应用面板上。之后，测量实际打印并处理的特征的位置。基于这些特征的测量差异与设计位置之间的差异，创建至少一个畸变模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：在第一基板上打印并处理第一层；针对板移位和旋转，使第二层与所述第一层对准；在所述第一层的顶部上打印并处理对准的所述第二层；以及测量所述第一层上的打印特征与对准的所述第二层上的打印特征之间的分离。2.根据权利要求1所述的方法，其中对准的所述第二层是在所述第一层之后的每个单独的层，针对板移位和旋转，使每个第二层与所述第一层对准；打印并处理每个第二层；以及测量每个第二层与所述第一层之间的分离。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用测得的所述第一层与所述第二层之间的所述分离来重新打印所述第一层和经校正的第二层，其中所述重新打印在与所述第一基板不同的第二基板上进行；针对板移位和旋转，使第三层与所述第二层对准；打印并处理对准的所述第三层；以及测量对准的所述第三层与所述第二层之间的分离。4.根据权利要求3所述的方法，还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：塔纳，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：